公开(公告)号：CN119545813A

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202411486801.3

申请日：2024-10-23

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 朱小燕 ,  赵建强 ,  徐鹏 ,  朱纪洋 ,  刘中梦雪 ,  温煌秀

IPC: H10D1/47 ,  H10D10/01 ,  H10D10/40

Abstract: 本发明涉及一种与多晶硅发射极工艺兼容的低温度系数多晶硅电阻制备方法，1、外延片（4）上向外延基区注入硼离子，淀积多晶硅薄膜；2、多晶硅薄膜上淀积介质层（9），向多晶硅薄膜注入砷杂质形成多晶硅发射区（11）；3、注入磷杂质和硼杂质形成多晶硅电阻（13）和多晶硅电阻（14），4、光刻多晶硅层形成多晶硅发射极（12）、多晶硅电阻（13）、多晶硅电阻（14）；5、淀积PSG介质层（15），刻蚀出对应的接触孔淀积金属，刻蚀形成金属引线（16）。本发明实现了多晶硅发射极NPN晶体管与N型多晶硅电阻、P型低温度系数的多晶硅电阻工艺集成，P型多晶硅电阻在‑55℃~+125℃温度范围内，电阻率温度系数为3.18 ppm/℃。

公开(公告)号：CN119545814A

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202411486802.8

申请日：2024-10-23

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 朱小燕 ,  张海峰 ,  徐鹏 ,  高博 ,  王博 ,  王玉乐

IPC: H10D1/47

Abstract: 本发明涉及一种U型电阻率温度特性的多晶硅电阻制作方法，1、在硅衬底（1）的氧化硅层上，采用LPCVD工艺淀积多晶硅薄膜（3），2、在多晶硅薄膜（3）上淀积TEOS介质层（4），进行RTA快速热退火；采用炉管工艺高温退火对多晶硅再结晶；3、光刻注入注入硼杂质形成P型多晶硅电阻（3‑1）；4、光刻刻蚀P型多晶硅电阻图形（3‑1）；5、在氧化硅层及P型多晶硅电阻上淀积介质层（7）。本发明制备的多晶硅电阻，在‑55℃~+125℃温度范围内，电阻率随温度的变化呈现U型特性，转折温度约为室温25℃，从‑55℃到+125℃温度范围的电阻率温度系数为3.18 ppm/℃，接近于0ppm/℃。