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公开(公告)号：CN103383859B
公开(公告)日：2016-05-18
申请号：CN201210337314.1
申请日：2012-09-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/413
CPC classification number: G11C11/419 , G11C11/41 , G11C29/028 , G11C29/56 , G11C2029/5002 , H01L21/78
Abstract: 本发明涉及具有灵活读/写辅助的存储单元及其使用方法，其中，一种半导体器件包括至少一个存储单元管芯。至少一个存储单元管芯包括数据存储单元。至少一个存储单元管芯包括电连接至数据存储单元的至少一个读辅助使能单元。至少一个读辅助使能单元被配置为降低字线的电压。存储单元管芯还包括电连接至数据存储单元的至少一个写辅助使能单元。至少一个写辅助使能单元被配置为向位线或位线条中的至少一个提供负电压。
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公开(公告)号：CN113079019A
公开(公告)日：2021-07-06
申请号：CN202110337813.X
申请日：2021-03-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H04L9/32
Abstract: 生成用于集成电路器件的安全密钥的系统和方法包括生成具有物理不可克隆功能(PUF)器件的多个密钥位。PUF可以包括可以创建随机位的随机数生成器。可以在非易失性存储器中存储随机位。存储在非易失性存储器中的随机位的数量允许多个质询和响应交互，以从PUF获得多个安全密钥。本申请的实施例还涉及集成电路器件。
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公开(公告)号：CN113079019B
公开(公告)日：2024-04-30
申请号：CN202110337813.X
申请日：2021-03-30
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H04L9/32
Abstract: 生成用于集成电路器件的安全密钥的系统和方法包括生成具有物理不可克隆功能(PUF)器件的多个密钥位。PUF可以包括可以创建随机位的随机数生成器。可以在非易失性存储器中存储随机位。存储在非易失性存储器中的随机位的数量允许多个质询和响应交互，以从PUF获得多个安全密钥。本申请的实施例还涉及集成电路器件。
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公开(公告)号：CN102385905B
公开(公告)日：2014-09-24
申请号：CN201110166158.2
申请日：2011-06-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C7/12
CPC classification number: G11C7/10 , G11C7/1015 , G11C11/412 , G11C11/413
Abstract: 一种存储器包括存储器单元、两条与存储器单元相连接的字线、两条与存储器单元相连接的位线、以及写辅助单元。当一条字线用于写操作、另一条字线用于读操作、两条字线同时生效时，写辅助单元被配置为将处于写操作的一条位线的数据传送给处于读操作的另一条位线。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102385905A
公开(公告)日：2012-03-21
申请号：CN201110166158.2
申请日：2011-06-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C7/12
CPC classification number: G11C7/10 , G11C7/1015 , G11C11/412 , G11C11/413
Abstract: 一种存储器包括存储器单元、两条与存储器单元相连接的字线、两条与存储器单元相连接的位线、以及写辅助单元。当一条字线用于写操作、另一条字线用于读操作、两条字线同时生效时，写辅助单元被配置为将处于写操作的一条位线的数据传送给处于读操作的另一条位线。
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公开(公告)号：CN109216361B
公开(公告)日：2020-12-01
申请号：CN201810715448.X
申请日：2018-06-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/11
Abstract: 本发明的实施例提供了一种静态随机存取存储器(SRAM)单元，包括写入端口，该写入端口包括第一反相器和与第一反相器交叉连接的第二反相器，第一反相器包括第一上拉晶体管和第一下拉晶体管，并且第二反相器包括第二上拉晶体管和第二下拉晶体管；以及读取端口，包括串联连接的读取传输门晶体管和读取下拉晶体管。掺杂在第二下拉晶体管和读取下拉晶体管的沟道区域中的杂质的第一掺杂浓度大于掺杂在第一下拉晶体管的沟道区域中的杂质的第二掺杂浓度，或杂质掺杂在第二下拉晶体管和读取下拉晶体管的沟道区域中，而没有掺杂在第一下拉晶体管的沟道区域中。
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公开(公告)号：CN109216361A
公开(公告)日：2019-01-15
申请号：CN201810715448.X
申请日：2018-06-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L27/11
Abstract: 本发明的实施例提供了一种静态随机存取存储器(SRAM)单元，包括写入端口，该写入端口包括第一反相器和与第一反相器交叉连接的第二反相器，第一反相器包括第一上拉晶体管和第一下拉晶体管，并且第二反相器包括第二上拉晶体管和第二下拉晶体管；以及读取端口，包括串联连接的读取传输门晶体管和读取下拉晶体管。掺杂在第二下拉晶体管和读取下拉晶体管的沟道区域中的杂质的第一掺杂浓度大于掺杂在第一下拉晶体管的沟道区域中的杂质的第二掺杂浓度，或杂质掺杂在第二下拉晶体管和读取下拉晶体管的沟道区域中，而没有掺杂在第一下拉晶体管的沟道区域中。
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公开(公告)号：CN108172258A
公开(公告)日：2018-06-15
申请号：CN201711175581.2
申请日：2017-11-22
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C29/12
Abstract: 本发明实施例提供一种存储器元件。存储器元件包括一存储器阵列以及一互相汉明距离分析器。存储器阵列包括多个区段，其中每一区段包括多个位元，以及多个区段的位元的数量是相同的。互相汉明差异分析器得到操作在不同操作条件下的多个区段的内容，以得到内容的多个互相汉明差异，并从多个区段的互相汉明差异中提供一最大互相汉明差异以及一最小互相汉明差异。互相汉明差异表示对应于一第一操作条件的多个区段的一区段的内容与对应于不同于第一操作条件的一第二操作条件的多个区段的另一区段的内容之间的不相似位元的数量。本公开提供的存储器元件可提高存储效率以及用来存储在不同条件下来自所有晶粒或芯片的位元的存储空间。
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公开(公告)号：CN103383859A
公开(公告)日：2013-11-06
申请号：CN201210337314.1
申请日：2012-09-12
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/413
CPC classification number: G11C11/419 , G11C11/41 , G11C29/028 , G11C29/56 , G11C2029/5002 , H01L21/78
Abstract: 本发明涉及具有灵活读/写辅助的存储单元及其使用方法，其中，一种半导体器件包括至少一个存储单元管芯。至少一个存储单元管芯包括数据存储单元。至少一个存储单元管芯包括电连接至数据存储单元的至少一个读辅助使能单元。至少一个读辅助使能单元被配置为降低字线的电压。存储单元管芯还包括电连接至数据存储单元的至少一个写辅助使能单元。至少一个写辅助使能单元被配置为向位线或位线条中的至少一个提供负电压。
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