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公开(公告)号：CN110277122A
公开(公告)日：2019-09-24
申请号：CN201910199143.2
申请日：2019-03-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明的实施例提供了存储器件及其感测放大器和读取方法。存储器件包括存储单元和感测放大器。感测放大器具有被配置为输出参考电压的参考电路和连接至存储单元的感测电路。比较器包括第一输入端和第二输入端，其中，第一输入端连接至参考电路以接收参考电压，并且第二输入端连接至存储单元。预充电器被配置为选择性地将感测电路预充电至预定的预充电电压。
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公开(公告)号：CN110556142B
公开(公告)日：2021-12-31
申请号：CN201910477959.7
申请日：2019-06-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C13/00
Abstract: 电路包括偏置电压生成器和限流器。偏置电压生成器，配置为接收第一参考电压，并且响应于第一电流和所述第一参考电压输出偏置电压。限流器配置为接收输入端的第二电流、第二参考电压和所述偏置电压，并且响应于所述第二参考电压和所述输入端的电压电平，将所述第二电流限制为电流限制等级，所述输入端的电压电平基于所述偏置电压。本发明的实施例提供了RRAM电路及在RRAM器件中形成细丝的方法。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN110556141B
公开(公告)日：2021-10-15
申请号：CN201910477228.2
申请日：2019-06-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C13/00
Abstract: 存储器电路包括偏置电压生成器、驱动电路和电阻式随机存取存储器(RRAM)器件。偏置电压生成器包括第一电流路径，配置为从电流源接收第一电流并且基于由在所述第一电流路径中传导的所述第一电流所生成的电压差输出偏置电压。驱动电路配置为接收所述偏置电压并且输出具有基于所述偏置电压的电压电平的驱动电压；以及RRAM器件，配置为响应于所述驱动电压传导第二电流。本发明的实施例还提供了对RRAM器件执行写入操作的方法。
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公开(公告)号：CN110277122B
公开(公告)日：2021-06-08
申请号：CN201910199143.2
申请日：2019-03-15
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C13/00
Abstract: 本发明的实施例提供了存储器件及其感测放大器和读取方法。存储器件包括存储单元和感测放大器。感测放大器具有被配置为输出参考电压的参考电路和连接至存储单元的感测电路。比较器包括第一输入端和第二输入端，其中，第一输入端连接至参考电路以接收参考电压，并且第二输入端连接至存储单元。预充电器被配置为选择性地将感测电路预充电至预定的预充电电压。
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公开(公告)号：CN110556142A
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201910477959.7
申请日：2019-06-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C13/00
Abstract: 电路包括偏置电压生成器和限流器。偏置电压生成器，配置为接收第一参考电压，并且响应于第一电流和所述第一参考电压输出偏置电压。限流器配置为接收输入端的第二电流、第二参考电压和所述偏置电压，并且响应于所述第二参考电压和所述输入端的电压电平，将所述第二电流限制为电流限制等级，所述输入端的电压电平基于所述偏置电压。本发明的实施例提供了RRAM电路及在RRAM器件中形成细丝的方法。
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公开(公告)号：CN110556141A
公开(公告)日：2019-12-10
申请号：CN201910477228.2
申请日：2019-06-03
Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC: G11C13/00
Abstract: 存储器电路包括偏置电压生成器、驱动电路和电阻式随机存取存储器(RRAM)器件。偏置电压生成器包括第一电流路径，配置为从电流源接收第一电流并且基于由在所述第一电流路径中传导的所述第一电流所生成的电压差输出偏置电压。驱动电路配置为接收所述偏置电压并且输出具有基于所述偏置电压的电压电平的驱动电压；以及RRAM器件，配置为响应于所述驱动电压传导第二电流。本发明的实施例还提供了对RRAM器件执行写入操作的方法。
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