公开(公告)号：CN117727618A

公开(公告)日：2024-03-19

申请号：CN202311560686.5

申请日：2023-11-22

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 张海峰 ,  王博 ,  丁继洪 ,  朱纪洋

IPC: H01L21/265 ,  H01L21/8234

Abstract: 本发明公开一种开环运算放大器制备方法，包括以下步骤：在基片表面生长氧化层，利用光刻技术，离子注入、推阱热扩散方式在基片内形成P‑阱区域；通过离子注入、热扩散方式在P‑阱区域内形成多个N+源漏区域；通过离子注入、热扩散方式在P‑阱区域内形成N‑沟道区域；通过离子注入、热扩散方式在N‑沟道区域和P阱区内形成P+栅区；利用CVD化学气相淀积工艺，在氧化层表面形成保护膜层；测试动态电阻并修正至目标值；利用金属溅射、光刻、刻蚀工艺，将器件N+接触区互并联形成形成铝引线及压点。本方法通过调整沟道注入剂量、深度以及栅区剂量及深度，在满足器件功耗的情况下，降低器件的导通动态电阻，进而实现电路工作点稳定以及放大系数可控。

公开(公告)号：CN119545813A

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202411486801.3

申请日：2024-10-23

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 朱小燕 ,  赵建强 ,  徐鹏 ,  朱纪洋 ,  刘中梦雪 ,  温煌秀

IPC: H10D1/47 ,  H10D10/01 ,  H10D10/40

Abstract: 本发明涉及一种与多晶硅发射极工艺兼容的低温度系数多晶硅电阻制备方法，1、外延片（4）上向外延基区注入硼离子，淀积多晶硅薄膜；2、多晶硅薄膜上淀积介质层（9），向多晶硅薄膜注入砷杂质形成多晶硅发射区（11）；3、注入磷杂质和硼杂质形成多晶硅电阻（13）和多晶硅电阻（14），4、光刻多晶硅层形成多晶硅发射极（12）、多晶硅电阻（13）、多晶硅电阻（14）；5、淀积PSG介质层（15），刻蚀出对应的接触孔淀积金属，刻蚀形成金属引线（16）。本发明实现了多晶硅发射极NPN晶体管与N型多晶硅电阻、P型低温度系数的多晶硅电阻工艺集成，P型多晶硅电阻在‑55℃~+125℃温度范围内，电阻率温度系数为3.18 ppm/℃。

公开(公告)号：CN118969713A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202410989738.9

申请日：2024-07-23

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 丁继洪 ,  朱纪洋 ,  赵建强 ,  刘中梦雪 ,  朱小燕 ,  陈洁

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明涉及一种基于键合工艺的互补双极器件结构，属于微机械电子领域。它包括衬底和位于衬底上的基层；基层表面设有介质层，基层中设有隔离结构，隔离结构将基层分为第一区域和第二区域；第一区域中设有N型埋层、P型基区、与N型埋层相连的N型集电区连接区以及位于P型基区中的N型发射区；第二区域中设有P型埋层、P阱、位于P阱中且与P型埋层相连的P型集电区连接区以及位于P阱中的N型基区、位于N型基区中的P型发射区；基层中还设有分别与器件的集电区、基区和发射区连接且外露于介质层的电极；基层为通过解键合工艺分离SOI硅片的衬底层后的结构。本发明使本器件结构和制作工艺更简单，提高了器件制备效率，降低了器件制造成本。

公开(公告)号：CN118969712A

公开(公告)日：2024-11-15

申请号：CN202410989737.4

申请日：2024-07-23

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 朱纪洋 ,  丁继洪 ,  赵建强 ,  朱小燕 ,  刘中梦雪 ,  陈洁

IPC: H01L21/762 ,  H01L21/84 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明涉及一种基于键合工艺的互补双极器件制备方法，属于微机械电子领域。该方法通过在SOI硅片顶层硅上进行注入和退火工艺形成N型和P型埋层，再把顶层硅一面与另一氧化后的硅片键合到一起，通过解键合去除原SOI硅片的衬底硅，这样在剩下的硅片就形成了带有埋层的SOI硅片，结合半导体制造技术和MEMS制造技术在没有使用外延工艺情况下就完成互补双极晶体管双埋层的制备；本方法整体上简化了工艺流程，提高制备效率。

公开(公告)号：CN118943205A

公开(公告)日：2024-11-12

申请号：CN202410989736.X

申请日：2024-07-23

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 高博 ,  张海峰 ,  朱小燕 ,  刘垚 ,  朱纪洋 ,  刘中梦雪

IPC: H01L29/861 ,  H01L29/06 ,  H01L27/08

Abstract: 本发明涉及一种抗浪涌二极管器件结构，属于半导体技术领域。它包括由下到上依次设置的衬底、外延层和介质层，所述外延层中设有两个纵向PN结二极管，每个纵向PN结二极管均包括在外延层中由上到下依次相连二极管一区和二极管二区，每个二极管一区上端分别与外露出介质层的第一金属电极连通、每个二极管二区下端分别与位于衬底中的埋层相连接；在每个二极管一、二区周侧还设有连接区，连接区将内外侧体硅隔离且连接区与对应的二极管一、二区不接触，每个连接区上端共同与外露出介质层的第二金属电极相连接、下端分别与埋层相连接，在每个对应的连接区和埋层的外周侧设有隔离区。本发明具有击穿电压稳定、抗浪涌能力强、击穿后导通电阻低的特点。