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公开(公告)号：CN104538321B
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201410756710.7
申请日：2014-12-10
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件中硅片和钼片焊接的方法，所述方法包括以下步骤：a.在钼片上设置第一银层；b.在硅片的阳极上设置第二银层；c.将第三银层设置于第一银层和第二银层之间；d.通过第一银层、第二银层和第三银层的焊接，从而将硅片与钼片焊接在一起。该方法工艺简单，成品率高，焊接强度高、焊接层空洞率低，变形量小，可大大的提高产品的性能。本发明还涉及上述方法制得的硅片/钼片焊接产品的应用。
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公开(公告)号：CN101740361A
公开(公告)日：2010-06-16
申请号：CN200910265540.1
申请日：2009-12-25
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/223
Abstract: 本发明提供一种半导体器件制造过程中的铝杂质扩散掺杂方法，包括：在真空扩散炉中，以第一陶瓷舟中的高纯铝源对扩散管内壁和置于所述扩散管内部的硅舟进行饱和扩散掺杂；在扩散管内部放入盛有高纯铝源的第二陶瓷舟；以所述第二陶瓷舟中的高纯铝源、饱和扩散掺杂后的扩散管内壁和硅舟对置于所述硅舟上的试验芯片进行第一时间长度的扩散掺杂；测量所述试验芯片的薄层电阻，根据经验公式计算对正式芯片进行扩散掺杂所需的第二时间长度；在扩散管内部放入盛有高纯铝源的第二陶瓷舟；以所述第二陶瓷舟中的高纯铝源、饱和扩散掺杂后的扩散管内壁和硅舟对置于所述硅舟上的正式芯片进行第二时间长度的扩散掺杂。
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公开(公告)号：CN104538321A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201410756710.7
申请日：2014-12-10
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件中硅片和钼片焊接的方法，所述方法包括以下步骤：a.在钼片上设置第一银层；b.在硅片的阳极上设置第二银层；c.将第三银层设置于第一银层和第二银层之间；d.通过第一银层、第二银层和第三银层的焊接，从而将硅片与钼片焊接在一起。该方法工艺简单，成品率高，焊接强度高、焊接层空洞率低，变形量小，可大大的提高产品的性能。本发明还涉及上述方法制得的硅片/钼片焊接产品的应用。
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公开(公告)号：CN101740361B
公开(公告)日：2012-05-30
申请号：CN200910265540.1
申请日：2009-12-25
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/223
Abstract: 本发明提供一种半导体器件制造过程中的铝杂质扩散掺杂方法，包括：在真空扩散炉中，以第一陶瓷舟中的高纯铝源对扩散管内壁和置于所述扩散管内部的硅舟进行饱和扩散掺杂；在扩散管内部放入盛有高纯铝源的第二陶瓷舟；以所述第二陶瓷舟中的高纯铝源、饱和扩散掺杂后的扩散管内壁和硅舟对置于所述硅舟上的试验芯片进行第一时间长度的扩散掺杂；测量所述试验芯片的薄层电阻，根据经验公式计算对正式芯片进行扩散掺杂所需的第二时间长度；在扩散管内部放入盛有高纯铝源的第二陶瓷舟；以所述第二陶瓷舟中的高纯铝源、饱和扩散掺杂后的扩散管内壁和硅舟对置于所述硅舟上的正式芯片进行第二时间长度的扩散掺杂。
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公开(公告)号：CN105225992A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510737109.8
申请日：2015-11-03
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/306
Abstract: 本申请公开了一种刻蚀装置及晶圆片单面刻蚀方法，其中，所述刻蚀装置的底座上用于放置多个所述夹片环，相邻夹片环之间用于放置至少两个晶圆片，所述晶圆片的待刻蚀面朝向与其相邻的所述夹片环，当利用所述夹紧装置夹紧放置在所述底座上的多个夹片环和多个晶圆片后可以通过所述夹片环的进液槽注入腐蚀液体对所述晶圆片进行刻蚀。由于至少两个所述晶圆片紧贴，且仅有所述晶圆片的待刻蚀面朝向与其相邻的所述夹片环，因此在所述腐蚀液体通过所述夹片环的进液槽注入后，所述腐蚀液体仅能够接触到所述晶圆片的待刻蚀面，从而达到了对所述晶圆片单面刻蚀的目的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104576363A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201510020395.6
申请日：2015-01-15
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/329
Abstract: 本申请公开了一种大功率整流管管芯的制作方法，包括：对硅圆片的至少一面进行标记；在所述硅圆片表面通过铝预沉积工艺进行铝杂质掺杂；对所述硅圆片的阴极面进行腐蚀，去除所述硅圆片的阴极面的铝杂质；在所述硅圆片阳极面进行铝杂质深结扩散。利用本申请提供的制作方法，能够避免硅圆片表面缺陷和微小裂纹的产生，从而能够提高大功率整流管管芯的成品率和长期可靠性。
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公开(公告)号：CN104576363B
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201510020395.6
申请日：2015-01-15
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/329
Abstract: 本申请公开了一种大功率整流管管芯的制作方法，包括：对硅圆片的至少一面进行标记；在所述硅圆片表面通过铝预沉积工艺进行铝杂质掺杂；对所述硅圆片的阴极面进行腐蚀，去除所述硅圆片的阴极面的铝杂质；在所述硅圆片阳极面进行铝杂质深结扩散。利用本申请提供的制作方法，能够避免硅圆片表面缺陷和微小裂纹的产生，从而能够提高大功率整流管管芯的成品率和长期可靠性。
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公开(公告)号：CN105225992B
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201510737109.8
申请日：2015-11-03
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/306
Abstract: 本申请公开了一种刻蚀装置及晶圆片单面刻蚀方法，其中，所述刻蚀装置的底座上用于放置多个所述夹片环，相邻夹片环之间用于放置至少两个晶圆片，所述晶圆片的待刻蚀面朝向与其相邻的所述夹片环，当利用所述夹紧装置夹紧放置在所述底座上的多个夹片环和多个晶圆片后可以通过所述夹片环的进液槽注入腐蚀液体对所述晶圆片进行刻蚀。由于至少两个所述晶圆片紧贴，且仅有所述晶圆片的待刻蚀面朝向与其相邻的所述夹片环，因此在所述腐蚀液体通过所述夹片环的进液槽注入后，所述腐蚀液体仅能够接触到所述晶圆片的待刻蚀面，从而达到了对所述晶圆片单面刻蚀的目的。
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公开(公告)号：CN104549840B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201410809882.6
申请日：2014-12-23
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种硼扩散源双面喷涂装置，包括：射流器；承载底座，其与射流器的喷射方向相对设置，所述承载底座包括：位于承载底座底部的定位孔，用于固定承载底座；用于定位喷涂样品的定位边缘，用于固定样品；和用于支撑所述喷涂样品的支撑台阶，使得所述喷涂样品与台阶底部的底座面之间存在空隙。本发明还提供了一种进行硼扩散源双面喷涂的方法。
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公开(公告)号：CN104549840A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410809882.6
申请日：2014-12-23
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种硼扩散源双面喷涂装置，包括：射流器；承载底座，其与射流器的喷射方向相对设置，所述承载底座包括：位于承载底座底部的定位孔，用于固定承载底座；用于定位喷涂样品的定位边缘，用于固定样品；和用于支撑所述喷涂样品的支撑台阶，使得所述喷涂样品与台阶底部的底座面之间存在空隙。本发明还提供了一种进行硼扩散源双面喷涂的方法。
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