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公开(公告)号：CN103663362B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310384803.7
申请日：2013-08-29
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
CPC classification number: H01L23/528 , B81C1/0023 , B81C1/00238 , B81C2201/019 , B81C2203/0792 , H01L2224/48091 , H01L2924/1461 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种传感器封装方法以及传感器封装。所述方法包括提供（82）结构（117）、提供（100）控制器元件（102、24）、以及将控制器元件粘结（116）到所述结构（117）的外表面（52、64）。所述结构包括传感器晶圆（92）和帽晶圆（94）。晶圆（92、94）的内表面（34、36）耦合在一起，其中传感器（30）插入在所述晶圆（92、94）之间。一个晶圆（92、94）包括衬底部分（40、76），其中粘结盘（42）形成于其内表面（34、36）上。另一个晶圆（92、94）隐藏了所述衬底部分（40、76）。粘结之后，方法（80）包括形成（120）导电元件（60），移除材料部分（96、98、107），形成（130）电互连（56），应用（134）封装材料（64），以及切割（138）。
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公开(公告)号：CN106154185A
公开(公告)日：2016-11-23
申请号：CN201610308169.2
申请日：2016-05-11
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
IPC: G01R33/02
Abstract: 一种传感器封装包括磁场传感器以及损坏检测和复位子系统。磁场传感器具有磁性感测元件和由基线磁性状态表征的铁磁性结构。子系统包括检测器元件、处理器和接近铁磁性结构定位的载流结构。由子系统实行的方法需要在检测器元件处检测铁磁性结构的变更的磁性状态，其中变更的磁性状态与基线磁性状态不同。方法另外需要在处理器处响应于变更的磁性状态确定何时需要复位动作，并且将复位磁场施加到铁磁性结构，以使铁磁性结构从变更的磁性状态复位为基线磁性状态。
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公开(公告)号：CN103663362A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310384803.7
申请日：2013-08-29
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
CPC classification number: H01L23/528 , B81C1/0023 , B81C1/00238 , B81C2201/019 , B81C2203/0792 , H01L2224/48091 , H01L2924/1461 , H01L2924/00014 , H01L2924/00
Abstract: 一种传感器封装方法以及传感器封装。所述方法包括提供（82）结构（117）、提供（100）控制器元件（102、24）、以及将控制器元件粘结（116）到所述结构（117）的外表面（52、64）。所述结构包括传感器晶圆（92）和帽晶圆（94）。晶圆（92、94）的内表面（34、36）耦合在一起，其中传感器（30）插入在所述晶圆（92、94）之间。一个晶圆（92、94）包括衬底部分（40、76），其中粘结盘（42）形成于其内表面（34、36）上。另一个晶圆（92、94）隐藏了所述衬底部分（40、76）。粘结之后，方法（80）包括形成（120）导电元件（60），移除材料部分（96、98、107），形成（130）电互连（56），应用（134）封装材料（64），以及切割（138）。
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公开(公告)号：CN103512586A
公开(公告)日：2014-01-15
申请号：CN201310235087.6
申请日：2013-06-14
Applicant: 飞思卡尔半导体公司
Inventor： 凯文·R·富盖特 , 爱德华·W·卡斯滕斯 , 佩奇·M·霍尔姆 , 迪安·W·米勒
IPC: G01D3/028
CPC classification number: G01R33/0035 , G01R33/0047 , G01R33/0082 , G01R33/098
Abstract: 本发明涉及感测器件及相关操作方法。装置、系统、以及方法被提供给感测器件。一种示例性感测器件（102）包括感测布置，该感测布置在衬底上以感测第一属性；加热布置（114）；以及控制系统（116），该控制系统（116）耦合到第一感测布置和加热布置（114），以激活加热布置（114）加热第一感测布置，以及在从第一感测布置获得第一属性的一个或多个测量值时停用加热布置。
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