存储器器件及提供写入电压的方法

    公开(公告)号:CN112820336A

    公开(公告)日:2021-05-18

    申请号:CN202011265898.7

    申请日:2020-11-13

    Abstract: 本发明的实施例提供一种存储器器件及提供写入电压的方法,存储器器件包括多个单元,布置成包括多个行和多个列的矩阵。存储器器件还包括多个位线,其中,多个位线中的每个连接到布置在多个列的列中的多个单元中的第一多个单元。电压控制电路,与多个位线中的所选择的位线可连接,并且包括检测瞬时电源电压的电压检测电路和连接至电压检测电路的电压源选择电路。电压源选择电路基于检测到的瞬时电源电压从多个电压源中选择电压源。电压源选择电路包括将所选择的电压源连接到所选择的位线以提供写入电压的开关。

    存储器电路和对RRAM器件执行写入操作的方法

    公开(公告)号:CN110556141A

    公开(公告)日:2019-12-10

    申请号:CN201910477228.2

    申请日:2019-06-03

    Abstract: 存储器电路包括偏置电压生成器、驱动电路和电阻式随机存取存储器(RRAM)器件。偏置电压生成器包括第一电流路径,配置为从电流源接收第一电流并且基于由在所述第一电流路径中传导的所述第一电流所生成的电压差输出偏置电压。驱动电路配置为接收所述偏置电压并且输出具有基于所述偏置电压的电压电平的驱动电压;以及RRAM器件,配置为响应于所述驱动电压传导第二电流。本发明的实施例还提供了对RRAM器件执行写入操作的方法。

    存储器器件及提供写入电压的方法

    公开(公告)号:CN112820336B

    公开(公告)日:2024-05-24

    申请号:CN202011265898.7

    申请日:2020-11-13

    Abstract: 本发明的实施例提供一种存储器器件及提供写入电压的方法,存储器器件包括多个单元,布置成包括多个行和多个列的矩阵。存储器器件还包括多个位线,其中,多个位线中的每个连接到布置在多个列的列中的多个单元中的第一多个单元。电压控制电路,与多个位线中的所选择的位线可连接,并且包括检测瞬时电源电压的电压检测电路和连接至电压检测电路的电压源选择电路。电压源选择电路基于检测到的瞬时电源电压从多个电压源中选择电压源。电压源选择电路包括将所选择的电压源连接到所选择的位线以提供写入电压的开关。

    存储器电路和对RRAM器件执行写入操作的方法

    公开(公告)号:CN110556141B

    公开(公告)日:2021-10-15

    申请号:CN201910477228.2

    申请日:2019-06-03

    Abstract: 存储器电路包括偏置电压生成器、驱动电路和电阻式随机存取存储器(RRAM)器件。偏置电压生成器包括第一电流路径,配置为从电流源接收第一电流并且基于由在所述第一电流路径中传导的所述第一电流所生成的电压差输出偏置电压。驱动电路配置为接收所述偏置电压并且输出具有基于所述偏置电压的电压电平的驱动电压;以及RRAM器件,配置为响应于所述驱动电压传导第二电流。本发明的实施例还提供了对RRAM器件执行写入操作的方法。

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