公开(公告)号：CN107121461A

公开(公告)日：2017-09-01

申请号：CN201710105978.8

申请日：2017-02-24

Applicant: 恩智浦美国有限公司

Inventor： 张青 ,  穆罕默德·马赫布卜·乔杜里 ,  古尔·泽布

IPC: G01N27/22 ,  H01L21/8238

CPC classification number: B81B7/008 ,  B81B2201/0214 ,  B81B2207/015 ,  B81B2207/07 ,  B81C1/00246 ,  B81C2201/0159 ,  B81C2201/016 ,  B81C2201/019 ,  G01N27/223 ,  G01N27/225 ,  G01N27/227 ,  H01L21/8238

Abstract: 本公开提供了由电容式湿度传感器组成的半导体装置、由密封的装置组成的封装和在半导体装置内形成电容式湿度传感器的方法，该电容式湿度传感器由潮湿敏感聚合物层组成，该潮湿敏感聚合物层电接枝到定位于CMOS衬底或组合的MEMS和CMOS衬底上的导电金属层且暴露于通过钝化层的开口内。

公开(公告)号：CN104245219B

公开(公告)日：2016-10-05

申请号：CN201380019472.5

申请日：2013-04-25

Applicant: 美艾利尔圣地亚哥公司

Inventor： 诶瑞克·麦克·欧立松 ,  简里森·阮卫尔 ,  阿玛·德阮尔·图卫尔

IPC: B29C65/08 ,  B29C65/16 ,  B29C65/72 ,  B29C65/78 ,  B29C59/16 ,  B23K26/324 ,  B23K26/244 ,  B23K26/60 ,  B81C1/00 ,  B81C3/00

CPC classification number: B29C65/7855 ,  B23K26/244 ,  B23K26/324 ,  B23K26/60 ,  B23K2103/30 ,  B29C59/16 ,  B29C65/08 ,  B29C65/1606 ,  B29C65/1609 ,  B29C65/1612 ,  B29C65/1616 ,  B29C65/1632 ,  B29C65/1635 ,  B29C65/1654 ,  B29C65/1664 ,  B29C65/1677 ,  B29C65/1683 ,  B29C65/1696 ,  B29C65/72 ,  B29C66/0246 ,  B29C66/028 ,  B29C66/1122 ,  B29C66/21 ,  B29C66/232 ,  B29C66/234 ,  B29C66/24244 ,  B29C66/30223 ,  B29C66/3452 ,  B29C66/53461 ,  B29C66/71 ,  B29C66/73361 ,  B29C66/73921 ,  B29C66/8122 ,  B29C66/81267 ,  B29C66/836 ,  B29C66/9513 ,  B29C2035/0838 ,  B29C2791/009 ,  B29K2995/0027 ,  B29L2009/00 ,  B29L2031/756 ,  B81C1/00357 ,  B81C3/001 ,  B81C2201/0143 ,  B81C2201/019 ,  Y10T156/1039 ,  Y10T156/1064 ,  B29K2025/06 ,  B29K2069/00 ,  B29K2033/12 ,  B29K2067/00 ,  B29K2071/00 ,  B29K2909/08

Abstract: 本发明涉及接合材料的方法以及用该方法制造物品的工艺。本发明涉及一种用于接合第一基板和第二基板的工艺。该工艺包括用具有第一波长和足够强度的激光束辐射第一基板的部分来增强第一基板对具有不同于第一波长的第二波长的光线。激光束可以碳化第一基板的被辐射部分的至少一个部分，从而赋予其比第一基板的未被辐射部分具有更高的吸光度。然后放置第二基板与第一基板的被辐射部分相接触。用具有第二波长不同于第一波长并具有足够强度的第二激光辐射第一基板，从而加热，最好熔化，第一基板的被辐射部分。

公开(公告)号：CN103228585B

公开(公告)日：2016-09-28

申请号：CN201180056730.8

申请日：2011-11-10

Applicant: 康宁股份有限公司

Inventor： A·M·M·葛洛特 ,  P·G·J·马克斯 ,  A·塞拉姆

IPC: C03B23/02

CPC classification number: C03B23/02 ,  B81B2201/051 ,  B81B2203/0338 ,  B81C99/0085 ,  B81C2201/019 ,  B81C2201/036

Abstract: 提供一种制造包含限定在玻璃或玻璃‑陶瓷结构中的流体通道（60）的流体模块（80）的方法。根据所述方法，提供了包含模具接合层（20）和层叠体骨架（30）的非均质的通道形成层叠体（10）。层叠体骨架（30）包含限定支持粘度μB的玻璃质体。在模塑温度TM下，通道形成模具（50）被压制与通道形成层叠体（10）的模具接合层（20）接合，以形成通道形成层叠体（10）中的流体通道组件（40）。在模塑温度TM下，模具接合层（20）的模塑粘度μM小于层叠体骨架（30）的支持粘度μB。压制的通道形成层叠体（10'）与多个互补压制通道形成层叠体（10'）叠置，以在叠置的层叠体结构（70）中限定多个流体通道（60）。在叠置的层叠体结构（70）中的多个流体通道（60）在密封温度TS下密封，该密封温度TS低于模塑温度TM并高于模具接合层（20）的软化点温度。还提供了包含叠置的层叠体结构（70）的流体模块（80）。

公开(公告)号：CN102300801B

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201080005699.0

申请日：2010-01-20

Applicant: 富士胶卷迪马蒂克斯股份有限公司

Inventor： P.A.霍伊辛顿 ,  M.A.托雷

IPC: B81C1/00 ,  B81B7/02 ,  H01L21/60 ,  B41J2/045

CPC classification number: B81C1/00904 ,  B81B2201/058 ,  B81C1/00119 ,  B81C2201/0143 ,  B81C2201/019

Abstract: 描述了一种MEMS器件，所述MEMS器件具有主体，而所述主体带有接合到该主体的部件。所述主体具有主表面和相邻于主表面且小于主表面的侧表面。所述主体由一种材料形成，所述侧表面由该材料形成，并且所述主体处于一种不同于侧表面的晶体结构。所述主体包括在侧表面的出口，并且所述部件包括与所述出口处于流通连接的孔隙。

公开(公告)号：CN102666368B

公开(公告)日：2015-06-03

申请号：CN201080051452.2

申请日：2010-09-23

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： A·特劳特曼 ,  R·赖兴巴赫

IPC: B81C3/00

CPC classification number: B81C1/00269 ,  B81C2201/019 ,  B81C2203/0118 ,  B81C2203/019 ,  B81C2203/036 ,  H01L23/10 ,  H01L24/29 ,  H01L24/30 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L25/50 ,  H01L2224/26145 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29013 ,  H01L2224/29076 ,  H01L2224/291 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29117 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/30051 ,  H01L2224/30131 ,  H01L2224/30135 ,  H01L2224/30177 ,  H01L2224/30505 ,  H01L2224/30515 ,  H01L2224/32054 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32501 ,  H01L2224/83007 ,  H01L2224/83095 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/83365 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01032 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/1631 ,  H01L2924/165 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明提供一种用于接合半导体衬底的微机械方法和相应的装置以及相应的接合的半导体芯片。该装置包括一个半导体衬底，它具有带有大量半导体芯片(1)的芯片图案，其分别具有功能区(4)和包围功能区(4)的边缘区(4a)，其中在与功能区(4)隔开的边缘区(4a)中设置有由至少两种合金组分组成的接合合金形成的接合框(2)。在边缘区(4a)的被接合框(2)所包围的部分(4a2)内部在接合框(2)和功能区(4)之间设置至少一个由合金组分中的至少一种形成的止流框(7；7a，7b；7b′；70)，它设置得为在接合时当接合合金的熔融物遇到止流框(7；7a，7b；7b′；70)时接合合金出现凝固。

公开(公告)号：CN103935953A

公开(公告)日：2014-07-23

申请号：CN201410172235.9

申请日：2014-04-25

Applicant: 上海先进半导体制造股份有限公司

Inventor： 徐元俊 ,  颜毅林 ,  薛维佳

IPC: B81B7/00 ,  B81B7/02 ,  B81C1/00 ,  B81C3/00

CPC classification number: B81B7/02 ,  B81B2201/0257 ,  B81B2203/0127 ,  B81B2203/0315 ,  B81C1/00158 ,  B81C1/00396 ,  B81C2201/0132 ,  B81C2201/0133 ,  B81C2201/019 ,  B81C2201/0198 ,  B81C2201/053

Abstract: 本发明提供一种复合腔体的形成方法，包括步骤：提供硅衬底；在其正面形成氧化层；对氧化层作图形化，形成一个或多个凹槽，凹槽的位置与待形成的小腔体的位置对应；提供键合片，将其与图形化的氧化层键合，在硅衬底与键合片之间形成一个或多个密闭的微腔结构；在键合片的上方形成保护膜，并在硅衬底的背面形成掩蔽层；对掩蔽层作图形化，掩蔽层的图形与待形成的大腔体的位置对应；以掩蔽层为掩模，从背面刻蚀硅衬底至其正面的氧化层，在硅衬底中形成大腔体；以掩蔽层和氧化层为掩模，从背面穿过硅衬底刻蚀键合片至其上方的保护膜，在键合片中形成一个或多个小腔体。本发明很好地控制了复合腔体中小腔体所在的半导体介质层的厚度均匀性。

公开(公告)号：CN102226999B

公开(公告)日：2014-04-23

申请号：CN201110121476.7

申请日：2011-05-11

Applicant: 迈尔森电子(天津)有限公司

Inventor： 柳连俊

IPC: H01L29/06 ,  H01L21/02 ,  H01L21/20

CPC classification number: H01L23/562 ,  B81C1/00182 ,  B81C1/00365 ,  B81C2201/019 ,  H01L21/30 ,  H01L21/76283 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/84 ,  H01L23/5226 ,  H01L23/528 ,  H01L23/544 ,  H01L25/50 ,  H01L2223/54426 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种衬底结构，包括：相对设置的第一衬底和第二衬底；所述第一衬底的第一表面朝向第二衬底的第二表面，所述第一表面依次设置有导体互连层和键合层；所述键合层将第一衬底及导体互连层与第二衬底连接。该衬底结构及其制作方法。可以将第二衬底作为支撑功能的衬底，第一衬底作为直接制作器件的衬底，而第一衬底为通过晶体生长形成的，不会有厚度和自身的应力的问题，避免了不必要的应力，进而提高在第一衬底中形成的器件的性能。

公开(公告)号：CN103663362A

公开(公告)日：2014-03-26

申请号：CN201310384803.7

申请日：2013-08-29

Applicant: 飞思卡尔半导体公司

Inventor： 菲利普·H·鲍尔斯 ,  佩奇·M·霍尔姆 ,  史蒂芬·R·胡珀 ,  雷蒙德·M·鲁普

IPC: B81C3/00 ,  B81B7/00 ,  B81B7/02

CPC classification number: H01L23/528 ,  B81C1/0023 ,  B81C1/00238 ,  B81C2201/019 ,  B81C2203/0792 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种传感器封装方法以及传感器封装。所述方法包括提供（82）结构（117）、提供（100）控制器元件（102、24）、以及将控制器元件粘结（116）到所述结构（117）的外表面（52、64）。所述结构包括传感器晶圆（92）和帽晶圆（94）。晶圆（92、94）的内表面（34、36）耦合在一起，其中传感器（30）插入在所述晶圆（92、94）之间。一个晶圆（92、94）包括衬底部分（40、76），其中粘结盘（42）形成于其内表面（34、36）上。另一个晶圆（92、94）隐藏了所述衬底部分（40、76）。粘结之后，方法（80）包括形成（120）导电元件（60），移除材料部分（96、98、107），形成（130）电互连（56），应用（134）封装材料（64），以及切割（138）。

公开(公告)号：CN103579156A

公开(公告)日：2014-02-12

申请号：CN201310327730.8

申请日：2013-07-31

Applicant: 罗伯特·博世有限公司

Inventor： C.谢林 ,  D.博罗夫斯基

IPC: H01L23/488 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L23/564 ,  B81B7/007 ,  B81C2201/019 ,  B81C2203/035 ,  H01L24/11 ,  H01L24/13 ,  H01L24/16 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/30 ,  H01L24/32 ,  H01L24/73 ,  H01L24/81 ,  H01L24/83 ,  H01L24/92 ,  H01L2224/0401 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/11462 ,  H01L2224/1147 ,  H01L2224/1181 ,  H01L2224/11825 ,  H01L2224/13011 ,  H01L2224/13022 ,  H01L2224/13124 ,  H01L2224/13144 ,  H01L2224/13147 ,  H01L2224/13155 ,  H01L2224/13644 ,  H01L2224/13647 ,  H01L2224/13664 ,  H01L2224/13669 ,  H01L2224/27462 ,  H01L2224/2747 ,  H01L2224/2781 ,  H01L2224/27825 ,  H01L2224/29011 ,  H01L2224/29022 ,  H01L2224/29035 ,  H01L2224/29124 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/29166 ,  H01L2224/29181 ,  H01L2224/29186 ,  H01L2224/29562 ,  H01L2224/2957 ,  H01L2224/29644 ,  H01L2224/29647 ,  H01L2224/29664 ,  H01L2224/29669 ,  H01L2224/32227 ,  H01L2224/73103 ,  H01L2224/73203 ,  H01L2224/81193 ,  H01L2224/81203 ,  H01L2224/8183 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83203 ,  H01L2224/8383 ,  H01L2224/9211 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/1461 ,  H05K1/111 ,  H05K3/4007 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/04941 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/01015 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2224/81 ,  H01L2224/83 ,  H01L2924/00 ,  H01L2224/81205

Abstract: 本发明涉及一种用于将一载体材料（106）与另一载体材料进行热压键合（504）的键合垫（100），其中，所述键合垫（100）具有一基层（102）和一盖层（104）。由金属制成的基层（102）是可变形的并且与所述载体材料（106）连接，其中，所述金属是镍基的。所述盖层（104）是金属的并且直接与所述基层（102）连接。所述盖层（104）至少布置在所述基层（102）的背离所述载体材料（106）的侧面上。所述盖层（104）具有相对于所述基层（102）的一更小的层厚度，其中，所述盖层（104）特别是比所述基层（102）更加抗氧化。

公开(公告)号：CN103325740A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201310095231.0

申请日：2013-03-22

Applicant: 精材科技股份有限公司

Inventor： 颜裕林 ,  林锡坚 ,  何彦仕

IPC: H01L23/13 ,  H01L21/58

CPC classification number: H01L23/562 ,  B81C1/00269 ,  B81C1/00357 ,  B81C3/001 ,  B81C2201/019 ,  H01L21/50 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 一种晶圆堆栈结构及方法，该晶圆堆栈结构包括：基板、设于该基板上且其表面具有凸部的坝块、以及设于该坝块上且具有凹处的晶圆。通过该坝块表面上的凸部嵌卡至该晶圆的凹处，能避免该晶圆的凹处与该坝块之间产生气室，所以在晶圆堆栈结构进行后续封装制程时，该晶圆不致因气室存在而与坝块分离。