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公开(公告)号：CN104988504A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510366191.8
申请日：2015-06-29
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: C23F1/24
Abstract: 本发明涉及集成电路制造领域中的一种P+/P-高选择比的硅膜腐蚀溶液，其特征在于使用MOS级氢氟酸溶液、硝酸溶液和冰乙酸溶液组成混合溶液，上述三种溶液溶质的量浓度分别为40%、70%和99%，混合溶液中氢氟酸溶液、硝酸溶液、冰乙酸溶液的体积比为x：1：y，其中x大于2.4、小于4；y大于4、小于10。与现有技术相比，本发明的有益效果：本发明通过研究硅膜腐蚀的反应原理，找到了硅膜腐蚀化学反应中反应物的作用。这种混合溶液对P+的腐蚀速率远大于P-的腐蚀速率，最大腐蚀速率选择比达到350：1，满足P+/ P-自停止腐蚀的工艺要求。
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公开(公告)号：CN102915974B
公开(公告)日：2014-12-31
申请号：CN201210425955.2
申请日：2012-10-31
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L21/8248
Abstract: 本发明涉及一种双极与P沟自对准JFET管兼容工艺，通过其中栅区预氧化、沟道区注硼、栅区注磷、以及退火工艺，实现一种用于双极与栅自对准P沟JEFT管兼容的集成放大器制造方法。克服了现有的非自对准栅形成的栅源/漏交叠寄生电容大，源端电阻和漂移区长度都偏大，器件取决于沟道区及漂移区的图形尺寸与掺杂浓度等缺陷。本发明的栅自对准结构的P沟JEFT管工艺具有如下优点：（1）实现了栅区与源/漏区自对准，减小了栅源/漏交叠寄生电容及源端电阻和漏端的漂移区长度。（2）栅自对准结构P沟JEFT管输出动态电阻大、跨导与夹断电压一致性好，失调与漏电流小。
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公开(公告)号：CN103531703A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310505668.7
申请日：2013-10-24
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开一种自测温半导体制冷片，包括冷端基片(1)、热端基片(2)以及被夹持在两个基片之间构成PN结(7)的一组P型半导体粒子(5)与N型半导体粒子(6)，冷端基片(1)上还设有正极引线(3)与负极引线(4)，其特征在于，所述冷端基片(1)上还集成有测温电路；所述P型半导体粒子(5)、N型半导体粒子(6)、冷端基片(1)与热端基片(2)通过高温导电胶(8)粘结成一体；高温导电胶(8)将P型半导体粒子(5)、N型半导体粒子(6)冷端基片(1)与热端基片(2)粘结成一体，极大地提高了半导体制冷片的耐温温度，通过测温电路来检测半导体制冷片的工作环境温度，达到实时监测的目的。
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公开(公告)号：CN112271229B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202011024275.0
申请日：2020-09-25
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L31/105 , H01L29/868 , H01L31/02 , H01L31/0224
Abstract: 本发明公开一种硅基背照PIN器件结构，包括基片，基片正面边缘注入有P+离子层，基片正面沉积有外延层，外延层表面设有氧化层；外延层设有与P+离子层相对应的P阱；外延层还设有N+保护环，P+隔离区以及N‑光敏区；氧化层上形成四象限分布的四个N‑光敏区，氧化层还设有实现器件结构自连与互连的Al引线；所述基片背面设有抗反射膜，抗反射膜外表面设有对背面光敏区进行四象限隔离的Al金属层；该PIN器件结构组件体积至少减小三分之二，实现PIN光电探测器P+与N+处于横向互连，基于背照PIN结构，完成了PIN结构光电探测器系统集成一体化，同时满足光电性能要求。
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公开(公告)号：CN104267229A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201410537738.1
申请日：2014-10-13
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01R15/00
Abstract: 本发明公开一种微电容测试连接装置，包括金属底座(1)，所述金属底座(1)顶面设有背面共地结构的共面波导(2)，共面波导(2)的导电金属带(4)上设有用于放置电容的卡槽(13)，导电金属带(4)的两端分别设有与电容测试仪连接的SMA接口；共面波导(2)及SMA接口的特征阻抗与电容测试仪的特征阻抗相匹配；共面波导及SMA接口的特征阻抗与电容测试仪器的特征阻抗相匹配，相当于把被测电容直接连接于电容测试仪的两个端口，消除了传统测试连接方法中，由于测量仪与被测电容之间接有不匹配连接线而引起的寄生电容与杂散电容，提高检测精度，适应各种微电容的连接测试。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102130053B
公开(公告)日：2014-08-13
申请号：CN201010571942.7
申请日：2010-12-03
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L21/8232 , H01L21/761 , H01L21/337
Abstract: 本发明涉及一种N沟道JFET集成放大器的制造方法，其制造方法包括在Si片上制作单一的具有P+隔离区的步骤，以及在该P+隔离区内制作栅、源、漏极的步骤，其特征在于：在Si片上制作出两个以上独立的P+隔离区，在每个P+隔离区外围再制作一个N+隔离区，然后在每个P+隔离区内制作栅、源、漏极。本发明采用了集成化的N沟道JFET设计，在制造方法上通过制造出的N+隔离区、P+隔离区的双隔技术，具有如下优点：(1)采用了双隔离技术，彻底消除了电路漏电的可能，消除了各个独立工作单元之间的相互串扰。(2)实现了N沟JFET放大器的集成化。(3)缩小了集成电路所占有的空间，更大程度上保证了电路的温度性能，减小了噪声，其作为输入极的集成运放具有更高的速度和更宽的带宽以及更高的输入阻抗，提高了极限频率，保证了较小的功耗，加强了抗辐照的能力。
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公开(公告)号：CN103021843A
公开(公告)日：2013-04-03
申请号：CN201210425954.8
申请日：2012-10-31
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L21/3213
Abstract: 本发明涉及一种双极集成电路放大系数工艺改进方法，包括常规工艺制作BJT与JFET相兼容的双极集成电路的基本电路的步骤、在基本电路上制作电极引线步骤、以及后续工艺整理步骤，其特征在于所述的基本电路上制作电极引线的步骤为：1、接触孔一次光刻及刻蚀；2、孔氧化；3、淀积氮化硅；4、接触孔二次光刻及孔二次刻蚀，5、溅射纯铝，6、光刻刻蚀形成电极引线（25）及压焊点。本发明且具有如下优点：（1）能有效的释放氮化硅介质膜的应力，使其与此类双极电路的特性相匹配；（2）有效预防PNP管放大系数的衰减，稳定PNP管放大系数；（3）技术途径易于实现。
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公开(公告)号：CN102074269A
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN200910185618.9
申请日：2009-11-24
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明涉及一种可编程的信息存储电路，具有可编程的信息存储电路主要分为五个部分：复位电路、分频器、时钟选择电路、存储定时器、信号输出电路。电路功能主要有：计时功能，实现延时输出；断电信息存储功能；电可擦除，电可以快速写入。本发明的优点在于断电后，信息存储至少12h；该电路的工作电压高，具有很强的抗干扰能力；延时时间长达400s。
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公开(公告)号：CN106405362A
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201610722805.6
申请日：2016-08-25
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: G01R31/26
CPC classification number: G01R31/2601
Abstract: 本发明公开一种雪崩二极管低频参数测试装置，包括底座，底座侧部设有四个BNC接头，底座上设有固定台，固定台内嵌设有下测试探针，下测试探针与固定台相互绝缘，下测试探针顶端设有用于容纳待测雪崩二极管的卡槽、底端设有两根测试线缆，两根测试线缆另一端分别与两个BNC接头相连；测试装置还包括支撑架与支撑臂，支撑臂一端与支撑架铰接、另一端设有上测试探针，上测试探针用于和待测雪崩二极管形成配合，上测试探针尾部也设有两根测试线缆，该两根测试线缆另一端分别与另外两个BNC接头相连；从而构成对雪崩二极管的开尔文接法，BNC接头可以很方便地与各类测试仪表相连接，从而对雪崩二极管进行低频电学参数的测试。
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公开(公告)号：CN103594445B
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201310588210.2
申请日：2013-11-21
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开一种W波段IMPATT二极管阻抗匹配引脚，所述引脚由四个相同大小的梯形金属片相互连接成十字形，每个梯形金属片的上底边向内、下底边向外；所述引脚还包含设于十字中心连接梯形金属片的连接片(5)；所述连接片(5)与四个梯形金属片为一体化结构；所述连接片(5)的底面与W波段IMPATT二极管(10)的管芯(7)固定连接，所述四个梯形金属片的下底边与W波段IMPATT二极管(10)的红宝石介质环(8)固定连接；利用四个完全相同的梯形金属片构成的十字形结构在W波段的集总等效模型参数，同W波段IMPATT二极管(10)的管芯(7)参数阻抗匹配，满足W波段IMPATT二极管(10)在波导谐振器中工作时谐振条件，并且增强了W波段IMPATT二极管(10)的散热效果，为W波段IMPATT二极管(10)工作在高功率下提高了可靠性。
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