公开(公告)号：CN103229283A

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201080070366.6

申请日：2010-11-26

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 中村哲一 ,  尾崎史朗 ,  武田正行 ,  宫岛豊生 ,  多木俊裕 ,  金村雅仁 ,  今西健治 ,  吉川俊英 ,  渡部庆二

IPC: H01L21/338 ,  H01L21/316 ,  H01L21/318 ,  H01L29/778 ,  H01L29/78 ,  H01L29/812

CPC classification number: H01L21/28264 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/2003 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/78 ,  H01L2924/0002 ,  H01L2924/00

Abstract: 提供一种半导体装置，其特征在于，具有：第一半导体层，形成在基板上，第二半导体层，形成在上述第一半导体层上，源电极以及漏电极，以与上述第一半导体层或者上述第二半导体层接触的方式形成，开口部，形成在上述第一半导体层上，绝缘膜，形成在上述第二半导体层的上方以及上述开口部的内部表面，栅电极，隔着上述绝缘膜形成在上述开口部内，保护膜，形成在上述绝缘膜上；上述保护膜包括将碳作为主要成分的非结晶膜。

公开(公告)号：CN102637587A

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：CN201210032005.3

申请日：2012-02-13

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 中村哲一 ,  山田敦史 ,  武田正行 ,  渡部庆二 ,  今西健治

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L29/66462 ,  C11D11/0041 ,  C23C16/4405

Abstract: 一种用于半导体制造设备的清洗设备包括：氧化物移除装置，其移除粘附于半导体制造设备的构件的沉积物的表面上的氧化物；以及沉积物移除装置，其在通过氧化物移除装置移除表面上的氧化物之后移除沉积物。

公开(公告)号：CN102646609B

公开(公告)日：2014-12-03

申请号：CN201210031859.X

申请日：2012-02-13

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 清水浩三 ,  冈本圭史郎 ,  今泉延弘 ,  今田忠纮 ,  渡部庆二

IPC: H01L21/60 ,  H01L21/335 ,  H01L23/488 ,  H01L29/778 ,  H02M7/217 ,  H02M3/155

CPC classification number: H01L23/48 ,  H01L23/3128 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/04026 ,  H01L2224/05005 ,  H01L2224/05082 ,  H01L2224/05155 ,  H01L2224/05166 ,  H01L2224/05169 ,  H01L2224/05541 ,  H01L2224/05573 ,  H01L2224/05644 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/26175 ,  H01L2224/2745 ,  H01L2224/2746 ,  H01L2224/29019 ,  H01L2224/29036 ,  H01L2224/29109 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29113 ,  H01L2224/2912 ,  H01L2224/29139 ,  H01L2224/29144 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/29155 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/2929 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29499 ,  H01L2224/32225 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/325 ,  H01L2224/32502 ,  H01L2224/32506 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48245 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48644 ,  H01L2224/48744 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83193 ,  H01L2224/83194 ,  H01L2224/83801 ,  H01L2224/83851 ,  H01L2924/00013 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01322 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/15311 ,  H01L2924/181 ,  H01L2224/83439 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2224/13099 ,  H01L2224/13599 ,  H01L2224/05599 ,  H01L2224/05099 ,  H01L2224/29099 ,  H01L2224/29599 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体器件、半导体器件的制造方法、以及电源器件。一种制造半导体器件的方法，包括：在支撑板的半导体芯片安装区域和半导体芯片的背表面中的一个上形成具有第一金属的层和具有第二金属的层中的一个；在半导体芯片安装区域和半导体芯片的背表面中的另一个的与其中具有第一金属的层和具有第二金属的层中的一个的区域的一部分对应的区域上，形成具有第一金属的层和具有第二金属的层中的另一个；以及在半导体芯片安装区域中定位半导体芯片之后，形成包括具有第一金属和第二金属的合金的层以将半导体芯片与半导体芯片安装区域接合。

公开(公告)号：CN102646610B

公开(公告)日：2014-11-12

申请号：CN201210031949.9

申请日：2012-02-13

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 今泉延弘 ,  冈本圭史郎 ,  渡部庆二

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/495 ,  H01L23/29 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/49513 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49562 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/29076 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/0134 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/15738 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15763 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/3512

Abstract: 本发明提供一种半导体器件、用于制造半导体器件的方法以及电源装置，所述用于制造半导体器件的方法包括：将包含具有至少一个具有金属的外表面的纤维状材料的片置于基板的半导体芯片安装区域上；在所述半导体芯片安装区域上形成包含易熔金属的接合层；将半导体芯片置于所述半导体芯片安装区域上；以及通过加热利用所述包含易熔金属的接合层将所述半导体芯片接合到所述半导体芯片安装区域。

公开(公告)号：CN102646704A

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN201210033132.5

申请日：2012-02-14

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 中村哲一 ,  尾崎史朗 ,  武田正行 ,  渡部庆二

IPC: H01L29/778 ,  H01L29/51 ,  H01L23/29 ,  H01L21/335

CPC classification number: H01L29/2003 ,  H01J37/32357 ,  H01L21/28264 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3171 ,  H01L29/41766 ,  H01L29/4236 ,  H01L29/42364 ,  H01L29/51 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66462 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/7786 ,  H01L29/7787 ,  H01L29/78 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明提供一种半导体器件、电源装置、放大器以及制造半导体器件的方法，所述半导体器件包括：形成在衬底上方的半导体层；形成在半导体层上的绝缘膜；和形成在绝缘膜上的电极。绝缘膜在半导体层一侧的膜应力低于在电极一侧的膜应力。

公开(公告)号：CN102646650A

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN201210033879.0

申请日：2012-02-15

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 冈本圭史郎 ,  今田忠纮 ,  今泉延弘 ,  渡部庆二

IPC: H01L23/373 ,  H01L23/31 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L24/32 ,  H01L23/3121 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49568 ,  H01L24/06 ,  H01L24/27 ,  H01L24/29 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L2224/04042 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/29083 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29211 ,  H01L2224/29239 ,  H01L2224/29244 ,  H01L2224/29247 ,  H01L2224/29255 ,  H01L2224/29264 ,  H01L2224/29269 ,  H01L2224/29311 ,  H01L2224/29339 ,  H01L2224/29344 ,  H01L2224/29347 ,  H01L2224/29355 ,  H01L2224/29364 ,  H01L2224/29369 ,  H01L2224/29565 ,  H01L2224/2969 ,  H01L2224/3201 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48227 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83051 ,  H01L2224/83192 ,  H01L2224/838 ,  H01L2224/83815 ,  H01L2224/8384 ,  H01L2224/83986 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01012 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01014 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/0103 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01042 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01051 ,  H01L2924/01073 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/1033 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/01083 ,  H01L2924/3512

Abstract: 一种半导体器件包括：支持基材、以及利用粘合材料与支持基材接合的半导体元件，所述粘合材料包括：与支持基材和半导体元件接触的多孔金属材料、以及填充于多孔金属材料的至少一部分孔中的钎料。

公开(公告)号：CN102637587B

公开(公告)日：2015-12-16

申请号：CN201210032005.3

申请日：2012-02-13

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 中村哲一 ,  山田敦史 ,  武田正行 ,  渡部庆二 ,  今西健治

IPC: H01L21/3065

CPC classification number: H01L29/66462 ,  C11D11/0041 ,  C23C16/4405

Abstract: 一种用于半导体制造设备的清洗设备包括：氧化物移除装置，其移除粘附于半导体制造设备的构件的沉积物的表面上的氧化物；以及沉积物移除装置，其在通过氧化物移除装置移除表面上的氧化物之后移除沉积物。

公开(公告)号：CN102646610A

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN201210031949.9

申请日：2012-02-13

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 今泉延弘 ,  冈本圭史郎 ,  渡部庆二

IPC: H01L21/60 ,  H01L23/495 ,  H01L23/29 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/49513 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/49562 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L2224/05553 ,  H01L2224/05554 ,  H01L2224/0603 ,  H01L2224/29 ,  H01L2224/29076 ,  H01L2224/29101 ,  H01L2224/29111 ,  H01L2224/29147 ,  H01L2224/2919 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48257 ,  H01L2224/48472 ,  H01L2224/4903 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/49175 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83101 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01024 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01033 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/01049 ,  H01L2924/0105 ,  H01L2924/01078 ,  H01L2924/01079 ,  H01L2924/01082 ,  H01L2924/0132 ,  H01L2924/0133 ,  H01L2924/0134 ,  H01L2924/014 ,  H01L2924/0665 ,  H01L2924/10329 ,  H01L2924/13064 ,  H01L2924/15738 ,  H01L2924/15747 ,  H01L2924/15763 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00 ,  H01L2924/01022 ,  H01L2924/01028 ,  H01L2924/01046 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/3512

Abstract: 本发明提供一种半导体器件、用于制造半导体器件的方法以及电源装置，所述用于制造半导体器件的方法包括：将包含具有至少一个具有金属的外表面的纤维状材料的片置于基板的半导体芯片安装区域上；在所述半导体芯片安装区域上形成包含易熔金属的接合层；将半导体芯片置于所述半导体芯片安装区域上；以及通过加热利用所述包含易熔金属的接合层将所述半导体芯片接合到所述半导体芯片安装区域。

公开(公告)号：CN102637650A

公开(公告)日：2012-08-15

申请号：CN201210026467.4

申请日：2012-02-07

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 冈本圭史郎 ,  今田忠纮 ,  今泉延弘 ,  渡部庆二

IPC: H01L23/29 ,  H01L23/31 ,  H01L29/778 ,  H01L21/56 ,  H01L21/335 ,  H02M7/217 ,  H02M3/155

Abstract: 本发明涉及一种半导体装置、一种用于制造半导体装置的方法以及一种电源。本发明的半导体装置包括：半导体芯片，包括氮化物半导体分层结构，该氮化物半导体分层结构包括载流子输运层和载流子供给层；半导体芯片上的第一树脂层，该第一树脂层包括偶联剂；第一树脂层上的第二树脂层，该第二树脂层包括表面活性剂；以及密封树脂层，用于利用第一树脂层和第二树脂层对半导体芯片进行密封。

公开(公告)号：CN101121908B

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：CN200610109737.2

申请日：2006-08-09

Applicant: 富士通株式会社

Inventor： 千叶洋 ,  佐佐匡昭 ,  押久保由纪子 ,  渡部庆二 ,  山川荣进 ,  东海林武

IPC: C10M107/38 ,  G11B5/725 ,  G11B5/255

CPC classification number: G11B5/725 ,  C10M107/38 ,  C10M147/04 ,  C10M2213/04 ,  C10N2220/021 ,  C10N2230/56 ,  C10N2240/204 ,  C10N2250/141 ,  G11B5/255 ,  Y10T428/1164 ,  Y10T428/1179

Abstract: 本发明提供了一种润滑剂，在磁记录装置中，其被作磁记录介质的润滑剂层和/或滑动头的润滑剂层时，使润滑剂层的厚度很薄。即使是高分子量，也可以获得足够薄的单分子层膜厚度。在不降低飞行稳定性的情况下，在广的温度范围内提高了可靠性。该润滑剂包括含氟聚合物，润滑剂有如下关系：Y