公开(公告)号：CN110729288A

公开(公告)日：2020-01-24

申请号：CN201910639634.4

申请日：2019-07-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林洋绪 ,  田倩绮 ,  郑基廷 ,  李奇隆

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/11 ,  G11C5/02 ,  G11C11/412 ,  G11C11/417

Abstract: 本发明实施例提供一种静态随机存取存储器(SRAM)外围电路，包含设置在第一导电类型的第一阱区中的第一n型晶体管及第二n型晶体管，所述第一阱区占据行方向上等于静态随机存取存储器阵列的位单元间距的第一距离。所述静态随机存取存储器外围电路包含设置在第二导电类型的第二阱区中的第一p型晶体管及第二p型晶体管。所述第二阱区占据行方向上等于静态随机存取存储器阵列的位单元间距的第二距离。所述第二阱区设置成在行方向上邻近于第一阱区。

公开(公告)号：CN110729288B

公开(公告)日：2022-01-04

申请号：CN201910639634.4

申请日：2019-07-16

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 林洋绪 ,  田倩绮 ,  郑基廷 ,  李奇隆

IPC: H01L27/02 ,  H01L27/11 ,  G11C5/02 ,  G11C11/412 ,  G11C11/417

Abstract: 本发明实施例提供一种静态随机存取存储器(SRAM)外围电路，包含设置在第一导电类型的第一阱区中的第一n型晶体管及第二n型晶体管，所述第一阱区占据行方向上等于静态随机存取存储器阵列的位单元间距的第一距离。所述静态随机存取存储器外围电路包含设置在第二导电类型的第二阱区中的第一p型晶体管及第二p型晶体管。所述第二阱区占据行方向上等于静态随机存取存储器阵列的位单元间距的第二距离。所述第二阱区设置成在行方向上邻近于第一阱区。