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发明公开
一种P+/P-高选择比的硅膜腐蚀溶液无效

公开(公告)号：CN104988504A

公开(公告)日：2015-10-21

申请号：CN201510366191.8

申请日：2015-06-29

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 张伟 , 姜淼 , 陈计学 , 李苏苏 , 高博 , 赵建强

IPC: C23F1/24

Abstract: 本发明涉及集成电路制造领域中的一种P+/P-高选择比的硅膜腐蚀溶液，其特征在于使用MOS级氢氟酸溶液、硝酸溶液和冰乙酸溶液组成混合溶液，上述三种溶液溶质的量浓度分别为40%、70%和99%，混合溶液中氢氟酸溶液、硝酸溶液、冰乙酸溶液的体积比为x：1：y，其中x大于2.4、小于4；y大于4、小于10。与现有技术相比，本发明的有益效果：本发明通过研究硅膜腐蚀的反应原理，找到了硅膜腐蚀化学反应中反应物的作用。这种混合溶液对P+的腐蚀速率远大于P-的腐蚀速率，最大腐蚀速率选择比达到350：1，满足P+/ P-自停止腐蚀的工艺要求。

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