一种刻蚀装置及晶圆片单面刻蚀方法

    公开(公告)号:CN105225992A

    公开(公告)日:2016-01-06

    申请号:CN201510737109.8

    申请日:2015-11-03

    Abstract: 本申请公开了一种刻蚀装置及晶圆片单面刻蚀方法,其中,所述刻蚀装置的底座上用于放置多个所述夹片环,相邻夹片环之间用于放置至少两个晶圆片,所述晶圆片的待刻蚀面朝向与其相邻的所述夹片环,当利用所述夹紧装置夹紧放置在所述底座上的多个夹片环和多个晶圆片后可以通过所述夹片环的进液槽注入腐蚀液体对所述晶圆片进行刻蚀。由于至少两个所述晶圆片紧贴,且仅有所述晶圆片的待刻蚀面朝向与其相邻的所述夹片环,因此在所述腐蚀液体通过所述夹片环的进液槽注入后,所述腐蚀液体仅能够接触到所述晶圆片的待刻蚀面,从而达到了对所述晶圆片单面刻蚀的目的。

    硅片承载装置
    3.
    发明公开

    公开(公告)号:CN103904016A

    公开(公告)日:2014-07-02

    申请号:CN201410135844.7

    申请日:2014-04-04

    CPC classification number: H01L21/67316

    Abstract: 本发明提出了一种走线单元,包括本体,以及沿水平方向等间距形成在所述本体上的多个用于承载硅片的承片槽;所述承片槽均在水平方向上朝向同一方向倾斜设置,并且所述承片槽的任一侧壁所在的平面和与水平方向垂直的竖直平面之间均形成相同的第一预设夹角;其在本体上形成有朝向同一方向倾斜的多个承片槽,并且承片槽的侧壁所在平面和水平方向垂直的竖直平面之间形成的相同的第一预设夹角,当把相同厚度的硅片分别放置在多个承片槽内,硅片均朝向同一方向倾斜,并且倾斜的角度均大致相等,从而使得硅片之间的间距的一致性较高,进而提高了各个硅片之间的杂质扩散的均匀性。

    一种刻蚀装置及晶圆片单面刻蚀方法

    公开(公告)号:CN105225992B

    公开(公告)日:2018-08-24

    申请号:CN201510737109.8

    申请日:2015-11-03

    Abstract: 本申请公开了一种刻蚀装置及晶圆片单面刻蚀方法,其中,所述刻蚀装置的底座上用于放置多个所述夹片环,相邻夹片环之间用于放置至少两个晶圆片,所述晶圆片的待刻蚀面朝向与其相邻的所述夹片环,当利用所述夹紧装置夹紧放置在所述底座上的多个夹片环和多个晶圆片后可以通过所述夹片环的进液槽注入腐蚀液体对所述晶圆片进行刻蚀。由于至少两个所述晶圆片紧贴,且仅有所述晶圆片的待刻蚀面朝向与其相邻的所述夹片环,因此在所述腐蚀液体通过所述夹片环的进液槽注入后,所述腐蚀液体仅能够接触到所述晶圆片的待刻蚀面,从而达到了对所述晶圆片单面刻蚀的目的。

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