公开(公告)号：CN102543870B

公开(公告)日：2016-01-20

申请号：CN201110408395.5

申请日：2011-12-09

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： H.格鲁贝尔 ,  F.希尔勒 ,  A.莫德 ,  A.迈泽 ,  H.罗特莱特纳

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/768 ,  H01L27/06 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L29/407 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/823481 ,  H01L23/481 ,  H01L24/16 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/401 ,  H01L29/402 ,  H01L29/408 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7804 ,  H01L29/7808 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/12035 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00

Abstract: 用于制造具有绝缘半导体台面的半导体组件的方法。用于制造半导体组件的方法包括：提供具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的半导体本体；蚀刻从第一表面部分地进入到半导体本体的绝缘沟槽；在绝缘沟槽的一个或更多侧壁上形成第一绝缘层；通过研磨、抛光和CMP工艺其中至少一个处理第二表面以露出第一绝缘层；以及在处理的第二表面上沉积延伸到第一绝缘层的第二绝缘层。

公开(公告)号：CN102543870A

公开(公告)日：2012-07-04

申请号：CN201110408395.5

申请日：2011-12-09

Applicant: 英飞凌科技股份有限公司

Inventor： H.格鲁贝尔 ,  F.希尔勒 ,  A.莫德 ,  A.迈泽 ,  H.罗特莱特纳

IPC: H01L21/82 ,  H01L21/768 ,  H01L27/06 ,  H01L23/522

CPC classification number: H01L29/407 ,  H01L21/76224 ,  H01L21/76898 ,  H01L21/823481 ,  H01L23/481 ,  H01L24/16 ,  H01L27/088 ,  H01L29/0653 ,  H01L29/401 ,  H01L29/402 ,  H01L29/408 ,  H01L29/41741 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/4238 ,  H01L29/456 ,  H01L29/66734 ,  H01L29/7397 ,  H01L29/7803 ,  H01L29/7804 ,  H01L29/7808 ,  H01L29/7811 ,  H01L29/7813 ,  H01L2224/16245 ,  H01L2924/01006 ,  H01L2924/01013 ,  H01L2924/01019 ,  H01L2924/01029 ,  H01L2924/01068 ,  H01L2924/01074 ,  H01L2924/12035 ,  H01L2924/12036 ,  H01L2924/1305 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/1306 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/14 ,  H01L2924/00

Abstract: 用于制造具有绝缘半导体台面的半导体组件的方法。用于制造半导体组件的方法包括：提供具有第一表面和与第一表面相对的第二表面的半导体本体；蚀刻从第一表面部分地进入到半导体本体的绝缘沟槽；在绝缘沟槽的一个或更多侧壁上形成第一绝缘层；通过研磨、抛光和CMP工艺其中至少一个处理第二表面以露出第一绝缘层；以及在处理的第二表面上沉积延伸到第一绝缘层的第二绝缘层。