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公开(公告)号：CN102142401B
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201010587340.0
申请日：2010-12-01
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
CPC分类号： H01L23/481 , H01L21/56 , H01L21/6835 , H01L23/3107 , H01L23/5389 , H01L24/24 , H01L24/82 , H01L25/0655 , H01L25/18 , H01L2221/68372 , H01L2221/68377 , H01L2224/0557 , H01L2224/24137 , H01L2224/2518 , H01L2224/32245 , H01L2224/73267 , H01L2224/76155 , H01L2224/82102 , H01L2924/00014 , H01L2924/0002 , H01L2924/01005 , H01L2924/01006 , H01L2924/01013 , H01L2924/01019 , H01L2924/01023 , H01L2924/01024 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01046 , H01L2924/01047 , H01L2924/01068 , H01L2924/01072 , H01L2924/01075 , H01L2924/01078 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/10253 , H01L2924/10271 , H01L2924/10272 , H01L2924/10329 , H01L2924/12042 , H01L2924/12044 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13062 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/15192 , H01L2924/15787 , H01L2924/19041 , H01L2924/19105 , H05K1/05 , H05K1/185 , H05K1/188 , H05K3/4644 , H05K2201/09745 , H05K2201/09972 , H05K2203/0353 , H05K2203/1469 , H01L2924/00 , H01L2224/05552
摘要： 本发明涉及层压电子器件。公开了一种制造层压电子器件的方法。一个实施例提供了载体，该载体限定了第一主表面和与第一主表面相对的第二主表面。该载体具有形成在第一主表面中的凹陷图案。第一半导体芯片被附接到第一和第二主表面中的一个上。形成有第一绝缘层，该第一绝缘层覆盖载体的其上附接第一半导体芯片的主表面以及第一半导体芯片。然后，将载体沿凹陷图案分成多个部分。
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公开(公告)号：CN102738130B
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201110417200.3
申请日：2011-12-14
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
CPC分类号： H01L24/19 , H01L23/3107 , H01L23/49517 , H01L23/49524 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/20 , H01L2224/04105 , H01L2224/06181 , H01L2224/19 , H01L2224/2105 , H01L2224/215 , H01L2224/221 , H01L2224/24145 , H01L2224/24245 , H01L2224/24246 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/32245 , H01L2224/73217 , H01L2224/73267 , H01L2224/83801 , H01L2224/92244 , H01L2924/00011 , H01L2924/01005 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01068 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/15747 , H01L2924/1815 , H01L2924/00014 , H01L2224/83851 , H01L2224/29075 , H01L2924/00
摘要： 管芯装置和形成管芯装置的方法。管芯装置包括：具有第一面和与第一面相对的第二面的载体，该载体包括从载体的第一面延伸到载体的第二面的开口；第一管芯,布置在载体的第一面之上且电学接触载体；第二管芯，布置在载体的第二面之上且电学接触载体；以及电学接触结构，通过载体中的开口延伸且电学接触第二管芯。
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公开(公告)号：CN103367271A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310101924.6
申请日：2013-03-27
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L23/31 , H01L23/488 , H01L21/48 , H01L21/60 , H01L21/56
CPC分类号： H01L23/3114 , H01L21/561 , H01L23/291 , H01L23/3107 , H01L23/3135 , H01L23/3185 , H01L23/49513 , H01L23/49524 , H01L23/49541 , H01L23/49575 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/45 , H01L24/48 , H01L24/49 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/97 , H01L2224/32245 , H01L2224/45124 , H01L2224/45144 , H01L2224/45147 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48247 , H01L2224/48464 , H01L2224/49171 , H01L2224/73265 , H01L2224/83191 , H01L2224/85203 , H01L2224/85207 , H01L2224/92247 , H01L2224/97 , H01L2924/01047 , H01L2924/07802 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/00012 , H01L2924/00
摘要： 本发明涉及半导体封装及其形成方法。在一个实施例中，一种形成半导体封装的方法包括提供在顶表面上但是未在相反底表面上具有接触区域的第一管芯。在第一管芯的底表面之下沉积电介质衬垫层。用沉积的电介质衬垫层将第一管芯附着到衬底的管芯焊盘。
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公开(公告)号：CN105679745B
公开(公告)日：2018-07-10
申请号：CN201510878201.6
申请日：2015-12-04
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
CPC分类号： H01L27/0255 , H01C7/04 , H01L29/7803 , H01L29/7805 , H01L29/7808 , H01L29/7813 , H01L45/00
摘要： 本发明涉及具有晶体管单元和热电阻元件的半导体器件。半导体器件（500）包含被电耦合到晶体管单元（TC）的源极区（110）的第一负载端子（L1）。栅极端子（G）被电耦合到栅极电极（155），所述栅极电极（155）被电容地耦合到晶体管单元（TC）的本体区（115）。源极和本体区（110、115）被形成在半导体部分（100）中。热电阻元件（400）被热连接到半导体部分（100）并且被电耦合在栅极端子（G）与第一负载端子（L1）之间。在为半导体器件规定的最大操作温度（TJMax）之上，热电阻元件（400）的电阻在至多50开氏温度的临界温度跨度之内降低至少两个数量级。
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公开(公告)号：CN105679745A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201510878201.6
申请日：2015-12-04
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
CPC分类号： H01L27/0255 , H01C7/04 , H01L29/7803 , H01L29/7805 , H01L29/7808 , H01L29/7813 , H01L45/00 , H01L23/58 , H01L23/62
摘要： 本发明涉及具有晶体管单元和热电阻元件的半导体器件。半导体器件（500）包含被电耦合到晶体管单元（TC）的源极区（110）的第一负载端子（L1）。栅极端子（G）被电耦合到栅极电极（155），所述栅极电极（155）被电容地耦合到晶体管单元（TC）的本体区（115）。源极和本体区（110、115）被形成在半导体部分（100）中。热电阻元件（400）被热连接到半导体部分（100）并且被电耦合在栅极端子（G）与第一负载端子（L1）之间。在为半导体器件规定的最大操作温度（TJMax）之上，热电阻元件（400）的电阻在至多50开氏温度的临界温度跨度之内降低至少两个数量级。
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公开(公告)号：CN102738130A
公开(公告)日：2012-10-17
申请号：CN201110417200.3
申请日：2011-12-14
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
CPC分类号： H01L24/19 , H01L23/3107 , H01L23/49517 , H01L23/49524 , H01L23/49562 , H01L23/49575 , H01L24/20 , H01L2224/04105 , H01L2224/06181 , H01L2224/19 , H01L2224/2105 , H01L2224/215 , H01L2224/221 , H01L2224/24145 , H01L2224/24245 , H01L2224/24246 , H01L2224/2929 , H01L2224/293 , H01L2224/32245 , H01L2224/73217 , H01L2224/73267 , H01L2224/83801 , H01L2224/92244 , H01L2924/00011 , H01L2924/01005 , H01L2924/01013 , H01L2924/01029 , H01L2924/01033 , H01L2924/01047 , H01L2924/01068 , H01L2924/01079 , H01L2924/01082 , H01L2924/014 , H01L2924/14 , H01L2924/15747 , H01L2924/1815 , H01L2924/00014 , H01L2224/83851 , H01L2224/29075 , H01L2924/00
摘要： 管芯装置和形成管芯装置的方法。管芯装置包括：具有第一面和与第一面相对的第二面的载体，该载体包括从载体的第一面延伸到载体的第二面的开口；第一管芯,布置在载体的第一面之上且电学接触载体；第二管芯，布置在载体的第二面之上且电学接触载体；以及电学接触结构，通过载体中的开口延伸且电学接触第二管芯。
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公开(公告)号：CN103367338B
公开(公告)日：2017-01-18
申请号：CN201310101194.X
申请日：2013-03-27
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
CPC分类号： H01L23/49575 , H01L23/295 , H01L23/3107 , H01L23/49513 , H01L23/49524 , H01L23/49562 , H01L23/49579 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/37 , H01L24/40 , H01L24/73 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L2224/05611 , H01L2224/05618 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/0566 , H01L2224/05664 , H01L2224/06181 , H01L2224/291 , H01L2224/2919 , H01L2224/32245 , H01L2224/37111 , H01L2224/37118 , H01L2224/37124 , H01L2224/37139 , H01L2224/37144 , H01L2224/37147 , H01L2224/37155 , H01L2224/3716 , H01L2224/37164 , H01L2224/40137 , H01L2224/40247 , H01L2224/73263 , H01L2224/83801 , H01L2224/8382 , H01L2224/8385 , H01L2224/83851 , H01L2224/84801 , H01L2224/8485 , H01L2224/92246 , H01L2924/014 , H01L2924/07802 , H01L2924/10272 , H01L2924/1033 , H01L2924/12032 , H01L2924/1301 , H01L2924/13034 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/1431 , H01L2924/1433 , H01L2924/1434 , H01L2924/181 , H01L2924/00014 , H01L2924/0665 , H01L2924/00 , H01L2924/00012
摘要： 本发明涉及芯片装置和形成其的方法、芯片封装和形成其的方法。提供了一种芯片装置，该芯片装置包括：第一芯片载体；第二芯片载体；第一芯片，其电连接到第一芯片载体；第二芯片，其布置在第一芯片载体上方并且与第一芯片载体电绝缘；以及第三芯片，其电连接到第二芯片载体；其中第一芯片和第二芯片至少其一电连接到第三芯片。
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公开(公告)号：CN103137569B
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201210477399.3
申请日：2012-11-22
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L23/14 , H01L21/48 , H01L21/58 , H01L23/495
CPC分类号： H01L23/49503 , H01L23/13 , H01L23/492 , H01L23/49513 , H01L23/49575 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L25/072 , H01L25/50 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/32257 , H01L2224/83192 , H01L2924/07802 , H01L2924/0781 , H01L2924/10253 , H01L2924/10272 , H01L2924/1033 , H01L2924/12032 , H01L2924/12042 , H01L2924/1301 , H01L2924/13034 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/15738 , H01L2924/15747 , H01L2924/1576 , H01L2924/00 , H01L2924/01028 , H01L2924/014 , H01L2924/00014
摘要： 本发明涉及芯片载体、形成芯片载体的方法和形成芯片封装的方法。各个实施例提供了一种芯片载体，包括：芯片载体表面，被配置为从第一芯片底侧承载第一芯片，其中，所述第一芯片的第一芯片顶侧被配置在所述芯片载体表面上方；以及至少一个空腔，从所述芯片载体表面延伸至所述芯片载体中；其中，所述至少一个空腔被配置为从第二芯片底侧承载第二芯片，其中，所述第二芯片的第二芯片顶侧与所述第一芯片顶侧基本上齐平。所述第二芯片通过空腔内部的电绝缘材料与所述芯片载体电绝缘。
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公开(公告)号：CN103137569A
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201210477399.3
申请日：2012-11-22
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L23/14 , H01L21/48 , H01L21/58 , H01L23/495
CPC分类号： H01L23/49503 , H01L23/13 , H01L23/492 , H01L23/49513 , H01L23/49575 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/83 , H01L25/072 , H01L25/50 , H01L2224/29101 , H01L2224/2919 , H01L2224/2929 , H01L2224/32257 , H01L2224/83192 , H01L2924/07802 , H01L2924/0781 , H01L2924/10253 , H01L2924/10272 , H01L2924/1033 , H01L2924/12032 , H01L2924/12042 , H01L2924/1301 , H01L2924/13034 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13091 , H01L2924/15738 , H01L2924/15747 , H01L2924/1576 , H01L2924/00 , H01L2924/01028 , H01L2924/014 , H01L2924/00014
摘要： 本发明涉及芯片载体、形成芯片载体的方法和形成芯片封装的方法。各个实施例提供了一种芯片载体，包括：芯片载体表面，被配置为从第一芯片底侧承载第一芯片，其中，所述第一芯片的第一芯片顶侧被配置在所述芯片载体表面上方；以及至少一个空腔，从所述芯片载体表面延伸至所述芯片载体中；其中，所述至少一个空腔被配置为从第二芯片底侧承载第二芯片，其中，所述第二芯片的第二芯片顶侧与所述第一芯片顶侧基本上齐平。所述第二芯片通过空腔内部的电绝缘材料与所述芯片载体电绝缘。
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公开(公告)号：CN102623425B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201210018556.4
申请日：2012-01-20
申请人： 英飞凌科技股份有限公司
IPC分类号： H01L23/488 , H01L21/60
CPC分类号： H01L25/074 , H01L21/56 , H01L23/49517 , H01L23/49575 , H01L24/05 , H01L24/06 , H01L24/24 , H01L24/29 , H01L24/32 , H01L24/48 , H01L24/73 , H01L24/82 , H01L24/83 , H01L24/92 , H01L25/16 , H01L2224/04026 , H01L2224/04042 , H01L2224/05571 , H01L2224/05624 , H01L2224/05639 , H01L2224/05644 , H01L2224/05647 , H01L2224/05655 , H01L2224/05664 , H01L2224/05666 , H01L2224/05671 , H01L2224/06181 , H01L2224/24137 , H01L2224/24246 , H01L2224/24247 , H01L2224/29111 , H01L2224/29139 , H01L2224/29144 , H01L2224/29147 , H01L2224/2929 , H01L2224/29339 , H01L2224/29344 , H01L2224/29347 , H01L2224/29355 , H01L2224/32145 , H01L2224/32225 , H01L2224/32245 , H01L2224/48091 , H01L2224/48137 , H01L2224/48145 , H01L2224/48227 , H01L2224/48247 , H01L2224/73265 , H01L2224/73267 , H01L2224/8203 , H01L2224/83191 , H01L2224/83192 , H01L2224/83193 , H01L2224/83439 , H01L2224/83447 , H01L2224/83455 , H01L2224/8346 , H01L2224/83801 , H01L2224/83815 , H01L2224/8382 , H01L2224/8384 , H01L2224/92244 , H01L2224/92247 , H01L2924/00014 , H01L2924/01029 , H01L2924/1305 , H01L2924/13055 , H01L2924/1306 , H01L2924/13062 , H01L2924/13091 , H01L2924/14 , H01L2924/1461 , H01L2924/1532 , H01L2924/181 , H01L2924/30107 , H01L2924/3512 , H01L2924/00 , H01L2924/00012 , H01L2924/01023 , H01L2924/01028 , H01L2924/01015 , H01L2924/0105 , H01L2924/01049 , H01L2924/01014 , H01L2924/01082 , H01L2924/01047 , H01L2924/01051 , H01L2224/05552 , H01L2224/45099 , H01L2224/45015 , H01L2924/207
摘要： 本发明涉及包括两个半导体芯片的器件及其制造。一种器件包括：第一半导体芯片，在第一面上具有第一接触垫；以及第二半导体芯片，在第一面上具有第一接触垫。所述第二半导体芯片被放置在所述第一半导体芯片之上，其中，所述第一半导体芯片的第一面面向所述第二半导体芯片的第一面。唯一导电材料层被布置在所述第一半导体芯片与所述第二半导体芯片之间。唯一导电材料层将所述第一半导体芯片的第一接触垫电耦合至所述第二半导体芯片的第一接触垫。
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