公开(公告)号：CN104538321B

公开(公告)日：2018-10-26

申请号：CN201410756710.7

申请日：2014-12-10

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 朱为为 ,  吴煜东 ,  颜骥 ,  张明 ,  邹冰艳 ,  操国宏 ,  唐革 ,  王政英 ,  姚震洋 ,  刘芹 ,  高军

IPC: H01L21/60

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件中硅片和钼片焊接的方法，所述方法包括以下步骤：a.在钼片上设置第一银层；b.在硅片的阳极上设置第二银层；c.将第三银层设置于第一银层和第二银层之间；d.通过第一银层、第二银层和第三银层的焊接，从而将硅片与钼片焊接在一起。该方法工艺简单，成品率高，焊接强度高、焊接层空洞率低，变形量小，可大大的提高产品的性能。本发明还涉及上述方法制得的硅片/钼片焊接产品的应用。

公开(公告)号：CN104538321A

公开(公告)日：2015-04-22

申请号：CN201410756710.7

申请日：2014-12-10

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 朱为为 ,  吴煜东 ,  颜骥 ,  张明 ,  邹冰艳 ,  操国宏 ,  唐革 ,  王政英 ,  姚震洋 ,  刘芹 ,  高军

IPC: H01L21/60

Abstract: 本发明公开了一种半导体器件中硅片和钼片焊接的方法，所述方法包括以下步骤：a.在钼片上设置第一银层；b.在硅片的阳极上设置第二银层；c.将第三银层设置于第一银层和第二银层之间；d.通过第一银层、第二银层和第三银层的焊接，从而将硅片与钼片焊接在一起。该方法工艺简单，成品率高，焊接强度高、焊接层空洞率低，变形量小，可大大的提高产品的性能。本发明还涉及上述方法制得的硅片/钼片焊接产品的应用。

公开(公告)号：CN103887167A

公开(公告)日：2014-06-25

申请号：CN201410153442.X

申请日：2014-04-16

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 朱为为 ,  吴煜东 ,  颜骥 ,  邹冰艳 ,  王政英

IPC: H01L21/311

CPC classification number: H01L21/0405

Abstract: 本发明提供了一种半导体芯片台面的钝化方法，包括，将设置有预定台面造型的半导体芯片置入反应等离子体刻蚀的反应室内，并遮挡所述半导体芯片的非台面区域，以仅使所述半导体芯片的台面区域暴露在外；向所述反应室内通入反应性气体CH4，所述反应性气体CH4在射频源功率的作用下辉光放电产生等离子体；所述等离子体在所述半导体芯片的台面上淀积一层类金刚石薄膜，以形成钝化层。该钝化方法具有效率高、均匀性好、可重复性高、灵活性强以及人工成本低的优点。

公开(公告)号：CN204160371U

公开(公告)日：2015-02-18

申请号：CN201420650096.1

申请日：2014-11-03

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 刘芹 ,  高军 ,  朱为为 ,  邹冰艳

IPC: B25B11/00 ,  G01R1/04

Abstract: 一种键合型晶闸管芯片测试用适配器，其包括上盖、门极组件、阴极钼片、定位环及底座。该阴极钼片的中心开有内螺纹孔，并于内螺纹孔处向外延伸有线槽，该门极组件通过绝缘部的外螺纹与阴极钼片的内螺纹孔的螺合而固定于阴级钼片，门极组件的引线则埋入到阴极钼片的线槽中沿线槽伸至阴极钼片外。如此，通过改变门极组件在适配器内的固定形式，将门极组件与阴极钼片固定在一起。在进行芯片测试时，将结合门极组件的阴极钼片置于芯片的阴极面上，使门极组件与芯片同圆心后再压合，有效防止了因芯片在定位环内发生偏移而导致门极组件的顶针在芯片的中心门极区发生滑动而损伤芯片的中心门极区。