一种颗粒碰噪声检测试验后自动清洗装置

    公开(公告)号:CN114130747A

    公开(公告)日:2022-03-04

    申请号:CN202111479342.2

    申请日:2021-12-07

    Abstract: 本发明提供一种颗粒碰噪声检测试验后自动清洗装置,它包括箱体(1),其特征在于:在箱体(1)内设有加热组件(2),在箱体(1)内设有置物盘(3),在箱体(1)内设有置物盘(3)驱动组件(4),在箱体(1)内设有与置物盘(3)活动配合的支撑组件(5),在箱体(1)内还设有一组水雾喷头(6)和一组进气管(7),在箱体(1)上还是设有换气扇(8)。本发明结构简单,使用方便,能快速的对电路金属外壳进行清洗且不会在电路金属外壳表面留有水渍,从而实现了对电路外壳表面残余物自动清洗的效果。

    一种颗粒碰撞噪声检测试验后器件清洗装置

    公开(公告)号:CN115518939A

    公开(公告)日:2022-12-27

    申请号:CN202211189668.6

    申请日:2022-09-28

    Abstract: 本发明提供一种颗粒碰撞噪声检测试验后器件清洗装置,它包括器件输送组件(1),在器件输送组件(1)上依次跨设有清洗通道(2),在清洗通道(2)内设有喷淋、风干和烘干装置,在器件输送组件(1)一端端部的一侧设有推料装置(3),在器件输送组件(1)一端端部的另一侧设有接料台(4)。本发明结构简单、使用方便,一次上料就可以对经过颗粒碰撞噪声检测试验的电子器件表面的水溶胶进行有效的清理,减少人员参与,简化了手工的繁琐操作,节省了时间,使得工作效率提高,能快速对产品外壳进行清洗且不会在产品表面残留水渍,从而实现自动化清洗烘干的效果。

    一种N沟道JFET集成放大器的制造方法

    公开(公告)号:CN102130053A

    公开(公告)日:2011-07-20

    申请号:CN201010571942.7

    申请日:2010-12-03

    Abstract: 本发明涉及一种N沟道JFET集成放大器的制造方法,其制造方法包括在Si片上制作单一的具有P+隔离区的步骤,以及在该P+隔离区内制作栅、源、漏极的步骤,其特征在于:在Si片上制作出两个以上独立的P+隔离区,在每个P+隔离区外围再制作一个N+隔离区,然后在每个P+隔离区内制作栅、源、漏极。本发明采用了集成化的N沟道JFET设计,在制造方法上通过制造出的N+隔离区、P+隔离区的双隔技术,具有如下优点:(1)采用了双隔离技术,彻底消除了电路漏电的可能,消除了各个独立工作单元之间的相互串扰。(2)实现了N沟JFET放大器的集成化。(3)缩小了集成电路所占有的空间,更大程度上保证了电路的温度性能,减小了噪声,其作为输入极的集成运放具有更高的速度和更宽的带宽以及更高的输入阻抗,提高了极限频率,保证了较小的功耗,加强了抗辐照的能力。

    一种基于扫描声学显微镜的批量器件检测装置

    公开(公告)号:CN117607267A

    公开(公告)日:2024-02-27

    申请号:CN202311560683.1

    申请日:2023-11-22

    Abstract: 本发明涉及一种基于扫描声学显微镜的批量器件检测装置,包括机架,机架上设有粘片装置和去水泡装置;粘片装置包括粘片箱,粘片箱内设有一对相平行的导杆,导杆上滑动连接一对相平行的限位板,每个限位板上设有锁紧件;在限位板下侧还设有输送机构,输送机构上可放有粘片台,粘片台包括承载板,在承载板上设有夹持件;去水泡装置位于粘片装置出口一侧的机架上,其包括去水泡箱,去水泡箱内设有空间位移机构,空间位移机构的移动端上连接喷水组件,在喷水组件下方设有水槽,喷水组件可伸入至水槽在内。本发明简化了手工作业的繁琐操作,减少了人的直接接触,避免人体静电损伤和降低了元器件引脚的物理损伤,同时节省大量时间,提高了工作效率。

    一种压力传感器贴片工装夹具
    6.
    发明公开

    公开(公告)号:CN117732678A

    公开(公告)日:2024-03-22

    申请号:CN202311569381.0

    申请日:2023-11-23

    Abstract: 本发明提供一种压力传感器贴片工装夹具,它包括底板(1),其特征在于:在底板(1)上设有第一支撑件(2),在第一支撑件(2)上依次设有镜子托盘(3)和显微镜焦距定位盘(4),在底板(1)上设有第二支撑柱(5),在第二支撑柱(5)上设有压力传感器放置组件(6)。本发明结构简单,使用方便,有效的提高加工效率,加强精度套准,同时避免了精度不高,引线强度不够的问题。

    一种老化板上集成电路的夹取装置

    公开(公告)号:CN115541939A

    公开(公告)日:2022-12-30

    申请号:CN202211190082.1

    申请日:2022-09-28

    Abstract: 本发明提供一种老化板上集成电路的夹取装置,它包括架体(1),其特征在于:在架体(1)上连接有若干连杆(2),在其中一个连杆(2)上穿设有可移动的第一夹杆(3)和第二夹杆(4),在第一夹杆(3)和第二夹杆(4)与架体(1)之间的连杆(2)杆身上均套设有对应配合的弹簧(10),第一夹杆(3)和第二夹杆(4)中部通过铰接轴(5)铰接在一起形成剪式结构,在铰接轴(5)上连接有提拉架(6),在架体(1)顶部铰接有压杆(7),压杆(7)的一端端部与提拉架(6)铰接。本发明结构简单,使用方便,能轻松夹取电路,且不损伤电路表面也不损伤电路管腿。

    一种潮热试验承片装置
    8.
    发明公开

    公开(公告)号:CN113777017A

    公开(公告)日:2021-12-10

    申请号:CN202111110185.8

    申请日:2021-09-23

    Abstract: 本发明一种潮热试验承片装置,它包括主体(1),其特征在于:在主体(1)上设有基座(2),在基座(2)上设有至少一组槽体(2a),在槽体(2a)一侧设有与槽体对应配合的移动限位装置(3),在所述主体(1)上还至少一个跨接有横板(4),在横板(4)两端端部的分别设有对应配合的升降装置(5)。本发明具有结构简单、使用方便、适用与不同形状、不同批次、不同型号的产品同时进行潮热试验等优点。

    一种氦质谱检漏加压叠层装置

    公开(公告)号:CN110617923A

    公开(公告)日:2019-12-27

    申请号:CN201910963590.0

    申请日:2019-10-11

    Abstract: 本发明提供一种氦质谱检漏加压叠层装置,它包括加压罐(1),其特征在于:在加压罐(1)内设有至少一个桶体(2),桶体(2)内桶的底板上均布有一组通孔(3),在桶体(2)上还铰接有提手(4)。本发明结构简单、操作方便,在对电路进行氦质谱检漏的整个过程中能有效保护电路镀层和外引线,同时提高了工作效率。

    一种N沟道JFET集成放大器的制造方法

    公开(公告)号:CN102130053B

    公开(公告)日:2014-08-13

    申请号:CN201010571942.7

    申请日:2010-12-03

    Abstract: 本发明涉及一种N沟道JFET集成放大器的制造方法,其制造方法包括在Si片上制作单一的具有P+隔离区的步骤,以及在该P+隔离区内制作栅、源、漏极的步骤,其特征在于:在Si片上制作出两个以上独立的P+隔离区,在每个P+隔离区外围再制作一个N+隔离区,然后在每个P+隔离区内制作栅、源、漏极。本发明采用了集成化的N沟道JFET设计,在制造方法上通过制造出的N+隔离区、P+隔离区的双隔技术,具有如下优点:(1)采用了双隔离技术,彻底消除了电路漏电的可能,消除了各个独立工作单元之间的相互串扰。(2)实现了N沟JFET放大器的集成化。(3)缩小了集成电路所占有的空间,更大程度上保证了电路的温度性能,减小了噪声,其作为输入极的集成运放具有更高的速度和更宽的带宽以及更高的输入阻抗,提高了极限频率,保证了较小的功耗,加强了抗辐照的能力。

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