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公开(公告)号：CN104576363B
公开(公告)日：2018-08-24
申请号：CN201510020395.6
申请日：2015-01-15
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/329
Abstract: 本申请公开了一种大功率整流管管芯的制作方法，包括：对硅圆片的至少一面进行标记；在所述硅圆片表面通过铝预沉积工艺进行铝杂质掺杂；对所述硅圆片的阴极面进行腐蚀，去除所述硅圆片的阴极面的铝杂质；在所述硅圆片阳极面进行铝杂质深结扩散。利用本申请提供的制作方法，能够避免硅圆片表面缺陷和微小裂纹的产生，从而能够提高大功率整流管管芯的成品率和长期可靠性。
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公开(公告)号：CN102969245B
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201210524763.7
申请日：2012-12-07
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/332 , H01L29/74 , H01L29/06
Abstract: 本发明公开了一种逆导型集成门极换流晶闸管制作方法，包括：S100：在原始N-衬底的一面轻掺杂一层N′杂质；S101：制作GCT的P型基区和FRD的P型基区；S102：在N-衬底的另一面进行N′杂质掺杂；S103：在GCT阴极和FRD阴极进行N+预沉积；S104：在隔离区的上表面和GCT的门极区域刻蚀隔离沟槽；S105：在GCT阴极和FRD阴极进行N+推进、钝化；S106：在GCT阳极进行P+掺杂；S107：制作电极。本发明利用杂质的补偿作用，在不改变隔离区P型掺杂分布的条件下，增加了隔离区的有效宽度，克服了现有技术存在的扩散控制精度不高、工艺复杂、不适用于高压器件的缺点。
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公开(公告)号：CN103219372B
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201310122747.X
申请日：2013-04-10
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种晶闸管门阴极结及具有该结构的门极换流晶闸管，晶闸管包括N-衬底、P基区、P+短基区、N+发射区、门极金属电极和阴极金属电极。N+发射区、P+短基区、P基区、N-衬底依次排布，阴极金属电极设置在N+发射区外表面，门极金属电极设置在P+短基区外表面。晶闸管的门阴极结为二层台阶结构，第一层台阶为浅台阶，第一层台阶的底部为P+N+边界。第二层台阶为深台阶，第二层台阶的底部为PN+边界。具有该结构的门极换流晶闸管进一步包括N′缓冲层和P+阳极区。本发明门阴极结能够减少晶闸管N+发射区注入的电子在P+短基区和P基区的复合，增强晶闸管的电导调制效应，并可以进一步提高其导通电流和开通速度。
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公开(公告)号：CN103346130A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310272369.3
申请日：2013-07-01
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种GCT门极绝缘座及门极组件，所述绝缘座为单向开口的腔体，所述腔体包括内侧壁、外侧壁和底部，所述外侧壁包括若干个间断的外子侧壁，所述内侧壁的内表面和/或所述外侧壁的至少一个外子侧壁的外表面呈阶梯式结构，即该内侧壁的内表面和/或外侧壁的外表面具有至少一个台阶。在GCT元件封装时，与绝缘座配合的内外阴极钼片可以放置在该台阶上，这样不仅可以减小绝缘座与阴极钼片之间的间隙而且可为阴极钼片提供一定的预紧力，从而限定阴极钼片的横向偏动和纵向偏动。通过该台阶对阴极钼片的限制，避免了阴极钼片与绝缘座之间的挤压变形而引发的器件门极和阴极之间的短路，确保了GCT元件的封装合格率。
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公开(公告)号：CN101673761B
公开(公告)日：2011-05-25
申请号：CN200910178577.0
申请日：2009-09-29
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体器件及半导体组件。一种半导体器件，具有相互平行的门极引出电极和阴极引出电极，所述门极引出电极为圆盘形且沿圆周设有第一叉孔，所述阴极引出电极为圆盘形且沿圆周设有分叉结构，所述分叉结构上具有与所述第一叉孔相对应的第二叉孔；或者，所述阴极引出电极为圆盘形且沿圆周设有第一叉孔，所述门极引出电极为圆盘形且沿圆周设有分叉结构，所述分叉结构上具有与所述第一叉孔相对应的第二叉孔。本发明实施例中的半导体器件及组件，不仅使安装门、阴极引出电极时只旋转一个扇段齿位就可以进行固定，安装极为方便，而且使门、阴极引出电极和电路板之间保持较大的接触面积，使GCT元件和电路板之间具有较小的连接电阻和电感。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100533669C
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200710035980.9
申请日：2007-10-29
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/268
Abstract: 半导体芯片局部电子辐照方法及装置，将芯片置于芯片的电子辐照区内的“电子直线加速器”辐照床上，通过一个分区电子辐照装置，采用局部遮挡电子照射的方法，实现对半导体芯片上的不同区域进行局部电子辐照。所述的局部遮挡电子照射的方法是利用金属挡块可以隔离电子射线的原理，在不需要或需要不同电子辐照剂量电子照射的部分，设置不同厚度的可以隔离电子射线的金属挡块挡住电子辐照的电子射线，实现对半导体芯片上的不同区域进行独立电子辐照。尤其是采用金属铅制成的挡块，遮挡住芯片上不需要辐照部分的电子射线，实现对半导体芯片上的不同区域进行局部电子辐照。
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公开(公告)号：CN100426522C
公开(公告)日：2008-10-15
申请号：CN200610032430.7
申请日：2006-10-20
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/74 , H01L29/41 , H01L29/423 , H01L23/48
Abstract: 本发明公开了一种阴电极分叉式半导体器件，它包括壳体、阳极、阴极、栅电极以及阴电极，所述阳极和阴极分别位于壳体的两端，所述阴电极的一端位于壳体内阳极和阴极之间，另一端从壳体内引出后突出布置于壳体的外侧，所述栅电极为栅极管，两根或两根以上的栅极管的一端位于壳体内阳极和阴极之间，另一端突出布置于壳体的外侧。本发明是一种在保证低感连接的条件下，结构简单紧凑、接口简洁、装配方便的阴电极分叉式半导体器件。
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公开(公告)号：CN101145528A
公开(公告)日：2008-03-19
申请号：CN200710035982.8
申请日：2007-10-29
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 一种半导体芯片的灌胶方法及模具，所述的灌胶处理方法是通过一套模芯与模座一体金属与塑料复合结构的模具对半导体元件芯片的台面进行灌胶处理。具体说，所述的灌胶处理是将芯片置于由金属与塑料复合结构构成的上模和下模之间，用螺栓加力使缝隙紧密贴合，从注胶口注入特定的胶，经高温固化后脱模将芯片取出。其中，所述的芯片是待加工的部分，芯片需安装在上模和下模之间，并用螺栓加力使上模和下模之间的缝隙紧密贴合，再从注胶口注入特定的胶，经高温固化后脱模将芯片取出；所述的上模和下模是用于形成模腔，是完成特定形状与尺寸的灌胶操作的工装模具，上模和下模是将模芯与模座和为一体，且模芯是由金属与塑料复合结构构成的。
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公开(公告)号：CN101132001A
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200710163586.3
申请日：2007-10-12
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L27/06 , H01L21/822 , H01L21/761
Abstract: 公开了一种集成门极换流晶闸管，所述门极换流晶闸管包括n－型衬底，p型掺杂区，n型掺杂区，门极换流晶闸管的阳极p+掺杂区，二极管n+缓冲区，以及门极换流晶闸管的阴极梳条，还包括门极换流晶闸管的阴极和门极，二极管的阳极、门极换流晶闸管的阳极和二极管的阴极，其特征在于：在门极换流晶闸管的门极和二极管的阳极之间的p型掺杂区中具有n+型隔离环。本发明的集成门极换流晶闸管及其制造方法能够在GCT单元和二极管之间实现有效的隔离。
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公开(公告)号：CN101132000A
公开(公告)日：2008-02-27
申请号：CN200710163585.9
申请日：2007-10-12
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L27/06 , H01L21/822 , H01L21/761
Abstract: 公开了一种集成门极换流晶闸管，所述门极换流晶闸管包括n－型衬底，p型掺杂区，n型掺杂区，门极换流晶闸管的阳极p+掺杂区，二极管n+缓冲区，以及门极换流晶闸管的阴极梳条，还包括门极换流晶闸管的阴极和门极，二极管的阳极、门极换流晶闸管的阳极和二极管的阴极，其特征在于：在门极换流晶闸管的门极和二极管的阳极之间的p型掺杂区中具有n+型隔离环。本发明的集成门极换流晶闸管及其制造方法能够在GCT单元和二极管之间实现有效的隔离。
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