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公开(公告)号：CN115831195A
公开(公告)日：2023-03-21
申请号：CN202210927469.4
申请日：2022-08-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本申请的实施例提供了一种存储器器件及其操作方法，存储器器件包括静态随机存取存储器，静态随机存取存储器包括两个交叉耦合的反相器和具有连接到字线的栅极的存取晶体管。存储器器件进一步包括电耦合到静态随机存取存储器的一个或多个逻辑门，以及电耦合到静态随机存取存储器并被配置为储存数据并使用静态随机存取存储器被读取的非易失性存储器。其中非易失性存储器在一侧连接到存取晶体管并且在另一侧连接到两个交叉耦合的反相器。
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公开(公告)号：CN115424645A
公开(公告)日：2022-12-02
申请号：CN202210899481.9
申请日：2022-07-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/419 , G11C11/418 , G11C11/54 , G06N3/063 , G06F7/544
Abstract: 本申请的实施例提供了计算器件、存储器控制器和执行存储器中计算的方法。执行存储器中计算的方法包括：将数据储存在存储器阵列的存储器单元中，该数据包括用于计算的权重；确定是否接收到更新命令以改变至少一个权重；响应于接收到更新命令，对存储器阵列执行写入操作以更新至少一个权重；并且禁用对存储器阵列的写入操作，直到接收到下一个更新命令以改变至少一个权重。
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公开(公告)号：CN114613404A
公开(公告)日：2022-06-10
申请号：CN202210064974.0
申请日：2022-01-20
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/54 , G11C11/417 , G11C11/418 , G06N3/063 , G06F7/544
Abstract: 本公开总体涉及内存计算。一种内存计算(CIM)器件具有存储阵列，该存储阵列具有按行和列布置的多个存储单元。多个存储单元包括在存储阵列的第一行和第一列中的第一存储单元、以及在存储阵列的第一行和第二列中的第二存储单元。第一存储单元和第二存储单元被配置为存储各自的第一权重信号和第二权重信号。输入驱动器提供多个输入信号。第一逻辑电路耦合到第一存储单元以基于第一权重信号和来自输入驱动器的第一输入信号来提供第一输出信号。第二逻辑电路耦合到第二存储单元以基于第二权重信号和来自输入驱动器的第二输入信号来提供第二输出信号。
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公开(公告)号：CN113571109A
公开(公告)日：2021-10-29
申请号：CN202110790436.5
申请日：2021-07-13
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C8/12
Abstract: 一种存储器电路包括选择电路、存储器单元的列和加法器树。选择电路被配置为接收输入数据元素，每个输入数据元素包括等于H的位数，并输出输入数据元素的H位中的所选择的第k位的集合。存储器单元的列的每个存储器单元包括被配置为存储第一权重数据元素的第一存储器单元和被配置为基于第一权重数据元素和所选集合的第k位生成第一乘积数据元素的第一乘法器第k位。加法器树被配置为基于第一乘积数据元素中的每个生成求和数据元素。本发明的实施例还涉及操作存储器电路的方法。
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公开(公告)号：CN113488090A
公开(公告)日：2021-10-08
申请号：CN202110679043.7
申请日：2021-06-18
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/16
Abstract: 公开了一种存储器器件，包括多个磁阻随机存取存储器单元，该等磁阻随机存取存储器单元包括第一一次性可编程磁阻随机存取存储器单元。第一一次性可编程选择晶体管连接至第一一次性可编程磁阻随机存取存储器单元。该第一一次性可编程选择晶体管被配置为选择性地向第一一次性可编程磁阻随机存取存储器单元施加击穿电流以将第一一次性可编程磁阻随机存取存储器单元写入成击穿状态。本发明的实施例还公开了一种操作存储器器件的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN113253784A
公开(公告)日：2021-08-13
申请号：CN202010603430.8
申请日：2020-06-29
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G05F1/56
Abstract: 在一实施例中，一种电压调节电路包含调节电路，所述调节电路具有提供输出电压的电压调节器以及耦合到电压调节器的控制电路。控制电路响应于控制电路检测到输出电压的第一电压位准低于预定义电压位准而将输出电压上拉到参考电压。控制电路响应于控制电路检测到输出电压的第一电压位准高于预定义电压位准而将输出电压与参考电压解耦。
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公开(公告)号：CN107039062B
公开(公告)日：2020-10-30
申请号：CN201610966964.0
申请日：2016-10-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种包括多个存储单元、参考电路和感测单元的器件。每一个存储单元都配置为存储位数据。参考电路包括多个参考开关和多个参考储存单元。设置多个参考开关。参考储存单元的第一参考储存单元配置为：在多个参考开关中的第一参考开关导通时，生成具有第一逻辑状态的第一信号。多个参考储存单元的第二参考储存单元配置为：在多个参考开关中的第二参考开关导通时，生成具有第二逻辑状态的第二信号。感测单元配置为根据第一信号和第二信号来确定多个存储单元中的一个存储单元的位数据的逻辑状态。本发明还提供了存储器件及其操作方法。
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公开(公告)号：CN107564568B
公开(公告)日：2020-08-14
申请号：CN201710508727.4
申请日：2017-06-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C29/42
Abstract: 一种校正存储器阵列中的错误的方法。该方法包括配置具有第一纠错码(ECC)的第一存储器阵列以提供存储在第一存储器阵列中的数据的错误校正，配置具有第二ECC的第二存储器阵列以提供存储在第一存储器阵列中的数据的错误校正，对第一存储器阵列和第二存储器阵列实施回流工艺，以及至少基于第一ECC或第二ECC校正存储在第一存储器阵列中的数据。第一存储器阵列包括布置为多行和多列的第一组存储器单元。第二存储器阵列包括布置多行和多列的第二组存储器单元。本发明还提供了实施校正存储器阵列中的错误的方法的系统。
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公开(公告)号：CN110619901A
公开(公告)日：2019-12-27
申请号：CN201910522259.5
申请日：2019-06-17
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C11/16
Abstract: 用于生成参考电流的参考电路包括多个电阻元件，多个电阻元件包括至少一个磁隧道结(MTJ)。控制电路连接至至少一个MTJ的第一端子，并且被配置为选择性地使电流在正向和反向方向上流过至少一个MTJ以生成参考电流。本发明的实施例还涉及存储器件、生成参考电流的参考电路和方法。
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公开(公告)号：CN108120523A
公开(公告)日：2018-06-05
申请号：CN201710896521.3
申请日：2017-09-28
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G01K7/16
Abstract: 本发明实施例涉及一种基于磁隧道结的温度感测装置，其中本发明实施例公开一种温度计电路，其经配置以估计监测温度。所述电路包含：可调电阻器，其呈现独立于温度的第一电阻值及相依于温度的第二电阻值，其中当所述电阻器呈现所述第一电阻值时，横跨所述电阻器传导第一电流信号，且当所述电阻器呈现所述第二电阻值时，横跨所述电阻器传导第二电流信号；多个门控导体，其耦合到所述电阻器；及控制电路，其耦合到所述电阻器及所述多个门控导体，且经配置以选择性地停用所述多个门控导体的至少一者来比较所述第一电流信号与所述第二电流信号以估计所述监测温度。
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