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公开(公告)号：CN113129954B
公开(公告)日：2024-11-22
申请号：CN202011582664.5
申请日：2020-12-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 所揭露的供电系统和供电方法降低由较大写入电流所导致的片上功率电压降，以在写入操作开始和结束时增加写入IO数目或提高写入吞吐量以及抑制写入电压纹波。参考稳定磁阻随机存取存储器的位线电压来描述所揭露的系统和方法，然而，所揭露的系统和方法可用于稳定在短写入脉冲期间汲取较大电流的任何存储器配置的位线电压，或更一般来说，可用于选择性辅助电源产生器在较大功率消耗期间向负载供应足够的功率。
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公开(公告)号：CN113782073A
公开(公告)日：2021-12-10
申请号：CN202110356778.6
申请日：2021-04-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 公开了一种电路，包括相互交叉耦合的第一晶体管和第二晶体管，使得第一晶体管的源极和第二晶体管的源极均连接至电源，第一晶体管的栅极在第一节点处连接至第二晶体管的漏极，第二晶体管的栅极在第二节点处连接至第一晶体管的漏极。该电路可通过第二晶体管和第三晶体管将配置为第一电平的电源直接耦合至存储器单元，从而向存储器单元提供字线电压的第一电平，并且通过第二晶体管和第三晶体管将配置为第二电平的电源直接耦合至存储器单元，从而向存储器单元提供字线电压的第二电平。本发明的实施例还公开了一种用于提供电平的方法。
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公开(公告)号：CN104425408B
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201310593734.0
申请日：2013-11-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/38
Abstract: 本发明提供了使用至少一个热电冷却器冷却三维集成电路（3D IC）的系统和方法，其中，热电冷却器通过多个导电柱连接到3D IC。在一些实施例中，控制器控制向热电冷却器的电力供应，且温度监测器向控制器提供温度输入。在一些实施例中，控制器通过向热电冷却器循环提供电力来将3D IC的温度维持在预定范围内。本发明还公开了用于3D IC的冷却系统。
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公开(公告)号：CN113782073B
公开(公告)日：2024-02-23
申请号：CN202110356778.6
申请日：2021-04-01
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 公开了一种电路，包括相互交叉耦合的第一晶体管和第二晶体管，使得第一晶体管的源极和第二晶体管的源极均连接至电源，第一晶体管的栅极在第一节点处连接至第二晶体管的漏极，第二晶体管的栅极在第二节点处连接至第一晶体管的漏极。该电路可通过第二晶体管和第三晶体管将配置为第一电平的电源直接耦合至存储器单元，从而向存储器单元提供字线电压的第一电平，并且通过第二晶体管和第三晶体管将配置为第二电平的电源直接耦合至存储器单元，从而向存储器单元提供字线电压的第二电平。本发明的实施例还公开了一种用于提供电平的方法。
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公开(公告)号：CN110619901B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN201910522259.5
申请日：2019-06-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/16
Abstract: 用于生成参考电流的参考电路包括多个电阻元件，多个电阻元件包括至少一个磁隧道结(MTJ)。控制电路连接至至少一个MTJ的第一端子，并且被配置为选择性地使电流在正向和反向方向上流过至少一个MTJ以生成参考电流。本发明的实施例还涉及存储器件、生成参考电流的参考电路和方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN109308933A
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201810844311.4
申请日：2018-07-27
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明实施例涉及存储器修复方案，提供存储器装置和修复存储器的方法。第一阵列包含正常存储器单元，并且第二阵列包含修复存储器单元。所述修复存储器单元经配置以代替所述正常存储器单元使用。查找表包括存储器位单元，所述存储器位单元经配置以存储包含所述正常存储器单元的缺陷存储器单元的地址的条目集合。匹配电路经配置以评估输入存储器地址是否被存储为所述存储器位单元中的缺陷地址。所述匹配电路还经配置以基于所述评估生成用于选择所述正常存储器单元或所述修复存储器单元的选择信号。
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公开(公告)号：CN104425716B
公开(公告)日：2018-01-05
申请号：CN201410340990.3
申请日：2014-07-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L45/1608 , H01L45/08 , H01L45/124 , H01L45/1273 , H01L45/146 , H01L45/1683
Abstract: 本公开提供一种半导体结构，其包括导电层和导电层上方的电阻可配置结构。电阻可配置结构包括第一电极、第一电极上方的电阻可配置层以及电阻可配置层上方的第二电极。第一电极具有第一侧壁、第二侧壁以及导电层上的底面。第一侧壁和第二侧壁之间的接合处包括电场增强结构。本公开还提供一种用于制造以上半导体结构的方法，包括：图案化导电层上的硬掩模；在硬掩模周围形成间隔件；去除硬掩模的至少一部分；在间隔件上形成共形电阻可配置层；以及在共形电阻可配置层上形成第二导电层。本公开还提供了一种制造电阻式随机存取存储器(RRAM)的方法。
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公开(公告)号：CN104659206A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201410385383.9
申请日：2014-08-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L45/1253 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/1273 , H01L45/146 , H01L45/16 , H01L45/1675
Abstract: 本发明提供了形成电压特性改进的电阻式随机存取存储器及其形成方法。本发明提供电阻式随机存取存储器(RRAM)结构及其形成方法。该RRAM结构包括具有允许在操作过程中形成与顶部电极自对准的导电通路的凸起台阶部分的底部电极。该凸起台阶部分的倾斜角可为大约30度到150度。可通过蚀刻穿过RRAM堆形成多个RRAM结构。
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公开(公告)号：CN104425716A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201410340990.3
申请日：2014-07-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L45/1608 , H01L45/08 , H01L45/124 , H01L45/1273 , H01L45/146 , H01L45/1683
Abstract: 本公开提供一种半导体结构，其包括导电层和导电层上方的电阻可配置结构。电阻可配置结构包括第一电极、第一电极上方的电阻可配置层以及电阻可配置层上方的第二电极。第一电极具有第一侧壁、第二侧壁以及导电层上的底面。第一侧壁和第二侧壁之间的接合处包括电场增强结构。本公开还提供一种用于制造以上半导体结构的方法，包括：图案化导电层上的硬掩模；在硬掩模周围形成间隔件；去除硬掩模的至少一部分；在间隔件上形成共形电阻可配置层；以及在共形电阻可配置层上形成第二导电层。本公开还提供了一种制造电阻式随机存取存储器(RRAM)的方法。
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公开(公告)号：CN104425408A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201310593734.0
申请日：2013-11-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/38
Abstract: 本发明提供了使用至少一个热电冷却器冷却三维集成电路（3D IC）的系统和方法，其中，热电冷却器通过多个导电柱连接到3D IC。在一些实施例中，控制器控制向热电冷却器的电力供应，且温度监测器向控制器提供温度输入。在一些实施例中，控制器通过向热电冷却器循环提供电力来将3D IC的温度维持在预定范围内。本发明还公开了用于3D IC的冷却系统。
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