存储器电路和对RRAM器件执行写入操作的方法

    公开(公告)号:CN110556141A

    公开(公告)日:2019-12-10

    申请号:CN201910477228.2

    申请日:2019-06-03

    Abstract: 存储器电路包括偏置电压生成器、驱动电路和电阻式随机存取存储器(RRAM)器件。偏置电压生成器包括第一电流路径,配置为从电流源接收第一电流并且基于由在所述第一电流路径中传导的所述第一电流所生成的电压差输出偏置电压。驱动电路配置为接收所述偏置电压并且输出具有基于所述偏置电压的电压电平的驱动电压;以及RRAM器件,配置为响应于所述驱动电压传导第二电流。本发明的实施例还提供了对RRAM器件执行写入操作的方法。

    存储器件及其感测放大器和读取方法

    公开(公告)号:CN110277122B

    公开(公告)日:2021-06-08

    申请号:CN201910199143.2

    申请日:2019-03-15

    Abstract: 本发明的实施例提供了存储器件及其感测放大器和读取方法。存储器件包括存储单元和感测放大器。感测放大器具有被配置为输出参考电压的参考电路和连接至存储单元的感测电路。比较器包括第一输入端和第二输入端,其中,第一输入端连接至参考电路以接收参考电压,并且第二输入端连接至存储单元。预充电器被配置为选择性地将感测电路预充电至预定的预充电电压。

    RRAM电路及在RRAM器件中形成细丝的方法

    公开(公告)号:CN110556142A

    公开(公告)日:2019-12-10

    申请号:CN201910477959.7

    申请日:2019-06-03

    Abstract: 电路包括偏置电压生成器和限流器。偏置电压生成器,配置为接收第一参考电压,并且响应于第一电流和所述第一参考电压输出偏置电压。限流器配置为接收输入端的第二电流、第二参考电压和所述偏置电压,并且响应于所述第二参考电压和所述输入端的电压电平,将所述第二电流限制为电流限制等级,所述输入端的电压电平基于所述偏置电压。本发明的实施例提供了RRAM电路及在RRAM器件中形成细丝的方法。

    存储器件及其感测放大器和读取方法

    公开(公告)号:CN110277122A

    公开(公告)日:2019-09-24

    申请号:CN201910199143.2

    申请日:2019-03-15

    Abstract: 本发明的实施例提供了存储器件及其感测放大器和读取方法。存储器件包括存储单元和感测放大器。感测放大器具有被配置为输出参考电压的参考电路和连接至存储单元的感测电路。比较器包括第一输入端和第二输入端,其中,第一输入端连接至参考电路以接收参考电压,并且第二输入端连接至存储单元。预充电器被配置为选择性地将感测电路预充电至预定的预充电电压。

    电压调节器电路以及提供供电电压的方法

    公开(公告)号:CN112578836A

    公开(公告)日:2021-03-30

    申请号:CN202011039671.0

    申请日:2020-09-28

    Abstract: 一种电压调节器电路以及提供供电电压的方法。所述电压调节器电路包括电压调节器,电压调节器被配置成在输出端子处提供输出电压。多个宏可连接在与电压调节器的输出端子连接的连接件的多个连接节点处。反馈电路具有多个反馈环路,所述多个反馈环路可连接到所述多个连接节点。所述多个反馈环路中的反馈环路在连接到所述多个连接节点中的连接节点时被配置成将连接节点的瞬时电压作为反馈提供到电压调节器。电压调节器被配置成响应于瞬时电压而调节输出电压以使连接节点的瞬时电压维持近似等于参考电压。

    存储器器件及其操作方法
    10.
    发明公开

    公开(公告)号:CN115831195A

    公开(公告)日:2023-03-21

    申请号:CN202210927469.4

    申请日:2022-08-03

    Abstract: 本申请的实施例提供了一种存储器器件及其操作方法,存储器器件包括静态随机存取存储器,静态随机存取存储器包括两个交叉耦合的反相器和具有连接到字线的栅极的存取晶体管。存储器器件进一步包括电耦合到静态随机存取存储器的一个或多个逻辑门,以及电耦合到静态随机存取存储器并被配置为储存数据并使用静态随机存取存储器被读取的非易失性存储器。其中非易失性存储器在一侧连接到存取晶体管并且在另一侧连接到两个交叉耦合的反相器。

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