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公开(公告)号：CN112271229B
公开(公告)日：2023-03-28
申请号：CN202011024275.0
申请日：2020-09-25
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L31/105 , H01L29/868 , H01L31/02 , H01L31/0224
Abstract: 本发明公开一种硅基背照PIN器件结构，包括基片，基片正面边缘注入有P+离子层，基片正面沉积有外延层，外延层表面设有氧化层；外延层设有与P+离子层相对应的P阱；外延层还设有N+保护环，P+隔离区以及N‑光敏区；氧化层上形成四象限分布的四个N‑光敏区，氧化层还设有实现器件结构自连与互连的Al引线；所述基片背面设有抗反射膜，抗反射膜外表面设有对背面光敏区进行四象限隔离的Al金属层；该PIN器件结构组件体积至少减小三分之二，实现PIN光电探测器P+与N+处于横向互连，基于背照PIN结构，完成了PIN结构光电探测器系统集成一体化，同时满足光电性能要求。
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公开(公告)号：CN112271135A
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN202011026812.5
申请日：2020-09-25
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L21/3213 , H01L29/66 , H01L29/864
Abstract: 本发明公开一种晶圆级Au金属膜层湿法腐蚀图形化的方法，包括以下步骤：S1、清洗硅片，去除硅片表面污垢；S2、在硅片表面磁控溅射Au金属膜层；S3、采用光刻工艺，在Au金属膜层表面制备IMPATT二极管管芯电极图形；S4、配置腐蚀溶液，腐蚀溶液由体积比1:1:1的Na2S2O3溶液、CH4N2S溶液与K3Fe(CN)6溶液混合构成；Na2S2O3溶液、CH4N2S溶液以及K3Fe(CN)6溶液的浓度均为10％；通过腐蚀溶液按照湿法腐蚀工艺对Au金属膜层进行图形化腐蚀；S5、采用有机溶剂去除光刻胶，得到IMPATT二极管管芯电极；该方法提高了晶圆级Au膜层图形化腐蚀工艺后的线条控制精度，且实施成本较低,减小环境污染。
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公开(公告)号：CN110690142A
公开(公告)日：2020-01-14
申请号：CN201910816121.6
申请日：2019-08-30
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L21/67 , H01L21/306
Abstract: 本发明提供一种芯片减薄保护方法及其装置，它包括芯片减薄保护装置，在芯片减薄保护装置内放置腐蚀液，而后将需要减薄的芯片浸入腐蚀液中进行减薄。本发明具有芯片减薄步骤简单，操作方便、芯片减薄时对芯片保护效果好等优点。
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公开(公告)号：CN116313759A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211515673.1
申请日：2022-11-30
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L21/28 , H01L21/8232 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/808
Abstract: 本发明公开一种低频低噪声运算放大器制备方法，包括在硅晶的基片表面生长一层氧化层，和利用光刻技术，离子注入、推阱热扩散方式在基片内形成P‑阱区域的步骤，以及N+源漏制备、N‑沟道制备、P+栅区制备、BPSG保护膜层制备、金属制备和钝化层制备下步骤。本发明通过网格线状的JFET栅结构，以增大器件栅结构面积，提高JFET跨导，同时JFET的并联结构，可以有效降低栅极漏电流，减小输入噪声电压；通过制造出N+接触区，可降低源端与金属间的欧姆接触电阻，有效的减少热电阻噪声，有效的降低器件噪声电压。
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公开(公告)号：CN112271160A
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN202011026810.6
申请日：2020-09-25
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L21/763 , H01L21/762
Abstract: 本发明公开一种低应力多晶硅半介质隔离槽的制备方法，包括以下步骤：取P型硅晶圆片作为基片，清洗基片，去除基片表面污垢；在基片顶面生长氧化层；在氧化层顶面生长氮化硅薄膜，氮化硅薄膜与氧化层共同作为介质层；通过光刻工艺在介质层制备隔离槽图形，腐蚀隔离槽图形区域的介质层；对隔离槽图形区域的基片进行刻蚀，形成隔离槽；在隔离槽的底面与侧壁生长二氧化硅氧化层；在隔离槽内进行多晶硅填充，并进行退火处理，去除多晶硅内部应力；通过CMP工艺，抛光去除氮化硅薄膜表面的多晶硅；采用湿法腐蚀去除介质层，得到所述低应力多晶硅半介质隔离槽；该方法突了SOI全介质隔离槽工艺复杂性，易实现隔离功能，且成本低，易于推广应用。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114242882B
公开(公告)日：2024-03-29
申请号：CN202111479933.X
申请日：2021-12-07
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明提供一种红外探测器芯片的制备方法，它包括以下步骤：第一SOI硅片（1）和第二SOI硅片（3）键合，第二SOI硅片（3）的减薄，第一电阻条（4)、第二电阻条（5）和保护层（14）的制备，金属引线（13）和第二金属引线（12）的制备以及腔（11）的制备。本发明得到的红外探测器芯片，热电偶采用高塞贝克系数的双单晶硅复合结构，在保证芯片响应灵敏度的同时大幅度降低了芯片面积和红外吸收支撑层面积，提高了红外吸收支撑层的刚度，从而使芯片的整体可靠性提高。
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公开(公告)号：CN112271135B
公开(公告)日：2023-02-28
申请号：CN202011026812.5
申请日：2020-09-25
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L21/3213 , H01L29/66 , H01L29/864
Abstract: 本发明公开一种晶圆级Au金属膜层湿法腐蚀图形化的方法，包括以下步骤：S1、清洗硅片，去除硅片表面污垢；S2、在硅片表面磁控溅射Au金属膜层；S3、采用光刻工艺，在Au金属膜层表面制备IMPATT二极管管芯电极图形；S4、配置腐蚀溶液，腐蚀溶液由体积比1:1:1的Na2S2O3溶液、CH4N2S溶液与K3Fe(CN)6溶液混合构成；Na2S2O3溶液、CH4N2S溶液以及K3Fe(CN)6溶液的浓度均为10％；通过腐蚀溶液按照湿法腐蚀工艺对Au金属膜层进行图形化腐蚀；S5、采用有机溶剂去除光刻胶，得到IMPATT二极管管芯电极；该方法提高了晶圆级Au膜层图形化腐蚀工艺后的线条控制精度，且实施成本较低,减小环境污染。
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公开(公告)号：CN110562910A
公开(公告)日：2019-12-13
申请号：CN201910793427.4
申请日：2019-08-27
Applicant: 华东光电集成器件研究所
Abstract: 本发明公开一种MEMS圆片级真空封装方法，包括以下步骤：S1、制作衬底层：在双抛硅片上制作出填充好绝缘介质的环形槽，形成硅垂直引线，并刻蚀出深腔作为MEMS可动结构的活动空间；S2、制作结构层；S3、制作盖帽层：在双抛硅片正面制作出真空腔室和真空缓冲腔室，然后制作Ti/Au金硅键合键合环，最后在真空腔室和真空缓冲腔室中制备吸气剂层；S4、真空封装：将制备好的盖帽和结构层进行金硅键合工艺，完成MEMS圆片级真空封装，最后制备金焊点用于引线键合；通过真空腔室与真空缓冲腔室提高MEMS器件的真空度，并吸气剂吸除多余的气体，使真空度能够长期保持。
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公开(公告)号：CN105514135A
公开(公告)日：2016-04-20
申请号：CN201610026413.6
申请日：2016-01-16
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L27/146
CPC classification number: H01L27/14685 , H01L27/14683
Abstract: 本发明公开一种背照式图像传感器的制造方法，包括以下步骤：a)对图像传感器芯片的正面做平坦化处理；b)通过键合材料使图像传感器芯片正面与支撑基板顶面相键合；c)对图像传感器芯片的背面进行减薄处理，去除图像传感器芯片的背面衬底；d)减薄后的图像传感器芯片背面制作P型注入层；e)在制作完P型注入层的图像传感器芯片背面生长抗反射膜层；f)在抗反射膜层上制备反光膜层；g)释放图像传感器芯片上的光感应元件；h)释放图像传感器芯片上的焊盘，得到最终的背照式图像传感器；本发明工艺简单易于实现，可适用于批量生产，采用单步深槽刻蚀工艺释放芯片焊盘，使得后序封装中的引线键合工艺实现简单，节省了封装成本。
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公开(公告)号：CN112271187B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202011026600.7
申请日：2020-09-25
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L27/146 , H01L27/148
Abstract: 本发明涉及一种背照式EMCCD背面结构及其制作方法，高阻外延硅层（8）背面设有P+层（13），并蒸镀一层增透膜（14）；在P+层（13）上制有硼离子注入的P+电极接触区（15b），EMCCD背面设有金属化电极（16），金属化电极与P+电极接触区接触；增透膜、P+层、高阻外延硅层的两侧，露出EMCCD正面金属引线电极（6）。本发明制作的金属化电极与P+电极接触区形成金属化欧姆接触电极，在EMCCD存储区、水平移位寄存器及倍增寄存器背面引入低阻通道，解决了背照式EMCCD低阻衬底去除后，毫米级面阵MOS单元在正面多晶硅栅电极时钟脉冲驱动下电荷转移效率降低的问题，从而提高器件探测灵敏度，同时工艺易于实现，兼容性高。
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