-
公开(公告)号：CN116313759A
公开(公告)日：2023-06-23
申请号：CN202211515673.1
申请日：2022-11-30
Applicant: 华东光电集成器件研究所
IPC: H01L21/28 , H01L21/8232 , H01L29/06 , H01L29/423 , H01L29/808
Abstract: 本发明公开一种低频低噪声运算放大器制备方法，包括在硅晶的基片表面生长一层氧化层，和利用光刻技术，离子注入、推阱热扩散方式在基片内形成P‑阱区域的步骤，以及N+源漏制备、N‑沟道制备、P+栅区制备、BPSG保护膜层制备、金属制备和钝化层制备下步骤。本发明通过网格线状的JFET栅结构，以增大器件栅结构面积，提高JFET跨导，同时JFET的并联结构，可以有效降低栅极漏电流，减小输入噪声电压；通过制造出N+接触区，可降低源端与金属间的欧姆接触电阻，有效的减少热电阻噪声，有效的降低器件噪声电压。
Search Results
1
records
(took 0.027 seconds)
筛选
AND
AND
过滤
NOT
NOT
Scan to Join
