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公开(公告)号：CN109840162A
公开(公告)日：2019-06-04
申请号：CN201811212360.2
申请日：2018-10-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种用于操作存储器件的方法包括：取回第一字，其中，第一字包括与第一字相对应的多个数据位和多个奇偶校验位，其中，多个数据位形成N-1组，并且多个奇偶校验位形成不同于N-1组的第一组，并且N为大于2的正整数；接收更新N-1组中的第一组的相应数据位的请求；以及提供第二字，第二字包括与第二字相对应的形成N-1组中的第二组的更新的数据位和多个更新的奇偶校验位，其中，多个更新的奇偶校验位形成具有与N-1组中的第一组相同的组索引的第二组。本发明的实施例还提供了存储器件。
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公开(公告)号：CN104835519B
公开(公告)日：2018-02-13
申请号：CN201410154371.5
申请日：2014-04-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C7/06
CPC classification number: G11C13/004 , G11C7/12 , G11C2013/005 , G11C2013/0054 , G11C2213/79
Abstract: 一种装置，包括存储器位单元、第一电流源以及电连接到存储器位单元和第一电流源的电流比较器。第一晶体管具有电连接到第一电压供给节点的第一端、电连接到控制器的控制端、以及电连接到存储器位单元和电流比较器的第二端。读出放大器电连接到电流比较器和参考电流发生器。本发明提供了存储器电路及相关方法。
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公开(公告)号：CN104425408B
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201310593734.0
申请日：2013-11-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/38
Abstract: 本发明提供了使用至少一个热电冷却器冷却三维集成电路（3D IC）的系统和方法，其中，热电冷却器通过多个导电柱连接到3D IC。在一些实施例中，控制器控制向热电冷却器的电力供应，且温度监测器向控制器提供温度输入。在一些实施例中，控制器通过向热电冷却器循环提供电力来将3D IC的温度维持在预定范围内。本发明还公开了用于3D IC的冷却系统。
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公开(公告)号：CN109840162B
公开(公告)日：2022-08-09
申请号：CN201811212360.2
申请日：2018-10-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 一种用于操作存储器件的方法包括：取回第一字，其中，第一字包括与第一字相对应的多个数据位和多个奇偶校验位，其中，多个数据位形成N‑1组，并且多个奇偶校验位形成不同于N‑1组的第一组，并且N为大于2的正整数；接收更新N‑1组中的第一组的相应数据位的请求；以及提供第二字，第二字包括与第二字相对应的形成N‑1组中的第二组的更新的数据位和多个更新的奇偶校验位，其中，多个更新的奇偶校验位形成具有与N‑1组中的第一组相同的组索引的第二组。本发明的实施例还提供了存储器件。
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公开(公告)号：CN104659206A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201410385383.9
申请日：2014-08-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L45/1253 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/1273 , H01L45/146 , H01L45/16 , H01L45/1675
Abstract: 本发明提供了形成电压特性改进的电阻式随机存取存储器及其形成方法。本发明提供电阻式随机存取存储器(RRAM)结构及其形成方法。该RRAM结构包括具有允许在操作过程中形成与顶部电极自对准的导电通路的凸起台阶部分的底部电极。该凸起台阶部分的倾斜角可为大约30度到150度。可通过蚀刻穿过RRAM堆形成多个RRAM结构。
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公开(公告)号：CN104425408A
公开(公告)日：2015-03-18
申请号：CN201310593734.0
申请日：2013-11-21
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: H01L23/38
Abstract: 本发明提供了使用至少一个热电冷却器冷却三维集成电路（3D IC）的系统和方法，其中，热电冷却器通过多个导电柱连接到3D IC。在一些实施例中，控制器控制向热电冷却器的电力供应，且温度监测器向控制器提供温度输入。在一些实施例中，控制器通过向热电冷却器循环提供电力来将3D IC的温度维持在预定范围内。本发明还公开了用于3D IC的冷却系统。
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公开(公告)号：CN104659206B
公开(公告)日：2017-08-08
申请号：CN201410385383.9
申请日：2014-08-07
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
CPC classification number: H01L45/1253 , H01L27/2463 , H01L45/04 , H01L45/1233 , H01L45/1273 , H01L45/146 , H01L45/16 , H01L45/1675
Abstract: 本发明提供了形成电压特性改进的电阻式随机存取存储器及其形成方法。本发明提供电阻式随机存取存储器(RRAM)结构及其形成方法。该RRAM结构包括具有允许在操作过程中形成与顶部电极自对准的导电通路的凸起台阶部分的底部电极。该凸起台阶部分的倾斜角可为大约30度到150度。可通过蚀刻穿过RRAM堆形成多个RRAM结构。
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公开(公告)号：CN104835519A
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201410154371.5
申请日：2014-04-16
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C7/06
CPC classification number: G11C13/004 , G11C7/12 , G11C2013/005 , G11C2013/0054 , G11C2213/79
Abstract: 一种装置，包括存储器位单元、第一电流源以及电连接到存储器位单元和第一电流源的电流比较器。第一晶体管具有电连接到第一电压供给节点的第一端、电连接到控制器的控制端、以及电连接到存储器位单元和电流比较器的第二端。读出放大器电连接到电流比较器和参考电流发生器。本发明提供了存储器电路及相关方法。
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