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公开(公告)号：CN112271160A
公开(公告)日：2021-01-26
申请号：CN202011026810.6
申请日：2020-09-25
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L21/763 , H01L21/762
Abstract: 本发明公开一种低应力多晶硅半介质隔离槽的制备方法，包括以下步骤：取P型硅晶圆片作为基片，清洗基片，去除基片表面污垢；在基片顶面生长氧化层；在氧化层顶面生长氮化硅薄膜，氮化硅薄膜与氧化层共同作为介质层；通过光刻工艺在介质层制备隔离槽图形，腐蚀隔离槽图形区域的介质层；对隔离槽图形区域的基片进行刻蚀，形成隔离槽；在隔离槽的底面与侧壁生长二氧化硅氧化层；在隔离槽内进行多晶硅填充，并进行退火处理，去除多晶硅内部应力；通过CMP工艺，抛光去除氮化硅薄膜表面的多晶硅；采用湿法腐蚀去除介质层，得到所述低应力多晶硅半介质隔离槽；该方法突了SOI全介质隔离槽工艺复杂性，易实现隔离功能，且成本低，易于推广应用。
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