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公开(公告)号：CN113129954B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202011582664.5
申请日：2020-12-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 所揭露的供电系统和供电方法降低由较大写入电流所导致的片上功率电压降，以在写入操作开始和结束时增加写入IO数目或提高写入吞吐量以及抑制写入电压纹波。参考稳定磁阻随机存取存储器的位线电压来描述所揭露的系统和方法，然而，所揭露的系统和方法可用于稳定在短写入脉冲期间汲取较大电流的任何存储器配置的位线电压，或更一般来说，可用于选择性辅助电源产生器在较大功率消耗期间向负载供应足够的功率。
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公开(公告)号：CN115862702A
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202210806839.9
申请日：2022-07-08
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 提供了一种磁阻随机存取存储器(MRAM)器件及确定其外部磁场和影响的方法。MRAM器件包括主磁隧道结(MTJ)阵列和参考MTJ阵列，主磁隧道结(MTJ)阵列包括被配置为储存存储器数据的多个存储器单元，参考MTJ阵列包括具有MTJ结构的多个参考单元。MRAM器件还包括与主MTJ阵列和参考MTJ阵列可操作地相关联的控制器。控制器被配置为接收与外部磁场强度相关的参考MTJ阵列的总电阻，基于接收到的参考MTJ阵列的总电阻和预定阈值确定外部磁场是否致命，并且如果确定MRAM器件周围的外部磁场是致命的，则提供指示储存在主MTJ阵列中的存储器数据不可信的通知。
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公开(公告)号：CN112148053B
公开(公告)日：2022-06-24
申请号：CN202010589025.5
申请日：2020-06-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G05F1/565
Abstract: 参考电压发生器包括配置为接收使能信号的输入端子和配置为提供输出信号的输出端子。电压发生器电路布置为生成第一输出电压信号，并且预稳定电路布置为生成第二输出电压。预稳定电路配置为响应于在输入端子处接收的使能信号而在输出端子处提供第二输出电压信号，并且在第一时间段之后在输出端子处提供第一输出电压。本发明的实施例还涉及生成参考电压的电路和方法。
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公开(公告)号：CN110858497B
公开(公告)日：2022-06-14
申请号：CN201910785995.X
申请日：2019-08-23
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/16
Abstract: 本发明实施例涉及一种存储器装置以及用于感测存储器单元的逻辑状态的方法。用于感测存储器装置中的多个段中的存储器单元的逻辑状态的方法，每一单元具有高电阻状态和低电阻状态，从而产生针对不同电阻状态的不同单元电流电平。所述方法包含确定相应段的目标参考电流电平，所述目标参考电流电平中的至少两个彼此不同；用每一段的所述目标参考电流电平产生所述段的参考电流；将每一单元的所述单元电流电平与所述单元所处的所述段的所述参考电流电平进行比较；和基于所述比较，确定所述存储器单元的所述逻辑状态。
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公开(公告)号：CN110045920B
公开(公告)日：2022-02-18
申请号：CN201811629083.5
申请日：2018-12-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06F3/06
Abstract: 一种存储器件的电路包括：将多个数据字写入到存储器件的相应位单元中，其中，每个数据字具有多个数据位；响应于确定并非多个数据字的所有数据位都被正确地写入到存储器件的相应位单元中，将多个数据字分组为多个数据字集；并且同时重写未被正确地写入到存储器件的相应位单元中的数据位的子集，其中，数据位的子集包含在多个数据字集的相应一个中。本发明的实施例还提供了存储器件的操作方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113782073A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202110356778.6
申请日：2021-04-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 公开了一种电路，包括相互交叉耦合的第一晶体管和第二晶体管，使得第一晶体管的源极和第二晶体管的源极均连接至电源，第一晶体管的栅极在第一节点处连接至第二晶体管的漏极，第二晶体管的栅极在第二节点处连接至第一晶体管的漏极。该电路可通过第二晶体管和第三晶体管将配置为第一电平的电源直接耦合至存储器单元，从而向存储器单元提供字线电压的第一电平，并且通过第二晶体管和第三晶体管将配置为第二电平的电源直接耦合至存储器单元，从而向存储器单元提供字线电压的第二电平。本发明的实施例还公开了一种用于提供电平的方法。
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公开(公告)号：CN110534138B
公开(公告)日：2021-07-13
申请号：CN201910439139.9
申请日：2019-05-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 公开了用于补偿感测放大器失配的电路和方法。在一个实例中，公开了电路。电路包括：第一支路、第二支路、多个第一修正晶体管和多个第二修正晶体管。第一支路包括第一晶体管、第二晶体管、和耦合在所述第一晶体管和所述第二晶体管之间的第一节点。第二支路包括三晶体管、第四晶体管、和耦合在所述第三晶体管和所述第四晶体管之间的第二节点。所述第一节点耦合至所述第三晶体管和所述第四晶体管的各自栅极。所述第二节点耦合至所述第一晶体管和所述第二晶体管的各自栅极。多个第一修正晶体管并联耦合至所述第二晶体管。多个第二修正晶体管并联耦合至所述第四晶体管。本发明的实施例还提供了用于补偿电路失配的方法。
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公开(公告)号：CN111079918A
公开(公告)日：2020-04-28
申请号：CN201910987185.2
申请日：2019-10-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G06N3/063
Abstract: 本申请公开一种可改善基于硬件的神经网络的缺陷容忍度的方法及装置。在一个实施例中，一种对神经网络中第一层的第一神经元上的值实行计算的方法包括：接收存储胞元阵列的第一图案；根据第三图案确定存储胞元阵列的第二图案；根据第一图案及第二图案确定存储胞元阵列的至少一对列；对存储胞元阵列的所述至少一对列中的每一对中的两个列的输入数据进行切换；以及对存储胞元阵列的所述至少一对列中的每一对中的所述两个列的输出数据进行切换，以确定第一层的第一神经元上的值。
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公开(公告)号：CN110534138A
公开(公告)日：2019-12-03
申请号：CN201910439139.9
申请日：2019-05-24
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 公开了用于补偿感测放大器失配的电路和方法。在一个实例中，公开了电路。电路包括：第一支路、第二支路、多个第一修正晶体管和多个第二修正晶体管。第一支路包括第一晶体管、第二晶体管、和耦合在所述第一晶体管和所述第二晶体管之间的第一节点。第二支路包括三晶体管、第四晶体管、和耦合在所述第三晶体管和所述第四晶体管之间的第二节点。所述第一节点耦合至所述第三晶体管和所述第四晶体管的各自栅极。所述第二节点耦合至所述第一晶体管和所述第二晶体管的各自栅极。多个第一修正晶体管并联耦合至所述第二晶体管。多个第二修正晶体管并联耦合至所述第四晶体管。本发明的实施例还提供了用于补偿电路失配的方法。
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公开(公告)号：CN113488090B
公开(公告)日：2024-04-12
申请号：CN202110679043.7
申请日：2021-06-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/16
Abstract: 公开了一种存储器器件，包括多个磁阻随机存取存储器单元，该等磁阻随机存取存储器单元包括第一一次性可编程磁阻随机存取存储器单元。第一一次性可编程选择晶体管连接至第一一次性可编程磁阻随机存取存储器单元。该第一一次性可编程选择晶体管被配置为选择性地向第一一次性可编程磁阻随机存取存储器单元施加击穿电流以将第一一次性可编程磁阻随机存取存储器单元写入成击穿状态。本发明的实施例还公开了一种操作存储器器件的方法。
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