公开(公告)号：CN118969712A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202410989737.4

申请日：2024-07-23

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 朱纪洋 ,  丁继洪 ,  赵建强 ,  朱小燕 ,  刘中梦雪 ,  陈洁

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明涉及一种基于键合工艺的互补双极器件制备方法，属于微机械电子领域。该方法通过在SOI硅片顶层硅上进行注入和退火工艺形成N型和P型埋层，再把顶层硅一面与另一氧化后的硅片键合到一起，通过解键合去除原SOI硅片的衬底硅，这样在剩下的硅片就形成了带有埋层的SOI硅片，结合半导体制造技术和MEMS制造技术在没有使用外延工艺情况下就完成互补双极晶体管双埋层的制备；本方法整体上简化了工艺流程，提高制备效率。

公开(公告)号：CN105226625A

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201510664514.1

申请日：2015-10-14

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 赵建强 ,  陈洁 ,  陈计学 ,  张海峰 ,  李苏苏 ,  高博

IPC: H02H9/04

Abstract: 本发明公开一种双路双向ESD保护电路，设于被保护集成电路的输入端，包括第一二极管、第二二极管、第三二极管与第四二极管，第一二极管与第二二极管的负极对接，第三二极管与第四二极管的负极对接，第一二极管的正极连接被保护集成电路的供电电源，第四二极管的正极接地；所述第二二极管与第三二极管的正极相连，第二二极管与第三二极管的连接端分别与外部信号的输入端以及被保护集成电路的输入端相连；每个二极管的反向击穿电压均小于被保护集成电路的击穿电压；采用二极管负极对接电路，根据外部信号的电压大小导通或截止，每一路保护电路均可提供正负双向ESD保护，无需另外引入电阻、电容等器件，可靠性高，并且结构简单、易于实现。

公开(公告)号：CN118969713A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202410989738.9

申请日：2024-07-23

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 丁继洪 ,  朱纪洋 ,  赵建强 ,  刘中梦雪 ,  朱小燕 ,  陈洁

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明涉及一种基于键合工艺的互补双极器件结构，属于微机械电子领域。它包括衬底和位于衬底上的基层；基层表面设有介质层，基层中设有隔离结构，隔离结构将基层分为第一区域和第二区域；第一区域中设有N型埋层、P型基区、与N型埋层相连的N型集电区连接区以及位于P型基区中的N型发射区；第二区域中设有P型埋层、P阱、位于P阱中且与P型埋层相连的P型集电区连接区以及位于P阱中的N型基区、位于N型基区中的P型发射区；基层中还设有分别与器件的集电区、基区和发射区连接且外露于介质层的电极；基层为通过解键合工艺分离SOI硅片的衬底层后的结构。本发明使本器件结构和制作工艺更简单，提高了器件制备效率，降低了器件制造成本。

公开(公告)号：CN112271187B

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202011026600.7

申请日：2020-09-25

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 赵建强 ,  张伟 ,  丁继洪 ,  陈洁 ,  刘中梦雪 ,  刘庆飞 ,  陈计学

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/148

Abstract: 本发明涉及一种背照式EMCCD背面结构及其制作方法，高阻外延硅层（8）背面设有P+层（13），并蒸镀一层增透膜（14）；在P+层（13）上制有硼离子注入的P+电极接触区（15b），EMCCD背面设有金属化电极（16），金属化电极与P+电极接触区接触；增透膜、P+层、高阻外延硅层的两侧，露出EMCCD正面金属引线电极（6）。本发明制作的金属化电极与P+电极接触区形成金属化欧姆接触电极，在EMCCD存储区、水平移位寄存器及倍增寄存器背面引入低阻通道，解决了背照式EMCCD低阻衬底去除后，毫米级面阵MOS单元在正面多晶硅栅电极时钟脉冲驱动下电荷转移效率降低的问题，从而提高器件探测灵敏度，同时工艺易于实现，兼容性高。

公开(公告)号：CN112271187A

公开(公告)日：2021-01-26

申请号：CN202011026600.7

申请日：2020-09-25

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 赵建强 ,  张伟 ,  丁继洪 ,  陈洁 ,  刘中梦雪 ,  刘庆飞 ,  陈计学

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/148

Abstract: 本发明涉及一种背照式EMCCD背面结构及其制作方法，高阻外延硅层（8）背面设有P+层（13），并蒸镀一层增透膜（14）；在P+层（13）上制有硼离子注入的P+电极接触区（15b），EMCCD背面设有金属化电极（16），金属化电极与P+电极接触区接触；增透膜、P+层、高阻外延硅层的两侧，露出EMCCD正面金属引线电极（6）。本发明制作的金属化电极与P+电极接触区形成金属化欧姆接触电极，在EMCCD存储区、水平移位寄存器及倍增寄存器背面引入低阻通道，解决了背照式EMCCD低阻衬底去除后，毫米级面阵MOS单元在正面多晶硅栅电极时钟脉冲驱动下电荷转移效率降低的问题，从而提高器件探测灵敏度，同时工艺易于实现，兼容性高。