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公开(公告)号：CN104952719A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201410113139.7
申请日：2014-03-25
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/304
Abstract: 本发明公开了一种半导体芯片台面造型方法，使用高速旋转的磨轮，在磨轮上开设所需槽型对应的凹槽，凹槽内镀设有磨削层，将待加工芯片上芯片结终端的柱面伸入凹槽中，以接触凹槽研磨的方式进行台面造型。本发明具有方便高效、工艺简单、成品率高、制造成本低等优点。
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公开(公告)号：CN104538321B
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201410756710.7
申请日：2014-12-10
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件中硅片和钼片焊接的方法，所述方法包括以下步骤：a.在钼片上设置第一银层；b.在硅片的阳极上设置第二银层；c.将第三银层设置于第一银层和第二银层之间；d.通过第一银层、第二银层和第三银层的焊接，从而将硅片与钼片焊接在一起。该方法工艺简单，成品率高，焊接强度高、焊接层空洞率低，变形量小，可大大的提高产品的性能。本发明还涉及上述方法制得的硅片/钼片焊接产品的应用。
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公开(公告)号：CN103904016A
公开(公告)日：2014-07-02
申请号：CN201410135844.7
申请日：2014-04-04
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/683
CPC classification number: H01L21/67316
Abstract: 本发明提出了一种走线单元，包括本体，以及沿水平方向等间距形成在所述本体上的多个用于承载硅片的承片槽；所述承片槽均在水平方向上朝向同一方向倾斜设置，并且所述承片槽的任一侧壁所在的平面和与水平方向垂直的竖直平面之间均形成相同的第一预设夹角；其在本体上形成有朝向同一方向倾斜的多个承片槽，并且承片槽的侧壁所在平面和水平方向垂直的竖直平面之间形成的相同的第一预设夹角，当把相同厚度的硅片分别放置在多个承片槽内，硅片均朝向同一方向倾斜，并且倾斜的角度均大致相等，从而使得硅片之间的间距的一致性较高，进而提高了各个硅片之间的杂质扩散的均匀性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101740361A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910265540.1
申请日：2009-12-25
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/223
Abstract: 本发明提供一种半导体器件制造过程中的铝杂质扩散掺杂方法，包括：在真空扩散炉中，以第一陶瓷舟中的高纯铝源对扩散管内壁和置于所述扩散管内部的硅舟进行饱和扩散掺杂；在扩散管内部放入盛有高纯铝源的第二陶瓷舟；以所述第二陶瓷舟中的高纯铝源、饱和扩散掺杂后的扩散管内壁和硅舟对置于所述硅舟上的试验芯片进行第一时间长度的扩散掺杂；测量所述试验芯片的薄层电阻，根据经验公式计算对正式芯片进行扩散掺杂所需的第二时间长度；在扩散管内部放入盛有高纯铝源的第二陶瓷舟；以所述第二陶瓷舟中的高纯铝源、饱和扩散掺杂后的扩散管内壁和硅舟对置于所述硅舟上的正式芯片进行第二时间长度的扩散掺杂。
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公开(公告)号：CN104549840B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201410809882.6
申请日：2014-12-23
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种硼扩散源双面喷涂装置，包括：射流器；承载底座，其与射流器的喷射方向相对设置，所述承载底座包括：位于承载底座底部的定位孔，用于固定承载底座；用于定位喷涂样品的定位边缘，用于固定样品；和用于支撑所述喷涂样品的支撑台阶，使得所述喷涂样品与台阶底部的底座面之间存在空隙。本发明还提供了一种进行硼扩散源双面喷涂的方法。
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公开(公告)号：CN104549840A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410809882.6
申请日：2014-12-23
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种硼扩散源双面喷涂装置，包括：射流器；承载底座，其与射流器的喷射方向相对设置，所述承载底座包括：位于承载底座底部的定位孔，用于固定承载底座；用于定位喷涂样品的定位边缘，用于固定样品；和用于支撑所述喷涂样品的支撑台阶，使得所述喷涂样品与台阶底部的底座面之间存在空隙。本发明还提供了一种进行硼扩散源双面喷涂的方法。
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公开(公告)号：CN104538321A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201410756710.7
申请日：2014-12-10
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件中硅片和钼片焊接的方法，所述方法包括以下步骤：a.在钼片上设置第一银层；b.在硅片的阳极上设置第二银层；c.将第三银层设置于第一银层和第二银层之间；d.通过第一银层、第二银层和第三银层的焊接，从而将硅片与钼片焊接在一起。该方法工艺简单，成品率高，焊接强度高、焊接层空洞率低，变形量小，可大大的提高产品的性能。本发明还涉及上述方法制得的硅片/钼片焊接产品的应用。
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公开(公告)号：CN101740361B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200910265540.1
申请日：2009-12-25
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/223
Abstract: 本发明提供一种半导体器件制造过程中的铝杂质扩散掺杂方法，包括：在真空扩散炉中，以第一陶瓷舟中的高纯铝源对扩散管内壁和置于所述扩散管内部的硅舟进行饱和扩散掺杂；在扩散管内部放入盛有高纯铝源的第二陶瓷舟；以所述第二陶瓷舟中的高纯铝源、饱和扩散掺杂后的扩散管内壁和硅舟对置于所述硅舟上的试验芯片进行第一时间长度的扩散掺杂；测量所述试验芯片的薄层电阻，根据经验公式计算对正式芯片进行扩散掺杂所需的第二时间长度；在扩散管内部放入盛有高纯铝源的第二陶瓷舟；以所述第二陶瓷舟中的高纯铝源、饱和扩散掺杂后的扩散管内壁和硅舟对置于所述硅舟上的正式芯片进行第二时间长度的扩散掺杂。
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