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公开(公告)号:CN101740361A
公开(公告)日:2010-06-16
申请号:CN200910265540.1
申请日:2009-12-25
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/223
Abstract: 本发明提供一种半导体器件制造过程中的铝杂质扩散掺杂方法,包括:在真空扩散炉中,以第一陶瓷舟中的高纯铝源对扩散管内壁和置于所述扩散管内部的硅舟进行饱和扩散掺杂;在扩散管内部放入盛有高纯铝源的第二陶瓷舟;以所述第二陶瓷舟中的高纯铝源、饱和扩散掺杂后的扩散管内壁和硅舟对置于所述硅舟上的试验芯片进行第一时间长度的扩散掺杂;测量所述试验芯片的薄层电阻,根据经验公式计算对正式芯片进行扩散掺杂所需的第二时间长度;在扩散管内部放入盛有高纯铝源的第二陶瓷舟;以所述第二陶瓷舟中的高纯铝源、饱和扩散掺杂后的扩散管内壁和硅舟对置于所述硅舟上的正式芯片进行第二时间长度的扩散掺杂。
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公开(公告)号:CN101607559B
公开(公告)日:2011-11-02
申请号:CN200910142502.7
申请日:2009-06-18
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种搜索列车牵引计算运行曲线的方法,所述方法包括:步骤A:计算列车的快速运行曲线;步骤B:在快速运行曲线上取一点,以该点作为列车的起始点;步骤C:根据预设的列车牵引策略和起始点,计算得到列车的实际运行曲线;步骤D:判断计算得到的实际运行曲线是否满足列车牵引策略设定的条件,如果否,返回步骤B;步骤E:用符合条件的实际运行曲线替换快速运行曲线在该区段的数据;步骤F:判断列车是否达到停站点,如果否,从快速运行曲线上取一点,以该点作为列车的起始点,返回步骤C。本发明还涉及一种搜索列车牵引计算运行曲线的装置。采用所述方法及装置,能够提高列车牵引计算的准确性和计算效率。
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公开(公告)号:CN101673761B
公开(公告)日:2011-05-25
申请号:CN200910178577.0
申请日:2009-09-29
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体器件及半导体组件。一种半导体器件,具有相互平行的门极引出电极和阴极引出电极,所述门极引出电极为圆盘形且沿圆周设有第一叉孔,所述阴极引出电极为圆盘形且沿圆周设有分叉结构,所述分叉结构上具有与所述第一叉孔相对应的第二叉孔;或者,所述阴极引出电极为圆盘形且沿圆周设有第一叉孔,所述门极引出电极为圆盘形且沿圆周设有分叉结构,所述分叉结构上具有与所述第一叉孔相对应的第二叉孔。本发明实施例中的半导体器件及组件,不仅使安装门、阴极引出电极时只旋转一个扇段齿位就可以进行固定,安装极为方便,而且使门、阴极引出电极和电路板之间保持较大的接触面积,使GCT元件和电路板之间具有较小的连接电阻和电感。
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公开(公告)号:CN101607559A
公开(公告)日:2009-12-23
申请号:CN200910142502.7
申请日:2009-06-18
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明涉及一种搜索列车牵引计算运行曲线的方法,所述方法包括:步骤A:计算列车的快速运行曲线;步骤B:在快速运行曲线上取一点,以该点作为列车的起始点;步骤C:根据预设的列车牵引策略和起始点,计算得到列车的实际运行曲线;步骤D:判断计算得到的实际运行曲线是否满足列车牵引策略设定的条件,如果否,返回步骤B;步骤E:用符合条件的实际运行曲线替换快速运行曲线在该区段的数据;步骤F:判断列车是否达到停站点,如果否,从快速运行曲线上取一点,以该点作为列车的起始点,返回步骤C。本发明还涉及一种搜索列车牵引计算运行曲线的装置。采用所述方法及装置,能够提高列车牵引计算的准确性和计算效率。
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公开(公告)号:CN101587709A
公开(公告)日:2009-11-25
申请号:CN200910043713.5
申请日:2009-06-19
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 一种列车语音录音检测方法及装置,采用软件方法实现语音的编解码,解码后可直接在常用微机中通用播放器播放,不需任何专用硬件设备;该方法将编码后的数据采用数字压缩储存在FLASH芯片中,再通过USB接口将FLASH芯片中的数据通过转储方式,保存到各种媒体上作永久保留,实现车载语音信号的录音储存。该方法是基于ARM9微处理器,采用经过裁减的Linux内核作为操作系统,通过音频总线与音频芯片进行通信,实现对语音信号的采样、A/D转换、传送;采用自适应多码率语音编码算法对语音进行编解码。编码后的语音存储于板载大容量FLASH芯片中,再采用U盘转储方式,保存到各种媒体上作永久保留。
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公开(公告)号:CN101740361B
公开(公告)日:2012-05-30
申请号:CN200910265540.1
申请日:2009-12-25
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/223
Abstract: 本发明提供一种半导体器件制造过程中的铝杂质扩散掺杂方法,包括:在真空扩散炉中,以第一陶瓷舟中的高纯铝源对扩散管内壁和置于所述扩散管内部的硅舟进行饱和扩散掺杂;在扩散管内部放入盛有高纯铝源的第二陶瓷舟;以所述第二陶瓷舟中的高纯铝源、饱和扩散掺杂后的扩散管内壁和硅舟对置于所述硅舟上的试验芯片进行第一时间长度的扩散掺杂;测量所述试验芯片的薄层电阻,根据经验公式计算对正式芯片进行扩散掺杂所需的第二时间长度;在扩散管内部放入盛有高纯铝源的第二陶瓷舟;以所述第二陶瓷舟中的高纯铝源、饱和扩散掺杂后的扩散管内壁和硅舟对置于所述硅舟上的正式芯片进行第二时间长度的扩散掺杂。
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公开(公告)号:CN101673761A
公开(公告)日:2010-03-17
申请号:CN200910178577.0
申请日:2009-09-29
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体器件及半导体组件。一种半导体器件,具有相互平行的门极引出电极和阴极引出电极,所述门极引出电极为圆盘形且沿圆周设有第一叉孔,所述阴极引出电极为圆盘形且沿圆周设有分叉结构,所述分叉结构上具有与所述第一叉孔相对应的第二叉孔;或者,所述阴极引出电极为圆盘形且沿圆周设有第一叉孔,所述门极引出电极为圆盘形且沿圆周设有分叉结构,所述分叉结构上具有与所述第一叉孔相对应的第二叉孔。本发明实施例中的半导体器件及组件,不仅使安装门、阴极引出电极时只旋转一个扇段齿位就可以进行固定,安装极为方便,而且使门、阴极引出电极和电路板之间保持较大的接触面积,使GCT元件和电路板之间具有较小的连接电阻和电感。
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公开(公告)号:CN101853051A
公开(公告)日:2010-10-06
申请号:CN201010160166.1
申请日:2010-04-30
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: G06F1/16
Abstract: 本发明公开了一种人机交互单元设备,包括中央处理器、中央处理器最小系统模块、存储模块、显示模块、MVB总线接口电路,中央处理器最小系统模块包括电源模块、时钟模块、复位模块和JTAG/COP接口电路,中央处理器与存储模块,中央处理器最小系统模块相连,中央处理器通过外部总线扩展MVB总线接口电路,通过MVB总线与车辆中央控制单元进行通信,显示模块包括图形显示控制器,中央处理器通过图形显示控制器与显示器相连,中央处理器采用飞思卡尔公司的工业级处理器。通过应用本发明描述的设备,有效降低了CPU功耗和系统发热,使人机交互单元设备系统稳定性提高,CPU运算能力大幅提高,产品生命周期也有所增长。
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