公开(公告)号：CN102111105A

公开(公告)日：2011-06-29

申请号：CN200910251520.9

申请日：2009-12-25

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 陈远金 ,  汪健 ,  鞠莉娜 ,  余向阳 ,  王少轩 ,  刘庆飞

IPC: H02P29/00

Abstract: 本发明涉及一种由集成电路构成的基于H桥驱动器的电机控制器，包括智能数据接口电路、信号检测电路、片选译码电路、控制逻辑电路以及3路电机控制通道，通过对写入接口电路的数据进行分析和计算，得到电机控制脉宽的周期、死区、正负脉冲的长度等信息，并结合可编程分频电路给出的分频因子产生脉冲宽度调制电路所需的输入信息，脉冲宽度调制状态机电路根据信息输出预定要求的数字信号给H桥驱动器。与外设单片机(或控制器)相比，本发明能显著减轻的运算时间和硬件成本，且内置的高分辨率的计数器能够提供非常平滑和灵敏的电机驱动信号，结合智能数据接口电路使得其能适应不同的外设数据宽度，可编程分频电路能提供更为宽广的调制信号周期和宽度。

公开(公告)号：CN112271187B

公开(公告)日：2023-10-27

申请号：CN202011026600.7

申请日：2020-09-25

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 赵建强 ,  张伟 ,  丁继洪 ,  陈洁 ,  刘中梦雪 ,  刘庆飞 ,  陈计学

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/148

Abstract: 本发明涉及一种背照式EMCCD背面结构及其制作方法，高阻外延硅层（8）背面设有P+层（13），并蒸镀一层增透膜（14）；在P+层（13）上制有硼离子注入的P+电极接触区（15b），EMCCD背面设有金属化电极（16），金属化电极与P+电极接触区接触；增透膜、P+层、高阻外延硅层的两侧，露出EMCCD正面金属引线电极（6）。本发明制作的金属化电极与P+电极接触区形成金属化欧姆接触电极，在EMCCD存储区、水平移位寄存器及倍增寄存器背面引入低阻通道，解决了背照式EMCCD低阻衬底去除后，毫米级面阵MOS单元在正面多晶硅栅电极时钟脉冲驱动下电荷转移效率降低的问题，从而提高器件探测灵敏度，同时工艺易于实现，兼容性高。

公开(公告)号：CN112271187A

公开(公告)日：2021-01-26

申请号：CN202011026600.7

申请日：2020-09-25

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 赵建强 ,  张伟 ,  丁继洪 ,  陈洁 ,  刘中梦雪 ,  刘庆飞 ,  陈计学

IPC: H01L27/146 ,  H01L27/148

Abstract: 本发明涉及一种背照式EMCCD背面结构及其制作方法，高阻外延硅层（8）背面设有P+层（13），并蒸镀一层增透膜（14）；在P+层（13）上制有硼离子注入的P+电极接触区（15b），EMCCD背面设有金属化电极（16），金属化电极与P+电极接触区接触；增透膜、P+层、高阻外延硅层的两侧，露出EMCCD正面金属引线电极（6）。本发明制作的金属化电极与P+电极接触区形成金属化欧姆接触电极，在EMCCD存储区、水平移位寄存器及倍增寄存器背面引入低阻通道，解决了背照式EMCCD低阻衬底去除后，毫米级面阵MOS单元在正面多晶硅栅电极时钟脉冲驱动下电荷转移效率降低的问题，从而提高器件探测灵敏度，同时工艺易于实现，兼容性高。