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公开(公告)号:CN104969334B
公开(公告)日:2017-06-16
申请号:CN201480007251.0
申请日:2014-01-09
申请人: 精工半导体有限公司
发明人: 山本祐广
IPC分类号: H01L21/3205 , H01L21/60 , H01L21/768 , H01L23/522
CPC分类号: H01L24/05 , H01L23/5226 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/85 , H01L2224/02166 , H01L2224/04042 , H01L2224/05017 , H01L2224/05085 , H01L2224/05088 , H01L2224/05093 , H01L2224/05096 , H01L2224/05553 , H01L2224/05557 , H01L2224/05558 , H01L2224/45144 , H01L2224/48453 , H01L2224/48463 , H01L2224/85181 , H01L2224/85205 , H01L2224/85206 , H01L2924/00014 , H01L2224/05599 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要: 形成一种焊盘,其中,为了防止在焊盘下的层间绝缘膜中产生因冲击所导致的裂纹,在第一金属膜(12)与最上层的第2金属膜(15)之间配置有小径金属塞柱(14a)和大径金属塞柱(14b),并在大径金属塞柱(14b)上方的第二金属膜(15)的表面上设置有凹部(17)。
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公开(公告)号:CN103000611A
公开(公告)日:2013-03-27
申请号:CN201110340025.2
申请日:2011-11-01
申请人: 南亚科技股份有限公司
IPC分类号: H01L23/522 , H01L23/49
CPC分类号: H01L24/05 , H01L2224/02166 , H01L2224/04042 , H01L2224/05085 , H01L2224/05095 , H01L2224/05624
摘要: 本发明公开了一种接垫结构,其包含有:一半导体基材,其上具有多个金属间介电层,所述金属间介电层包含有至少一最上层金属间介电层;一可接合金属垫层,设于一接垫形成区域范围内的所述最上层金属间介电层的表面上;一保护性钝化层,覆盖住所述可接合金属垫层的外围以及所述最上层金属间介电层的表面;以及多个导孔插塞,设于所述接垫形成区域的一环形区域范围内的所述最上层金属间介电层中,其中所述导孔插塞不形成于所述接垫形成区域的一中央区域范围内。
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公开(公告)号:CN100585826C
公开(公告)日:2010-01-27
申请号:CN200580048884.7
申请日:2005-03-11
申请人: 株式会社瑞萨科技
CPC分类号: H01L24/10 , G01R31/2889 , H01L24/13 , H01L2224/05001 , H01L2224/05022 , H01L2224/05085 , H01L2224/05124 , H01L2224/05144 , H01L2224/05155 , H01L2224/05166 , H01L2224/05572 , H01L2224/056 , H01L2224/13 , H01L2224/13099 , H01L2924/01004 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01045 , H01L2924/01046 , H01L2924/01057 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/04941 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/15788 , H01L2924/00 , H01L2924/00014
摘要: 在探针检测时,为使探针与测试焊盘接触而不破坏在芯片内形成的电路,借助于螺母(11、13)和螺栓(16C)的固定,使加重部件(14)、推压件(9)、弹性体(9A)、粘接环(6)和柱塞(3)成为一体,在设置在弹簧顶压部件(18)和加重部件(14)之间的弹簧(19)的弹性力的作用下,使这些成为一体的构件向焊盘(PD3、PD4)压下,使从柱塞(3)内的弹簧(3A)向薄膜片(2)传递的推压力,仅用于薄膜片(2)的拉伸。
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公开(公告)号:CN104377183B
公开(公告)日:2017-06-13
申请号:CN201410341703.0
申请日:2014-07-17
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号: H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号: H01L23/5226 , G06F17/5077 , H01L21/76805 , H01L21/76877 , H01L21/76897 , H01L23/3171 , H01L23/481 , H01L23/522 , H01L23/528 , H01L23/5283 , H01L23/5329 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/16 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/94 , H01L25/50 , H01L2224/03616 , H01L2224/0401 , H01L2224/04026 , H01L2224/05022 , H01L2224/05085 , H01L2224/05092 , H01L2224/05124 , H01L2224/05147 , H01L2224/05184 , H01L2224/05567 , H01L2224/05624 , H01L2224/05647 , H01L2224/05684 , H01L2224/16145 , H01L2224/29006 , H01L2224/29186 , H01L2224/2919 , H01L2224/32145 , H01L2224/73204 , H01L2224/94 , H01L2924/0002 , H01L2924/3511 , H01L2924/00 , H01L2224/83 , H01L2924/00014 , H01L2224/81 , H01L2924/00012
摘要: 一种半导体器件,包括第一层、第二层和通孔,其中,第一层包括多个第一层金属焊盘;第二层形成在第一层的顶部上,该第二层包括多个第二层金属焊盘;并且通孔将第一层金属焊盘连接至第二层金属焊盘。第一层金属焊盘和第二层金属焊盘之间的表面区域重叠低于规定的阈值。本发明涉及用于多层金属布局的金属焊盘偏移。
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公开(公告)号:CN103367290B
公开(公告)日:2016-06-22
申请号:CN201210395013.4
申请日:2012-10-17
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号: H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号: H01L24/05 , H01L23/481 , H01L23/5226 , H01L23/53223 , H01L23/53238 , H01L23/53252 , H01L23/5329 , H01L24/03 , H01L2224/0345 , H01L2224/03452 , H01L2224/03616 , H01L2224/0401 , H01L2224/04042 , H01L2224/05009 , H01L2224/05018 , H01L2224/05019 , H01L2224/0508 , H01L2224/05083 , H01L2224/05085 , H01L2224/05086 , H01L2224/05087 , H01L2224/05088 , H01L2224/05096 , H01L2224/05098 , H01L2224/05124 , H01L2224/05144 , H01L2224/05147 , H01L2224/05166 , H01L2224/05181 , H01L2224/05184 , H01L2224/05187 , H01L2224/05556 , H01L2224/05558 , H01L2224/05624 , H01L2924/00012 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/04941 , H01L2924/04953 , H01L2924/3512 , H01L2924/35121
摘要: 一种接合焊盘结构包括衬底和在第一介电层中形成并且设置在衬底上方的第一导电岛状物。具有多个通孔的第一通孔阵列形成在第二介电层中并且设置在第一导电岛状物上方。第二导电岛状物形成在第三介电层中并且设置在第一通孔阵列上方。接合焊盘设置在第二导电岛状物上方。第一导电岛状物、第一通孔阵列和第二导电岛状物电连接到接合焊盘。第一通孔阵列未连接到第一介电层中除第一导电岛状物外的其他导电岛状物。除第二导电岛状物外,第三介电层中的其他导电岛状物未连接到第一通孔阵列。本发明提供了具有密集通孔阵列的接合焊盘结构。
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公开(公告)号:CN101095221A
公开(公告)日:2007-12-26
申请号:CN200480043269.2
申请日:2004-06-09
申请人: 株式会社瑞萨科技
IPC分类号: H01L21/66
CPC分类号: G01R31/2894 , H01L22/20 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/13 , H01L2224/0231 , H01L2224/0392 , H01L2224/0401 , H01L2224/05085 , H01L2224/05553 , H01L2224/13099 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01014 , H01L2924/01015 , H01L2924/01019 , H01L2924/01022 , H01L2924/01024 , H01L2924/01027 , H01L2924/01028 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01045 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01057 , H01L2924/01074 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/04941 , H01L2924/05042 , H01L2924/12036 , H01L2924/12041 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/15788 , H01L2924/00
摘要: 当使用装备有薄膜探针的探针卡执行探针标记检查时,视觉检查系统(51)从视觉上检查检查对象即晶片的主表面的外观,按照在晶片平面中的相应芯片的排列次序,将检查结果,例如在晶片的主表面上粘附了灰尘微粒或晶片主表面上的凸点电极的形状异常,收集为晶片图数据。通过服务器(52)将晶片图数据传送到探针检查系统(53),其中根据晶片图数据,对于其中没有通过视觉检查的芯片,省略探针标记检查,而对于其中通过了视觉检查的其他芯片,执行探针标记检查。
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公开(公告)号:CN102157479A
公开(公告)日:2011-08-17
申请号:CN201110025051.6
申请日:2011-01-20
申请人: 台湾积体电路制造股份有限公司
IPC分类号: H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号: H01L24/06 , H01L21/76838 , H01L23/3192 , H01L24/03 , H01L24/05 , H01L24/11 , H01L24/13 , H01L2224/0231 , H01L2224/0401 , H01L2224/0501 , H01L2224/0502 , H01L2224/05085 , H01L2224/05099 , H01L2224/0556 , H01L2224/05599 , H01L2224/1308 , H01L2224/13083 , H01L2224/131 , H01L2224/13147 , H01L2224/13155 , H01L2924/00013 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01075 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/01327 , H01L2924/014 , H01L2924/15787 , H01L2224/13099 , H01L2224/05552 , H01L2924/00
摘要: 本发明公开了一种半导体装置及其制造方法,该半导体装置,包含至少两个导电垫,其中,一导电垫形成于至少两个导电垫之中的另一个导电垫上,及从至少一个导电垫延伸出来的一重分布层。该半导体装置也包含了一形成于导电垫之上且与导电垫电性连接的凸块结构。本发明具有两个或以上导电垫的半导体装置可保护避免金属间介电层产生接合面剥离,或其他因凸块结构应力与应变或封装过程引起的缺陷。
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公开(公告)号:CN100594603C
公开(公告)日:2010-03-17
申请号:CN200610107504.9
申请日:2006-07-27
申请人: 富士通株式会社
IPC分类号: H01L23/488 , H01L21/607
CPC分类号: H01L21/563 , H01L23/49816 , H01L24/11 , H01L24/12 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/05001 , H01L2224/05085 , H01L2224/05567 , H01L2224/1134 , H01L2224/13012 , H01L2224/13023 , H01L2224/13099 , H01L2224/13144 , H01L2224/73203 , H01L2224/81192 , H01L2224/81205 , H01L2224/81801 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/10329 , H01L2924/14 , H01L2924/1423 , H01L2924/15787 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099
摘要: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法,该半导体器件包括安装衬底;以及半导体芯片,经由金属块安装在该安装衬底上,其中该金属块包括与该半导体芯片接合的内部部件和覆盖该内部部件的外部部件,该外部部件具有比该内部部件高的硬度。
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公开(公告)号:CN101047158A
公开(公告)日:2007-10-03
申请号:CN200610107504.9
申请日:2006-07-27
申请人: 富士通株式会社
IPC分类号: H01L23/488 , H01L21/607
CPC分类号: H01L21/563 , H01L23/49816 , H01L24/11 , H01L24/12 , H01L24/16 , H01L24/81 , H01L2224/05001 , H01L2224/05085 , H01L2224/05567 , H01L2224/1134 , H01L2224/13012 , H01L2224/13023 , H01L2224/13099 , H01L2224/13144 , H01L2224/73203 , H01L2224/81192 , H01L2224/81205 , H01L2224/81801 , H01L2924/00014 , H01L2924/01006 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/0105 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/10329 , H01L2924/14 , H01L2924/1423 , H01L2924/15787 , H01L2924/00 , H01L2224/05599 , H01L2224/05099
摘要: 本发明提供一种半导体器件及其制造方法,该半导体器件包括安装衬底;以及半导体芯片,经由金属块安装在该安装衬底上,其中该金属块包括与该半导体芯片接合的内部部件和覆盖该内部部件的外部部件,该外部部件具有比该内部部件高的硬度。
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公开(公告)号:CN1438703A
公开(公告)日:2003-08-27
申请号:CN03103813.1
申请日:2003-02-12
申请人: 日立超大规模集成电路系统株式会社 , 株式会社日立制作所
IPC分类号: H01L23/525 , H01L27/04 , H01L27/11 , H01L21/60
CPC分类号: H01L27/11 , H01L23/5286 , H01L2224/05001 , H01L2224/05022 , H01L2224/05027 , H01L2224/0508 , H01L2224/05085 , H01L2224/05567 , H01L2224/05572 , H01L2224/16225 , H01L2924/13091 , H01L2924/00
摘要: 一种意在防止特性下降的半导体集成电路器件包括被布置为散布于半导体基底之上的多个限压电路,它们用于产生一个预定电压电平的内部电压电压。每个限压电路被布置为使其晶体管形成区域正好位于用于输入外部提供的电源电压的凸起电极的形成区域之下。限压电路的散布布局能够避免使电流集中于一个限压电路和缓解对限压电路和它们的外围设备的有害加热。从凸起电极至晶体管的较短布线长度能得到较小布线电阻,从而减轻布线上的电源电压降。
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