-
公开(公告)号：CN104538321B
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201410756710.7
申请日：2014-12-10
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件中硅片和钼片焊接的方法，所述方法包括以下步骤：a.在钼片上设置第一银层；b.在硅片的阳极上设置第二银层；c.将第三银层设置于第一银层和第二银层之间；d.通过第一银层、第二银层和第三银层的焊接，从而将硅片与钼片焊接在一起。该方法工艺简单，成品率高，焊接强度高、焊接层空洞率低，变形量小，可大大的提高产品的性能。本发明还涉及上述方法制得的硅片/钼片焊接产品的应用。
-
公开(公告)号：CN105355552B
公开(公告)日：2018-05-29
申请号：CN201510737934.8
申请日：2015-11-03
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/329
Abstract: 本发明涉及一种集成门极换流晶闸管配套用快恢复二极管的制备方法，包括如下步骤：1)对N型硅圆片的任意一面进行抛光处理；2)进行铝预沉积，在所述硅圆片抛光面进行硼离子注入，并进行氧化推进工艺，使硅圆片内形成P+PNP型纵向结构；3)研磨所述硅圆片的未抛光面，使硅圆片内部形成P+PN型纵向结构；4)在所述硅圆片的N型侧进行磷杂质掺杂扩散，使硅圆片内部形成P+PNN+型纵向结构；5)在所述硅圆片表面蒸发铝层，形成引出电极，进行合金化工艺，使铝、硅间形成欧姆接触；6)在芯片阳极面进行质子辐照；7)将芯片阳极面与钼片键合到一起；8)进行造型，并进行保护处理；9)进行电子辐照。
-
公开(公告)号：CN104659114B
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201510043980.8
申请日：2015-01-28
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明涉及MOS电容以及其制造方法。该方法包括方法包括，步骤一：在基板上设置SiC外延层；步骤二：在SiC外延层上设置氧隔离层；步骤三：在氧隔离层上设置硅层；步骤四：将硅层氧化成SiO2层。根据本方法制造的MOS电容，反型沟道载流子迁移较高，MOS电容的性能较好。
-
公开(公告)号：CN104538342B
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201410727917.1
申请日：2014-12-04
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/687
Abstract: 本发明涉及一种用于夹持半导体器件的装置，其包括用于放置半导体器件的底座；设置在半导体器件的上方的压板，压板通过调距单元与底座连接；设在压板与半导体器件之间的用于压装半导体器件的弹性件。其中，该调距单元构造成能够调整底座与压板之间的距离，并使弹性件的压缩量变成设定值，从而使得弹性件的弹力等于半导体器件所需的压装力。根据本发明的用于夹持半导体器件的装置的组装过程比现有技术更加简单，从而可以省时省力，提高组装效率。
-
公开(公告)号：CN103579143B
公开(公告)日：2016-08-24
申请号：CN201310536700.8
申请日：2013-11-04
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/473
CPC classification number: H01L24/01 , H01L2924/13055 , H01L2924/00
Abstract: 本发明公开了一种基于内冷却散热的平板型功率器件封装结构，它包括芯片、钼片、门极和外壳组件，所述外壳组件包括外壳和电极铜块，所述电极铜块的周侧设置用来导热绝缘的散热体组件，所述散热体组件呈包裹状围绕在电极铜块的周侧。本发明具有结构简单紧凑、成本低廉、制作方便、散热效果好、散热速度快、安全可靠性好等优点。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103594458B
公开(公告)日：2016-07-06
申请号：CN201310536791.5
申请日：2013-11-04
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L25/07 , H01L23/498
Abstract: 本发明公开了一种衬板结构，包括AlN陶瓷层、正面覆铜层、背面覆铜层以及正面的阻焊层，所述正面覆铜层上的母排焊接区处和/或芯片焊接区的周沿处设置限位件，所述限位件用来在焊接过程中对焊片以及芯片和/或母排的引脚进行定位。本发明具有结构简单紧凑、成本低廉、制作方便、能够提高封装焊接工艺效率等优点。
-
公开(公告)号：CN103346130B
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201310272369.3
申请日：2013-07-01
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种GCT门极绝缘座及门极组件，所述绝缘座为单向开口的腔体，所述腔体包括内侧壁、外侧壁和底部，所述外侧壁包括若干个间断的外子侧壁，所述内侧壁的内表面和/或所述外侧壁的至少一个外子侧壁的外表面呈阶梯式结构，即该内侧壁的内表面和/或外侧壁的外表面具有至少一个台阶。在GCT元件封装时，与绝缘座配合的内外阴极钼片可以放置在该台阶上，这样不仅可以减小绝缘座与阴极钼片之间的间隙而且可为阴极钼片提供一定的预紧力，从而限定阴极钼片的横向偏动和纵向偏动。通过该台阶对阴极钼片的限制，避免了阴极钼片与绝缘座之间的挤压变形而引发的器件门极和阴极之间的短路，确保了GCT元件的封装合格率。
-
公开(公告)号：CN102043107A
公开(公告)日：2011-05-04
申请号：CN201010537632.3
申请日：2010-11-10
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种周波浪涌试验装置，包括时间继电器、第一和第二试验晶闸管、波形记录装置、电阻、变压装置、分流器、第一开关和第二开关，变压装置的输入端通过第二开关连接输入交流电，第一和第二试验晶闸管采取反并联连接，第一试验晶闸管和第二试验晶闸管的门极通过时间继电器和第一开关相互连接，变压装置的输出端与电阻、第一和第二试验晶闸管，以及分流器依次相连形成电回路，波形记录装置的一路波形采集端子同时并联在第一试验晶闸管的阴、阳极之间和第二试验晶闸管的阴、阳极之间。该发明所描述的实施方式实现了对大功率半导体器件进行任意次周波浪涌电流测试，且对测试周波发生的参数和精度极易控制，试验装置的控制也简单实用。
-
公开(公告)号：CN104576363B
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201510020395.6
申请日：2015-01-15
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/329
Abstract: 本申请公开了一种大功率整流管管芯的制作方法，包括：对硅圆片的至少一面进行标记；在所述硅圆片表面通过铝预沉积工艺进行铝杂质掺杂；对所述硅圆片的阴极面进行腐蚀，去除所述硅圆片的阴极面的铝杂质；在所述硅圆片阳极面进行铝杂质深结扩散。利用本申请提供的制作方法，能够避免硅圆片表面缺陷和微小裂纹的产生，从而能够提高大功率整流管管芯的成品率和长期可靠性。
-
公开(公告)号：CN104637887B
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201510018159.0
申请日：2015-01-14
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种防爆整流管及其封装方法，该防爆整流管包括：管座，其包含底座以及环绕连接底座的瓷环；管盖，其与管座连接形成管壳；芯片组件，其设在管壳内；以及防爆缓冲组件，其连接在管壳内，在芯片组件周围形成防爆圈从而在爆炸时保护瓷环。该防爆整流管结构更简单、防爆效果更好。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
50
records
(took 0.03 seconds)
