公开(公告)号：CN102543870B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201110408395.5

申请日：2011-12-09

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： H.格鲁贝尔 ,  F.希尔勒 ,  A.莫德 ,  A.迈泽 ,  H.罗特莱特纳

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/768 ,  H01L27/06 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L29/407 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/823481 ,  H01L23/481 ,  H01L24/16 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/401 ,  H01L29/402 ,  H01L29/408 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7804 ,  H01L29/7808 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/12035 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00

Abstract: 用于制造具有绝缘半导体台面的半导体组件的方法。用于制造半导体组件的方法包括：提供具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的半导体本体；蚀刻从第一表面部分地进入到半导体本体的绝缘沟槽；在绝缘沟槽的一个或更多侧壁上形成第一绝缘层；通过研磨、抛光和CMP工艺其中至少一个处理第二表面以露出第一绝缘层；以及在处理的第二表面上沉积延伸到第一绝缘层的第二绝缘层。

公开(公告)号：CN102543870A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201110408395.5

申请日：2011-12-09

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： H.格鲁贝尔 ,  F.希尔勒 ,  A.莫德 ,  A.迈泽 ,  H.罗特莱特纳

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/768 ,  H01L27/06 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L29/407 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/823481 ,  H01L23/481 ,  H01L24/16 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/401 ,  H01L29/402 ,  H01L29/408 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7804 ,  H01L29/7808 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/12035 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00

Abstract: 用于制造具有绝缘半导体台面的半导体组件的方法。用于制造半导体组件的方法包括：提供具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的半导体本体；蚀刻从第一表面部分地进入到半导体本体的绝缘沟槽；在绝缘沟槽的一个或更多侧壁上形成第一绝缘层；通过研磨、抛光和CMP工艺其中至少一个处理第二表面以露出第一绝缘层；以及在处理的第二表面上沉积延伸到第一绝缘层的第二绝缘层。

公开(公告)号：CN104517811B

公开(公告)日：2018-01-19

申请号：CN201410523353.X

申请日：2014-10-08

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： T.格罗斯 ,  H.格鲁贝尔 ,  W.伊尔巴赫尔 ,  H-J.舒尔策 ,  M.冯博尔克 ,  M.聪德尔

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L28/20 ,  G01K7/186 ,  H01L21/266 ,  H01L27/0802

Abstract: 用于生产多晶硅电阻器的方法。用于生产多晶硅电阻器装置的方法可包括：形成多晶硅层；将第一掺杂剂原子注入到所述多晶硅层的至少一部分中，其中第一掺杂剂原子包括深能级施主；将第二掺杂剂原子注入到所述多晶硅层的所述至少一部分中；以及使所述多晶硅层的所述至少一部分退火。

公开(公告)号：CN104517811A

公开(公告)日：2015-04-15

申请号：CN201410523353.X

申请日：2014-10-08

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： T.格罗斯 ,  H.格鲁贝尔 ,  W.伊尔巴赫尔 ,  H-J.舒尔策 ,  M.冯博尔克 ,  M.聪德尔

IPC: H01L21/02

CPC classification number: H01L28/20 ,  G01K7/186 ,  H01L21/266 ,  H01L27/0802

Abstract: 用于生产多晶硅电阻器的方法。用于生产多晶硅电阻器装置的方法可包括：形成多晶硅层；将第一掺杂剂原子注入到所述多晶硅层的至少一部分中，其中第一掺杂剂原子包括深能级施主；将第二掺杂剂原子注入到所述多晶硅层的所述至少一部分中；以及使所述多晶硅层的所述至少一部分退火。

公开(公告)号：CN103367271A

公开(公告)日：2013-10-23

申请号：CN201310101924.6

申请日：2013-03-27

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： T.菲舍尔 ,  H.格鲁贝尔 ,  U.赫克勒 ,  J.马勒 ,  A.普吕克尔 ,  M.施密特

IPC: H01L23/31 ,  H01L23/488 ,  H01L21/48 ,  H01L21/60 ,  H01L21/56

CPC classification number: H01L23/3114 ,  H01L21/561 ,  H01L23/291 ,  H01L23/3107 ,  H01L23/3135 ,  H01L23/3185 ,  H01L23/49513 ,  H01L23/49524 ,  H01L23/49541 ,  H01L23/49575 ,  H01L24/29 ,  H01L24/32 ,  H01L24/45 ,  H01L24/48 ,  H01L24/49 ,  H01L24/73 ,  H01L24/83 ,  H01L24/97 ,  H01L2224/32245 ,  H01L2224/45124 ,  H01L2224/45144 ,  H01L2224/45147 ,  H01L2224/48091 ,  H01L2224/48137 ,  H01L2224/48247 ,  H01L2224/48464 ,  H01L2224/49171 ,  H01L2224/73265 ,  H01L2224/83191 ,  H01L2224/85203 ,  H01L2224/85207 ,  H01L2224/92247 ,  H01L2224/97 ,  H01L2924/01047 ,  H01L2924/07802 ,  H01L2924/181 ,  H01L2924/00014 ,  H01L2924/00012 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及半导体封装及其形成方法。在一个实施例中，一种形成半导体封装的方法包括提供在顶表面上但是未在相反底表面上具有接触区域的第一管芯。在第一管芯的底表面之下沉积电介质衬垫层。用沉积的电介质衬垫层将第一管芯附着到衬底的管芯焊盘。