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发明公开
一种U型电阻率温度特性的多晶硅电阻制作方法审中-实审

公开(公告)号：CN119545814A

公开(公告)日：2025-02-28

申请号：CN202411486802.8

申请日：2024-10-23

Applicant: 华东光电集成器件研究所

Inventor： 朱小燕 , 张海峰 , 徐鹏 , 高博 , 王博 , 王玉乐

IPC: H10D1/47

Abstract: 本发明涉及一种U型电阻率温度特性的多晶硅电阻制作方法，1、在硅衬底（1）的氧化硅层上，采用LPCVD工艺淀积多晶硅薄膜（3），2、在多晶硅薄膜（3）上淀积TEOS介质层（4），进行RTA快速热退火；采用炉管工艺高温退火对多晶硅再结晶；3、光刻注入注入硼杂质形成P型多晶硅电阻（3‑1）；4、光刻刻蚀P型多晶硅电阻图形（3‑1）；5、在氧化硅层及P型多晶硅电阻上淀积介质层（7）。本发明制备的多晶硅电阻，在‑55℃~+125℃温度范围内，电阻率随温度的变化呈现U型特性，转折温度约为室温25℃，从‑55℃到+125℃温度范围的电阻率温度系数为3.18 ppm/℃，接近于0ppm/℃。

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