公开(公告)号：CN105329850A

公开(公告)日：2016-02-17

申请号：CN201510686666.1

申请日：2015-10-21

申请人： 美新半导体(无锡)有限公司

发明人： 赵阳 ,  文彪 ,  蒋乐跃 ,  刘海东 ,  程安儒 ,  李斌

IPC分类号： B81C99/00

CPC分类号： B81C1/00896 ,  B81C1/00904 ,  B81C99/004 ,  G01R1/0466 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L22/14 ,  H01L22/20 ,  H01L22/32 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/544 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/54453 ,  B81C99/0045

摘要： 本发明提供一种圆片级芯片尺寸封装的测试方法，其包括：将一张圆片级芯片尺寸封装的圆片划片切割为多个圆片条带，每个圆片条带包括有多个未划片的芯片尺寸封装器件；将每个圆片条带放置于对应的条带载具上；利用测试设备对放置于所述条带载具上的圆片条带中的各个芯片尺寸封装器件进行测试；和将测试完成后的圆片条带划片分割成单个的芯片尺寸封装器件。由于不是将众多分割后的芯片一个一个装入插座，而是将有限的几个圆片条带放入条带载具，这样流程阻塞得以避免。

公开(公告)号：CN105329850B

公开(公告)日：2017-03-08

申请号：CN201510686666.1

申请日：2015-10-21

申请人： 美新半导体(无锡)有限公司

发明人： 赵阳 ,  文彪 ,  蒋乐跃 ,  刘海东 ,  程安儒 ,  李斌

IPC分类号： B81C99/00

CPC分类号： B81C1/00896 ,  B81C1/00904 ,  B81C99/004 ,  G01R1/0466 ,  H01L21/6835 ,  H01L21/6836 ,  H01L21/78 ,  H01L22/14 ,  H01L22/20 ,  H01L22/32 ,  H01L23/3114 ,  H01L23/544 ,  H01L2221/68327 ,  H01L2223/54433 ,  H01L2223/54453

摘要： 本发明提供一种圆片级芯片尺寸封装的测试方法，其包括：将一张圆片级芯片尺寸封装的圆片划片切割为多个圆片条带，每个圆片条带包括有多个未划片的芯片尺寸封装器件；将每个圆片条带放置于对应的条带载具上；利用测试设备对放置于所述条带载具上的圆片条带中的各个芯片尺寸封装器件进行测试；和将测试完成后的圆片条带划片分割成单个的芯片尺寸封装器件。由于不是将众多分割后的芯片一个一个装入插座，而是将有限的几个圆片条带放入条带载具，这样流程阻塞得以避免。

公开(公告)号：CN102300801B

公开(公告)日：2016-02-03

申请号：CN201080005699.0

申请日：2010-01-20

申请人： 富士胶卷迪马蒂克斯股份有限公司

发明人： P.A.霍伊辛顿 ,  M.A.托雷

IPC分类号： B81C1/00 ,  B81B7/02 ,  H01L21/60 ,  B41J2/045

CPC分类号： B81C1/00904 ,  B81B2201/058 ,  B81C1/00119 ,  B81C2201/0143 ,  B81C2201/019

摘要： 描述了一种MEMS器件，所述MEMS器件具有主体，而所述主体带有接合到该主体的部件。所述主体具有主表面和相邻于主表面且小于主表面的侧表面。所述主体由一种材料形成，所述侧表面由该材料形成，并且所述主体处于一种不同于侧表面的晶体结构。所述主体包括在侧表面的出口，并且所述部件包括与所述出口处于流通连接的孔隙。

公开(公告)号：CN105229511A

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201380055371.3

申请日：2013-10-22

申请人： 苹果公司

发明人： R·埃尔里奇 ,  Y·格尔森 ,  A·斯庞特

IPC分类号： G02B26/08 ,  B81C1/00 ,  B81C3/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/58 ,  H01L21/68

CPC分类号： G02B26/0833 ,  B81B2201/042 ,  B81B2203/0109 ,  B81C1/00484 ,  B81C1/00904 ,  G02B26/085 ,  G02B26/101 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/0001

摘要： 本发明公开了一种用于由半导体材料的晶片(170)加工器件(206)的方法，该方法包括通过使用湿法蚀刻工艺从晶片的至少第一侧移除半导体材料来在器件的区域中局部减薄晶片至预定义的厚度，并且在器件的区域中蚀穿所减薄的晶片以便释放器件的运动部件(202)。还描述了用于进行加工的其他方法和系统。

公开(公告)号：CN1659684A

公开(公告)日：2005-08-24

申请号：CN03813553.1

申请日：2003-06-11

申请人： 反射公司

发明人： S·潘特尔 ,  A·赫伊伯斯 ,  P·理查兹 ,  H·史 ,  S·蒋 ,  R·小迪博 ,  T·格罗贝尔尼 ,  D·德林格尔 ,  A·孙 ,  H·N·陈

IPC分类号： H01L21/00 ,  H01L21/30 ,  H01L21/46 ,  H01L23/02 ,  G02B26/00

CPC分类号： B81B7/0077 ,  B81B2201/042 ,  B81C1/00269 ,  B81C1/00904 ,  B81C2203/0118 ,  B82Y30/00 ,  G02B26/0833 ,  G02B26/0841 ,  H01L24/97 ,  H01L2924/01005 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01018 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/0102 ,  H01L2924/01023 ,  H01L2924/01027 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01039 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/01054 ,  H01L2924/01072 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01076 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/04953 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/12042 ,  H01L2924/12044 ,  H01L2924/1461 ,  H01L2924/19041 ,  H01L2924/19042 ,  H01L2924/3025 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明公开了投影系统、空间光调制器和形成MEMS器件的方法。该空间光调制器可以具有结合在一起的两个衬底，其中一个衬底包括一个微镜阵列。在这两个晶片上或其中之一上沉积了吸气剂材料和/或固体或液体润滑剂后，这两个衬底可以在晶片级上结合。如果需要，这两个晶片可以结合在一起，并且两个衬底之间的压力可以小于大气压。

公开(公告)号：CN105229511B

公开(公告)日：2018-07-20

申请号：CN201380055371.3

申请日：2013-10-22

申请人： 苹果公司

发明人： R·埃尔里奇 ,  Y·格尔森 ,  A·斯庞特

IPC分类号： G02B26/08 ,  B81C1/00 ,  B81C3/00 ,  H01L21/02 ,  H01L21/58 ,  H01L21/68

CPC分类号： G02B26/0833 ,  B81B2201/042 ,  B81B2203/0109 ,  B81C1/00484 ,  B81C1/00904 ,  G02B26/085 ,  G02B26/101 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/0001

摘要： 本发明公开了一种用于由半导体材料的晶片(170)加工器件(206)的方法，该方法包括通过使用湿法蚀刻工艺从晶片的至少第一侧移除半导体材料来在器件的区域中局部减薄晶片至预定义的厚度，并且在器件的区域中蚀穿所减薄的晶片以便释放器件的运动部件(202)。还描述了用于进行加工的其他方法和系统。

公开(公告)号：CN104458101A

公开(公告)日：2015-03-25

申请号：CN201410474951.2

申请日：2014-09-17

申请人： 飞思卡尔半导体公司

发明人： 罗文耀 ,  冯志成 ,  刘德明

IPC分类号： G01L9/00

CPC分类号： G01L19/0618 ,  B81B7/0061 ,  B81B2201/0264 ,  B81C1/00269 ,  B81C1/00825 ,  B81C1/00904 ,  H01L2224/32145 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48145 ,  H01L2224/48465 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/16151 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

摘要： 本发明涉及侧通气压力传感器装置。半导体传感器装置具有被安装到衬底的压力感测管芯和至少另一个管芯，以及互连了所述压力感测管芯和所述至少另一个管芯的电互连。所述压力感测管芯的有源区域被一种压敏凝胶材料覆盖，并且具有腔的盖子被安装到所述压力感测管芯，以便所述压力感测管芯被放置在所述腔内。所述盖子具有将所述压力感测管芯的覆盖凝胶的有源区域暴露在所述传感器装置之外的周围大气压的侧通气孔。位于所述衬底的上表面上的模填料封装了所述至少另一个管芯和所述盖子的至少一部分。

公开(公告)号：CN102300801A

公开(公告)日：2011-12-28

申请号：CN201080005699.0

申请日：2010-01-20

申请人： 富士胶卷迪马蒂克斯股份有限公司

发明人： P.A.霍伊辛顿 ,  M.A.托雷

IPC分类号： B81C1/00 ,  B81B7/02 ,  H01L21/60 ,  B41J2/045

CPC分类号： B81C1/00904 ,  B81B2201/058 ,  B81C1/00119 ,  B81C2201/0143 ,  B81C2201/019

摘要： 描述了一种MEMS器件，所述MEMS器件具有主体，而所述主体带有接合到该主体的部件。所述主体具有主表面和相邻于主表面且小于主表面的侧表面。所述主体由一种材料形成，所述侧表面由该材料形成，并且所述主体处于一种不同于侧表面的晶体结构。所述主体包括在侧表面的出口，并且所述部件包括与所述出口处于流通连接的孔隙。

公开(公告)号：CN101426718A

公开(公告)日：2009-05-06

申请号：CN200780013818.5

申请日：2007-02-23

申请人： 沃福森微电子股份有限公司

发明人： R·I·拉明 ,  A·特雷纳

IPC分类号： B81C1/00

CPC分类号： B81C1/00158 ,  B81B3/0027 ,  B81B2201/0257 ,  B81C1/00246 ,  B81C1/00904 ,  B81C2201/056 ,  G01L9/0073 ,  H04R3/005 ,  H04R19/005 ,  H04R19/04

摘要： 一种在衬底上制造微机电系统(MEMS)装置的方法，包括步骤：处理衬底(10)以便制作电子电路(11)；沉积可操作地与所述电子电路(11)耦合的第一电极(15)；沉积薄膜(16)，使其机械耦合至所述第一电极(15)；施加牺牲层(50)；沉积结构层(18)以及可操作地与所述电子电路(11)耦合的第二电极(17)，使得所述牺牲层(50)安置在所述薄膜(16)和所述结构层(18)之间从而形成初步结构；单元化所述衬底(10)；以及去除所述牺牲层(50)从而形成MEMS结构，其中单元化所述衬底(10)的步骤在去除所述牺牲层(50)的步骤之前进行。