公开(公告)号：CN105355552B

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：CN201510737934.8

申请日：2015-11-03

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 郭润庆 ,  陈芳林 ,  颜骥 ,  高建宁 ,  蒋谊 ,  彭文华 ,  陈勇民 ,  邱凯兵

IPC: H01L21/329

Abstract: 本发明涉及一种集成门极换流晶闸管配套用快恢复二极管的制备方法，包括如下步骤：1)对N型硅圆片的任意一面进行抛光处理；2)进行铝预沉积，在所述硅圆片抛光面进行硼离子注入，并进行氧化推进工艺，使硅圆片内形成P+PNP型纵向结构；3)研磨所述硅圆片的未抛光面，使硅圆片内部形成P+PN型纵向结构；4)在所述硅圆片的N型侧进行磷杂质掺杂扩散，使硅圆片内部形成P+PNN+型纵向结构；5)在所述硅圆片表面蒸发铝层，形成引出电极，进行合金化工艺，使铝、硅间形成欧姆接触；6)在芯片阳极面进行质子辐照；7)将芯片阳极面与钼片键合到一起；8)进行造型，并进行保护处理；9)进行电子辐照。

公开(公告)号：CN104701386A

公开(公告)日：2015-06-10

申请号：CN201510072875.7

申请日：2015-02-11

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 高建宁 ,  陈芳林 ,  戴小平 ,  蒋谊 ,  郭润庆 ,  张弦

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/329 ,  H01L21/265 ,  H01L21/263 ,  H01L21/225

Abstract: 本发明涉及一种集成门极换流晶闸管配套用快恢复二极管(FRD)及其制造方法。该方法采用铝预沉积和硼离子注入的配合工艺方法，克服了一般快速整流管在P+型层纵横向杂质分布不均匀的缺点，极大地改善了FRD承受反向关断di/dt的能力，能承受500A/μs以上的反向关断di/dt；采用质子辐照和电子辐照的配合工艺方法，使FRD的反向恢复时间trr在7μs以下时，反向恢复特性中的软度因子S≥1.0。本发明方法工艺新颖，流程简单，使用独特的工艺技术使之能承受较高的反向关断di/dt，同时反向恢复时，软特性良好，实际应用证明与IGCT器件配套使用的可靠性高，使FRD产品的产量和成品率都得到了保证。

公开(公告)号：CN105225992B

公开(公告)日：2018-08-24

申请号：CN201510737109.8

申请日：2015-11-03

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 王东东 ,  王政英 ,  邹冰艳 ,  刘芹 ,  唐革 ,  郭润庆 ,  刘锐鸣 ,  高军 ,  刘应 ,  姚震洋

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/306

Abstract: 本申请公开了一种刻蚀装置及晶圆片单面刻蚀方法，其中，所述刻蚀装置的底座上用于放置多个所述夹片环，相邻夹片环之间用于放置至少两个晶圆片，所述晶圆片的待刻蚀面朝向与其相邻的所述夹片环，当利用所述夹紧装置夹紧放置在所述底座上的多个夹片环和多个晶圆片后可以通过所述夹片环的进液槽注入腐蚀液体对所述晶圆片进行刻蚀。由于至少两个所述晶圆片紧贴，且仅有所述晶圆片的待刻蚀面朝向与其相邻的所述夹片环，因此在所述腐蚀液体通过所述夹片环的进液槽注入后，所述腐蚀液体仅能够接触到所述晶圆片的待刻蚀面，从而达到了对所述晶圆片单面刻蚀的目的。

公开(公告)号：CN104576363B

公开(公告)日：2018-08-24

申请号：CN201510020395.6

申请日：2015-01-15

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 郭润庆 ,  邹冰艳 ,  颜骥 ,  王政英 ,  陈芳林 ,  唐革 ,  刘芹

IPC: H01L21/329

Abstract: 本申请公开了一种大功率整流管管芯的制作方法，包括：对硅圆片的至少一面进行标记；在所述硅圆片表面通过铝预沉积工艺进行铝杂质掺杂；对所述硅圆片的阴极面进行腐蚀，去除所述硅圆片的阴极面的铝杂质；在所述硅圆片阳极面进行铝杂质深结扩散。利用本申请提供的制作方法，能够避免硅圆片表面缺陷和微小裂纹的产生，从而能够提高大功率整流管管芯的成品率和长期可靠性。

公开(公告)号：CN105225992A

公开(公告)日：2016-01-06

申请号：CN201510737109.8

申请日：2015-11-03

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 王东东 ,  王政英 ,  邹冰艳 ,  刘芹 ,  唐革 ,  郭润庆 ,  刘锐鸣 ,  高军 ,  刘应 ,  姚震洋

IPC: H01L21/67 ,  H01L21/306

Abstract: 本申请公开了一种刻蚀装置及晶圆片单面刻蚀方法，其中，所述刻蚀装置的底座上用于放置多个所述夹片环，相邻夹片环之间用于放置至少两个晶圆片，所述晶圆片的待刻蚀面朝向与其相邻的所述夹片环，当利用所述夹紧装置夹紧放置在所述底座上的多个夹片环和多个晶圆片后可以通过所述夹片环的进液槽注入腐蚀液体对所述晶圆片进行刻蚀。由于至少两个所述晶圆片紧贴，且仅有所述晶圆片的待刻蚀面朝向与其相邻的所述夹片环，因此在所述腐蚀液体通过所述夹片环的进液槽注入后，所述腐蚀液体仅能够接触到所述晶圆片的待刻蚀面，从而达到了对所述晶圆片单面刻蚀的目的。

公开(公告)号：CN104576363A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201510020395.6

申请日：2015-01-15

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 郭润庆 ,  邹冰艳 ,  颜骥 ,  王政英 ,  陈芳林 ,  唐革 ,  刘芹

IPC: H01L21/329

Abstract: 本申请公开了一种大功率整流管管芯的制作方法，包括：对硅圆片的至少一面进行标记；在所述硅圆片表面通过铝预沉积工艺进行铝杂质掺杂；对所述硅圆片的阴极面进行腐蚀，去除所述硅圆片的阴极面的铝杂质；在所述硅圆片阳极面进行铝杂质深结扩散。利用本申请提供的制作方法，能够避免硅圆片表面缺陷和微小裂纹的产生，从而能够提高大功率整流管管芯的成品率和长期可靠性。

公开(公告)号：CN104701386B

公开(公告)日：2018-05-29

申请号：CN201510072875.7

申请日：2015-02-11

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 高建宁 ,  陈芳林 ,  戴小平 ,  蒋谊 ,  郭润庆 ,  张弦

IPC: H01L29/861 ,  H01L21/329 ,  H01L21/265 ,  H01L21/263 ,  H01L21/225

Abstract: 本发明涉及一种集成门极换流晶闸管配套用快恢复二极管(FRD)及其制造方法。该方法采用铝预沉积和硼离子注入的配合工艺方法，克服了一般快速整流管在P+型层纵横向杂质分布不均匀的缺点，极大地改善了FRD承受反向关断di/dt的能力，能承受500A/μs以上的反向关断di/dt；采用质子辐照和电子辐照的配合工艺方法，使FRD的反向恢复时间trr在7μs以下时，反向恢复特性中的软度因子S≥1.0。本发明方法工艺新颖，流程简单，使用独特的工艺技术使之能承受较高的反向关断di/dt，同时反向恢复时，软特性良好，实际应用证明与IGCT器件配套使用的可靠性高，使FRD产品的产量和成品率都得到了保证。

公开(公告)号：CN105355552A

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201510737934.8

申请日：2015-11-03

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 郭润庆 ,  陈芳林 ,  颜骥 ,  高建宁 ,  蒋谊 ,  彭文华 ,  陈勇民 ,  邱凯兵

IPC: H01L21/329

Abstract: 本发明涉及一种集成门极换流晶闸管配套用快恢复二极管的制备方法，包括如下步骤：1)对N型硅圆片的任意一面进行抛光处理；2)进行铝预沉积，在所述硅圆片抛光面进行硼离子注入，并进行氧化推进工艺，使硅圆片内形成P+PNP型纵向结构；3)研磨所述硅圆片的未抛光面，使硅圆片内部形成P+PN型纵向结构；4)在所述硅圆片的N型侧进行磷杂质掺杂扩散，使硅圆片内部形成P+PNN+型纵向结构；5)在所述硅圆片表面蒸发铝层，形成引出电极，进行合金化工艺，使铝、硅间形成欧姆接触；6)在芯片阳极面进行质子辐照；7)将芯片阳极面与钼片键合到一起；8)进行造型，并进行保护处理；9)进行电子辐照。