公开(公告)号：CN103477427A

公开(公告)日：2013-12-25

申请号：CN201280014991.8

申请日：2012-03-23

Applicant: 伊雷克托科学工业股份有限公司

Inventor： 安德鲁·虎柏 ,  大卫·巴席克 ,  凯利·J·布鲁兰德 ,  达瑞·S·芬恩 ,  林恩·薛翰 ,  彭晓原 ,  大迫康 ,  吉姆·杜摩斯特 ,  威廉·J·乔丹

IPC: H01L21/78 ,  H01L21/301

CPC classification number: H01S3/102 ,  B23K26/0622 ,  B23K26/064 ,  B23K26/389 ,  B23K26/40 ,  B23K26/705 ,  B23K2103/172 ,  B23K2103/50 ,  H01L21/6836 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/83 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2224/27436 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01055 ,  H01L2924/01056 ,  H01L2924/0106 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01075 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/12043 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01S3/0057 ,  H01S3/1305 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/3512

Abstract: 量身定做的激光脉冲波形用于处理工件。在芯片粘结薄膜（DAF）上激光划片半导体设备晶圆例如可使用不同的量身定做的激光脉冲波形来向下切割设备层到半导体基板、划片所述半导体基板、切断下面的所述DAF和/或后处理所述上芯片沿以增大芯片断裂强度。不同的单一形状激光脉冲列可用于相应的方法步骤或激光束在切割线上的平移。在另一实施方案中，切割半导体设备晶圆只包括使用混合形状激光脉冲列来沿切割线单次平移激光束，所述混合形状激光脉冲列包括彼此不同的至少两个激光脉冲。另外或在其它实施方案中，可实时选择一个或多个量身定做的脉冲波形并向所述工件提供所述一个或多个量身定做的脉冲波形。所述选择可基于传感器反馈。