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公开(公告)号:CN105225992A
公开(公告)日:2016-01-06
申请号:CN201510737109.8
申请日:2015-11-03
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/306
Abstract: 本申请公开了一种刻蚀装置及晶圆片单面刻蚀方法,其中,所述刻蚀装置的底座上用于放置多个所述夹片环,相邻夹片环之间用于放置至少两个晶圆片,所述晶圆片的待刻蚀面朝向与其相邻的所述夹片环,当利用所述夹紧装置夹紧放置在所述底座上的多个夹片环和多个晶圆片后可以通过所述夹片环的进液槽注入腐蚀液体对所述晶圆片进行刻蚀。由于至少两个所述晶圆片紧贴,且仅有所述晶圆片的待刻蚀面朝向与其相邻的所述夹片环,因此在所述腐蚀液体通过所述夹片环的进液槽注入后,所述腐蚀液体仅能够接触到所述晶圆片的待刻蚀面,从而达到了对所述晶圆片单面刻蚀的目的。
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公开(公告)号:CN104952719A
公开(公告)日:2015-09-30
申请号:CN201410113139.7
申请日:2014-03-25
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/304
CPC classification number: H01L21/304
Abstract: 本发明公开了一种半导体芯片台面造型方法,使用高速旋转的磨轮,在磨轮上开设所需槽型对应的凹槽,凹槽内镀设有磨削层,将待加工芯片上芯片结终端的柱面伸入凹槽中,以接触凹槽研磨的方式进行台面造型。本发明具有方便高效、工艺简单、成品率高、制造成本低等优点。
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公开(公告)号:CN103904016A
公开(公告)日:2014-07-02
申请号:CN201410135844.7
申请日:2014-04-04
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/683
CPC classification number: H01L21/67316
Abstract: 本发明提出了一种走线单元,包括本体,以及沿水平方向等间距形成在所述本体上的多个用于承载硅片的承片槽;所述承片槽均在水平方向上朝向同一方向倾斜设置,并且所述承片槽的任一侧壁所在的平面和与水平方向垂直的竖直平面之间均形成相同的第一预设夹角;其在本体上形成有朝向同一方向倾斜的多个承片槽,并且承片槽的侧壁所在平面和水平方向垂直的竖直平面之间形成的相同的第一预设夹角,当把相同厚度的硅片分别放置在多个承片槽内,硅片均朝向同一方向倾斜,并且倾斜的角度均大致相等,从而使得硅片之间的间距的一致性较高,进而提高了各个硅片之间的杂质扩散的均匀性。
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公开(公告)号:CN105225992B
公开(公告)日:2018-08-24
申请号:CN201510737109.8
申请日:2015-11-03
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/306
Abstract: 本申请公开了一种刻蚀装置及晶圆片单面刻蚀方法,其中,所述刻蚀装置的底座上用于放置多个所述夹片环,相邻夹片环之间用于放置至少两个晶圆片,所述晶圆片的待刻蚀面朝向与其相邻的所述夹片环,当利用所述夹紧装置夹紧放置在所述底座上的多个夹片环和多个晶圆片后可以通过所述夹片环的进液槽注入腐蚀液体对所述晶圆片进行刻蚀。由于至少两个所述晶圆片紧贴,且仅有所述晶圆片的待刻蚀面朝向与其相邻的所述夹片环,因此在所述腐蚀液体通过所述夹片环的进液槽注入后,所述腐蚀液体仅能够接触到所述晶圆片的待刻蚀面,从而达到了对所述晶圆片单面刻蚀的目的。
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公开(公告)号:CN104549840B
公开(公告)日:2017-01-11
申请号:CN201410809882.6
申请日:2014-12-23
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种硼扩散源双面喷涂装置,包括:射流器;承载底座,其与射流器的喷射方向相对设置,所述承载底座包括:位于承载底座底部的定位孔,用于固定承载底座;用于定位喷涂样品的定位边缘,用于固定样品;和用于支撑所述喷涂样品的支撑台阶,使得所述喷涂样品与台阶底部的底座面之间存在空隙。本发明还提供了一种进行硼扩散源双面喷涂的方法。
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公开(公告)号:CN104549840A
公开(公告)日:2015-04-29
申请号:CN201410809882.6
申请日:2014-12-23
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种硼扩散源双面喷涂装置,包括:射流器;承载底座,其与射流器的喷射方向相对设置,所述承载底座包括:位于承载底座底部的定位孔,用于固定承载底座;用于定位喷涂样品的定位边缘,用于固定样品;和用于支撑所述喷涂样品的支撑台阶,使得所述喷涂样品与台阶底部的底座面之间存在空隙。本发明还提供了一种进行硼扩散源双面喷涂的方法。
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