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公开(公告)号：CN104538321B
公开(公告)日：2018-10-26
申请号：CN201410756710.7
申请日：2014-12-10
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件中硅片和钼片焊接的方法，所述方法包括以下步骤：a.在钼片上设置第一银层；b.在硅片的阳极上设置第二银层；c.将第三银层设置于第一银层和第二银层之间；d.通过第一银层、第二银层和第三银层的焊接，从而将硅片与钼片焊接在一起。该方法工艺简单，成品率高，焊接强度高、焊接层空洞率低，变形量小，可大大的提高产品的性能。本发明还涉及上述方法制得的硅片/钼片焊接产品的应用。
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公开(公告)号：CN105225992B
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201510737109.8
申请日：2015-11-03
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/306
Abstract: 本申请公开了一种刻蚀装置及晶圆片单面刻蚀方法，其中，所述刻蚀装置的底座上用于放置多个所述夹片环，相邻夹片环之间用于放置至少两个晶圆片，所述晶圆片的待刻蚀面朝向与其相邻的所述夹片环，当利用所述夹紧装置夹紧放置在所述底座上的多个夹片环和多个晶圆片后可以通过所述夹片环的进液槽注入腐蚀液体对所述晶圆片进行刻蚀。由于至少两个所述晶圆片紧贴，且仅有所述晶圆片的待刻蚀面朝向与其相邻的所述夹片环，因此在所述腐蚀液体通过所述夹片环的进液槽注入后，所述腐蚀液体仅能够接触到所述晶圆片的待刻蚀面，从而达到了对所述晶圆片单面刻蚀的目的。
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公开(公告)号：CN104409426B
公开(公告)日：2017-12-26
申请号：CN201410613928.7
申请日：2014-11-04
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种半导体台面，其中，PN结交界面延伸至该半导体台面的表面，应用于半导体技术领域，该半导体台面包括：由第一钝化膜和覆盖于第一钝化膜上的第二钝化膜形成的钝化层；在钝化层上形成的保护层，本发明同时公开了制作该半导体台面的工艺步骤，包括：在该半导体台面上沉积类金刚石膜以形成第一钝化膜，在第一钝化膜上涂覆有机膜用以形成第二钝化膜，第一钝化膜和第二钝化膜形成钝化层；在钝化层上灌注保护橡胶以形成保护层。本发明采用双层钝化膜形成钝化层，可以实现钝化层与半导体台面的良好接触性能，提升可靠性，还可以屏蔽负电性的保护层对半导体台面的电场影响，改善半导体器件的阻断耐压。
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公开(公告)号：CN104549840B
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201410809882.6
申请日：2014-12-23
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种硼扩散源双面喷涂装置，包括：射流器；承载底座，其与射流器的喷射方向相对设置，所述承载底座包括：位于承载底座底部的定位孔，用于固定承载底座；用于定位喷涂样品的定位边缘，用于固定样品；和用于支撑所述喷涂样品的支撑台阶，使得所述喷涂样品与台阶底部的底座面之间存在空隙。本发明还提供了一种进行硼扩散源双面喷涂的方法。
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公开(公告)号：CN105633125A
公开(公告)日：2016-06-01
申请号：CN201410690686.1
申请日：2014-11-27
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种半导体芯片台面结构及其保护方法，半导体芯片台面结构包括：覆盖在半导体芯片边缘表面的钝化层，钝化层为半导体芯片在经过类金刚石膜沉积处理后，放置于200℃至350℃的环境中，并且在惰性气体氛围下进行退火处理后生成。类金刚石膜沉积处理使用气态碳氢化合物或其与氢气的混合物作为原料，通过PECVD工艺生成富含H元素或H离子的类金刚石膜。H元素或H离子以非定型方式分布于类金刚石膜的C原子网络中。通过实施本发明台面结构及其保护方法，半导体芯片经过退火处理，能够有效减小半导体芯片边缘的表面漏电流、降低芯片的静态损耗，从而有效提升半导体器件的长期可靠性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104549840A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201410809882.6
申请日：2014-12-23
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种硼扩散源双面喷涂装置，包括：射流器；承载底座，其与射流器的喷射方向相对设置，所述承载底座包括：位于承载底座底部的定位孔，用于固定承载底座；用于定位喷涂样品的定位边缘，用于固定样品；和用于支撑所述喷涂样品的支撑台阶，使得所述喷涂样品与台阶底部的底座面之间存在空隙。本发明还提供了一种进行硼扩散源双面喷涂的方法。
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公开(公告)号：CN104409426A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410613928.7
申请日：2014-11-04
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种半导体台面，其中，PN结交界面延伸至该半导体台面的表面，应用于半导体技术领域，该半导体台面包括：由第一钝化膜和覆盖于第一钝化膜上的第二钝化膜形成的钝化层；在钝化层上形成的保护层，本发明同时公开了制作该半导体台面的工艺步骤，包括：在该半导体台面上沉积类金刚石膜以形成第一钝化膜，在第一钝化膜上涂覆有机膜用以形成第二钝化膜，第一钝化膜和第二钝化膜形成钝化层；在钝化层上灌注保护橡胶以形成保护层。本发明采用双层钝化膜形成钝化层，可以实现钝化层与半导体台面的良好接触性能，提升可靠性，还可以屏蔽负电性的保护层对半导体台面的电场影响，改善半导体器件的阻断耐压。
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公开(公告)号：CN104538321A
公开(公告)日：2015-04-22
申请号：CN201410756710.7
申请日：2014-12-10
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/60
Abstract: 本发明公开了一种半导体器件中硅片和钼片焊接的方法，所述方法包括以下步骤：a.在钼片上设置第一银层；b.在硅片的阳极上设置第二银层；c.将第三银层设置于第一银层和第二银层之间；d.通过第一银层、第二银层和第三银层的焊接，从而将硅片与钼片焊接在一起。该方法工艺简单，成品率高，焊接强度高、焊接层空洞率低，变形量小，可大大的提高产品的性能。本发明还涉及上述方法制得的硅片/钼片焊接产品的应用。
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公开(公告)号：CN105225992A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510737109.8
申请日：2015-11-03
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/67 , H01L21/306
Abstract: 本申请公开了一种刻蚀装置及晶圆片单面刻蚀方法，其中，所述刻蚀装置的底座上用于放置多个所述夹片环，相邻夹片环之间用于放置至少两个晶圆片，所述晶圆片的待刻蚀面朝向与其相邻的所述夹片环，当利用所述夹紧装置夹紧放置在所述底座上的多个夹片环和多个晶圆片后可以通过所述夹片环的进液槽注入腐蚀液体对所述晶圆片进行刻蚀。由于至少两个所述晶圆片紧贴，且仅有所述晶圆片的待刻蚀面朝向与其相邻的所述夹片环，因此在所述腐蚀液体通过所述夹片环的进液槽注入后，所述腐蚀液体仅能够接触到所述晶圆片的待刻蚀面，从而达到了对所述晶圆片单面刻蚀的目的。
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公开(公告)号：CN104576363A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201510020395.6
申请日：2015-01-15
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/329
Abstract: 本申请公开了一种大功率整流管管芯的制作方法，包括：对硅圆片的至少一面进行标记；在所述硅圆片表面通过铝预沉积工艺进行铝杂质掺杂；对所述硅圆片的阴极面进行腐蚀，去除所述硅圆片的阴极面的铝杂质；在所述硅圆片阳极面进行铝杂质深结扩散。利用本申请提供的制作方法，能够避免硅圆片表面缺陷和微小裂纹的产生，从而能够提高大功率整流管管芯的成品率和长期可靠性。
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