公开(公告)号：CN101746147B

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN200910258309.X

申请日：2009-12-04

申请人： 施乐公司

发明人： 约翰·R·安德鲁斯 ,  特伦斯·L·斯蒂芬斯 ,  丹·利奥·马森坡斯特

IPC分类号： B41J2/175

CPC分类号： B41J2/16 ,  B23K26/389 ,  B41J2/1433 ,  B41J2/161 ,  B41J2/1634 ,  Y10T29/49401

摘要： 一种方法包括将多个层贴附于具有至少一个入口端口的流体分配子总成至少一部分的背侧以形成流体分配总成，将激光对准该流体分配总成的对应该入口端口的区域，以及使用激光在该区域形成至少一个孔，该孔完成通过这些层到该入口端口的路径。一种流体分配总成，其具有具有至少一个入口端口的流体分配子总成，具有至少一个出口的流体歧管，该流体分配子总成和该歧管之间的至少两个层，以及在该出口和该入口端口之间在该至少两个层中的流体路径，该流体路径具有平滑的壁和基本上一致的宽度。

公开(公告)号：CN101678505B

公开(公告)日：2014-03-12

申请号：CN200880013958.7

申请日：2008-04-30

申请人： ESI电子科技工业公司

发明人： 穆罕默德·E·阿尔帕伊 ,  杰弗里·豪尔顿 ,  迈克尔·纳什内尔 ,  文玲

IPC分类号： B23K26/384

CPC分类号： H05K3/0032 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/0869 ,  B23K26/384 ,  B23K26/389 ,  B23K26/40 ,  B23K2101/42 ,  B23K2103/172 ,  H05K2201/09827

摘要： 本发明揭示一种用于在薄的大致均质材料中激光机加工具有所要几何横截面要求的贯通微孔的方法。

公开(公告)号：CN103545195A

公开(公告)日：2014-01-29

申请号：CN201310291734.5

申请日：2013-07-11

申请人： 赛米控电子股份有限公司

发明人： 诺贝特·克劳斯 ,  格奥尔格·泰斯

IPC分类号： H01L21/301 ,  H01L21/78

CPC分类号： H01L21/78 ,  B23K26/0006 ,  B23K26/359 ,  B23K26/361 ,  B23K26/389 ,  B23K26/40 ,  B23K2103/172 ,  B23K2103/50 ,  B23K2103/56 ,  B28D5/0011

摘要： 本发明涉及一种基底和断裂准备至少一个功率半导体构件的基底的方法，该方法具有以下方法步骤：a）提供基底（1），其中，基底（1）具有不导电的绝缘材料体（2），b）在绝缘材料体（2）上沿着基底（1）的期望的断裂棱边（A、B、C、D、E）进行材料剥除，其中，材料剥除以如下方式执行，即，在至少两个期望的断裂棱边（A、B、C、D、E）相会的角区域（14）中执行相对于在期望的断裂棱边（A、B、C、D、E）的其余区域（17）中所执行的材料剥除更高度的材料剥除。本发明能够实现在断裂用于至少一个功率半导体构件的基底（1）时减少在绝缘材料体（2）上的不期望的裂缝。

公开(公告)号：CN103477427A

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201280014991.8

申请日：2012-03-23

申请人： 伊雷克托科学工业股份有限公司

发明人： 安德鲁·虎柏 ,  大卫·巴席克 ,  凯利·J·布鲁兰德 ,  达瑞·S·芬恩 ,  林恩·薛翰 ,  彭晓原 ,  大迫康 ,  吉姆·杜摩斯特 ,  威廉·J·乔丹

IPC分类号： H01L21/78 ,  H01L21/301

CPC分类号： H01S3/102 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/064 ,  B23K26/389 ,  B23K26/40 ,  B23K26/705 ,  B23K2103/172 ,  B23K2103/50 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01S3/0057 ,  H01S3/1305 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512

摘要： 量身定做的激光脉冲波形用于处理工件。在芯片粘结薄膜（DAF）上激光划片半导体设备晶圆例如可使用不同的量身定做的激光脉冲波形来向下切割设备层到半导体基板、划片所述半导体基板、切断下面的所述DAF和/或后处理所述上芯片沿以增大芯片断裂强度。不同的单一形状激光脉冲列可用于相应的方法步骤或激光束在切割线上的平移。在另一实施方案中，切割半导体设备晶圆只包括使用混合形状激光脉冲列来沿切割线单次平移激光束，所述混合形状激光脉冲列包括彼此不同的至少两个激光脉冲。另外或在其它实施方案中，可实时选择一个或多个量身定做的脉冲波形并向所述工件提供所述一个或多个量身定做的脉冲波形。所述选择可基于传感器反馈。

公开(公告)号：CN102318451B

公开(公告)日：2013-11-06

申请号：CN200980156663.X

申请日：2009-05-27

申请人： 万佳雷射有限公司

发明人： P·T·路姆斯比

IPC分类号： H05K3/00 ,  B23K26/40

CPC分类号： H05K3/0032 ,  B23K26/0613 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/066 ,  B23K26/0676 ,  B23K26/082 ,  B23K26/364 ,  B23K26/389 ,  B23K26/40 ,  B23K2103/172 ,  B23K2103/42 ,  B23K2103/50 ,  H05K3/107 ,  H05K2201/09036 ,  H05K2203/108 ,  Y10T29/49155

摘要： 描述了一种使用公共光学系统然后用不同的激光工艺在聚合物基底上形成尺寸不同的结构的方法。一种工艺使用聚焦在基底表面并用于通过半连续直写型光束运动形成精细凹槽结构的激光束。第二工艺使用第二激光束，该第二激光束用于在基底表面形成较大尺寸的像，并用于以步进和钻孔模式在基底中形成盲焊盘和接触孔。第三可选的光学工艺使用工作在直写模式中的第二激光束移除在较大的连续区域内或以栅格型图案上方的基底的层。

公开(公告)号：CN103328149A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201280006162.5

申请日：2012-01-24

申请人： 斯奈克玛

发明人： 杰克斯·马塞尔·亚瑟·布诺尔 ,  马里奥·凯撒·德索萨 ,  法布里斯·多明格斯 ,  鲍兹·雷比亚

IPC分类号： B23K26/073 ,  B23K26/38 ,  F23R3/06

CPC分类号： B23K26/389 ,  B23K26/0736 ,  B23K2101/001 ,  B26F1/26 ,  F23R3/06 ,  F23R2900/00018 ,  Y02T50/675 ,  Y10T83/0591 ,  Y10T428/24273

摘要： 本发明涉及一种壁（12，13）的穿孔方法（100），所述方法（100）包括计算对于所述壁（12，13）的使用应用到所述壁（12，13）上的机械应力的第一步骤（101），和在所述壁（12，13）的第一确定区域中穿至少一个孔（21）的第二步骤（102），所述穿孔（102）使用具有取决于在所述第一确定区域中计算的机械应力的截面的工具而进行。该穿孔方法特别有利于航空领域的应用。

公开(公告)号：CN101778693B

公开(公告)日：2013-08-28

申请号：CN200880103183.2

申请日：2008-08-15

申请人： 卡特彼勒公司

发明人： C·C·黄 ,  胡兆力

IPC分类号： B23K26/38

CPC分类号： B23K26/384 ,  B23K26/38 ,  B23K26/389

摘要： 本发明公开了一种激光加工方法。该激光加工方法可以包括将光学装置(12)发出的激光束(14)以第一倾角(θ)引导至工件(11)上以在该工件中产生切口(10)，以及改变该激光束的倾角。

公开(公告)号：CN101490826B

公开(公告)日：2013-08-21

申请号：CN200780025881.0

申请日：2007-07-10

申请人： ESI电子科技工业公司

发明人： 松本久 ,  马克·辛格 ,  利奥·鲍德温 ,  杰弗里·豪尔顿 ,  戴维·V·奇尔德斯

IPC分类号： H01L21/4763

CPC分类号： H05K3/0035 ,  B23K26/03 ,  B23K26/06 ,  B23K26/389 ,  B23K2101/42 ,  H05K1/0269 ,  H05K2201/09454 ,  H05K2203/163

摘要： 一种用于在具有呈变化几何形状的多个定位焊盘的电路衬底的至少一个层中激光形成盲孔的工艺可包含：对于待形成于电路衬底的至少一个层中的至少一个盲孔，相对于待形成于钻凿位置处的盲孔几何形状值(例如，面积和/或体积)来估算在距所述钻凿位置预定距离内的定位焊盘几何形状值(例如，面积和/或体积)。所述工艺可包含基于所述估算而设置至少一个激光操作参数，以便在盲孔形成之后获得所需的定位焊盘外观。所述工艺可包含：对在电路衬底的至少一个层中被界定为距盲孔钻凿位置预定距离内的区域的定位焊盘区域进行成像；量化所述经成像的定位焊盘区域的至少一个外观值；以及基于所述经量化的外观值而确定所述经成像的定位焊盘区域的可接受性。

公开(公告)号：CN103237771A

公开(公告)日：2013-08-07

申请号：CN201180057698.5

申请日：2011-11-30

申请人： 康宁股份有限公司

发明人： H·D·博克 ,  R·C·伯克特 ,  D·R·哈维 ,  A·M·斯特列利佐夫

IPC分类号： C03C15/00 ,  C03C23/00

CPC分类号： C03B33/082 ,  B23K26/382 ,  B23K26/384 ,  B23K26/386 ,  B23K26/389 ,  B23K26/40 ,  B23K26/402 ,  B23K2103/50 ,  C03C15/00 ,  C03C15/02 ,  C03C23/0025 ,  G02B6/1225 ,  G02B6/136

摘要： 提供了一种在玻璃中制造高密度孔阵列的方法，该方法包括以下步骤：提供具有前表面的玻璃片，然后用UV激光束照射玻璃片的前表面，照射的焦点在玻璃片前表面的+/-100μm内，最优选在玻璃片前表面的+/-50μm内。对于厚度在0.3-0.63mm之间的玻璃，聚焦激光的透镜的数值孔径优选在0.1-0.4的范围内，更优选在0.1-0.15的范围内，甚至更优选在0.12-0.13的范围内，从而产生从玻璃片的前表面102延伸进入玻璃片100的开孔，所述开孔的直径在5-15μm的范围内，长宽比至少为20:1。对于在0.1-0.3mm范围内的更薄的玻璃，数值孔径优选为0.25-0.4，更优选为0.25-0.3，并且激光束优选聚焦在玻璃前表面+/-30μm内。优选以小于或等于约15kHz的重复频率运行激光。然后可以通过蚀刻来扩大所产生的孔阵列。如果需要的话，可以在蚀刻之前对前表面进行抛光。

公开(公告)号：CN102839992A

公开(公告)日：2012-12-26

申请号：CN201210209825.5

申请日：2012-06-25

申请人： 通用电气公司

发明人： R.S.班克

IPC分类号： F01D5/18 ,  F02C7/12

CPC分类号： B24C1/045 ,  B23K26/364 ,  B23K26/389 ,  B23K2101/001 ,  F01D5/186 ,  F05D2230/14 ,  F05D2230/90 ,  Y02T50/672 ,  Y02T50/676

摘要： 本发明涉及带有冷却通道的构件及制造方法。提供了一种制造方法。该制造方法包括在包括基底(110)的构件(100)中形成一个或更多凹槽(132)。每个凹槽至少部分地沿基底延伸，并且具有底部(134)、顶部(136)和至少一个排放端(170)。该制造方法还包括形成凹坑(180)使得凹坑与每个凹槽(132)的相应排放端(170)流体连接，以及在基底的外表面(112)的至少一部分上方设置涂层(150)。(多个)凹槽和涂层一起限定用于冷却所述构件的一个或更多通道(130)。涂层不完全跨接一个或更多凹坑中的每一个，使得每个凹坑限定膜出口(174)。还提供了具有带凹坑的膜出口(174)的构件(100)。