公开(公告)号：CN101275284B

公开(公告)日：2010-06-02

申请号：CN200810000171.9

申请日：2008-01-02

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 刘国友 ,  王大江 ,  舒丽辉 ,  黄建伟 ,  邹冰艳

IPC: C30B31/06 ,  H01L21/223

Abstract: 本发明公开了一种铝杂质源转移扩散方法。该方法提供真空扩散炉和一个带有塞子的半封闭扩散管，先以纯铝源对硅陪片和扩散管内壁进行饱和扩散掺杂，然后以饱和扩散掺杂后的硅陪片和扩散管内壁对试验芯片进行t1时间的扩散掺杂，测量试验芯片的薄层电阻，根据经验公式计算出正式芯片扩散所需时间t2，最后以饱和扩散掺杂后的硅陪片和扩散管内壁按照t2时间对正式芯片进行精确控制的扩散掺杂。因此可以降低生产成本、消除使用氢气的安全隐患，提供均匀、稳定和可控的芯片表面掺杂浓度。

公开(公告)号：CN101740361B

公开(公告)日：2012-05-30

申请号：CN200910265540.1

申请日：2009-12-25

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 唐革 ,  舒丽辉 ,  操国宏 ,  黄建伟 ,  喻影

IPC: H01L21/223

Abstract: 本发明提供一种半导体器件制造过程中的铝杂质扩散掺杂方法，包括：在真空扩散炉中，以第一陶瓷舟中的高纯铝源对扩散管内壁和置于所述扩散管内部的硅舟进行饱和扩散掺杂；在扩散管内部放入盛有高纯铝源的第二陶瓷舟；以所述第二陶瓷舟中的高纯铝源、饱和扩散掺杂后的扩散管内壁和硅舟对置于所述硅舟上的试验芯片进行第一时间长度的扩散掺杂；测量所述试验芯片的薄层电阻，根据经验公式计算对正式芯片进行扩散掺杂所需的第二时间长度；在扩散管内部放入盛有高纯铝源的第二陶瓷舟；以所述第二陶瓷舟中的高纯铝源、饱和扩散掺杂后的扩散管内壁和硅舟对置于所述硅舟上的正式芯片进行第二时间长度的扩散掺杂。

公开(公告)号：CN101123225B

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN200710035712.7

申请日：2007-09-10

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 张明 ,  李继鲁 ,  舒丽辉 ,  蒋谊

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/06

Abstract: 半导体器件台面防护方法及装置，通过在半导体元件的台面安装具有导电功能的导电防护装置对半导体元件的台面进行防护。所述的通过在半导体元件的台面安装具有导电功能的导电防护装置对半导体元件的台面进行防护可以是采用导电材料制作的导电防护罩，将防护罩罩在半导体元件台面实施对半导体元件台面的防护。所述的导电防护装置是由导电材料制作的，与半导体元件台面的形状及尺寸相配的导电防护罩，导电防护罩有一圈卡圈，卡圈正好卡在半导体元件台面的侧面上，使得导电防护罩与半导体元件台面处于过渡配合状态，导电防护罩的表面正好与半导体元件台面贴合在一起。并与半导体元件台面成为相互导体。

公开(公告)号：CN101740361A

公开(公告)日：2010-06-16

申请号：CN200910265540.1

申请日：2009-12-25

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 唐革 ,  舒丽辉 ,  操国宏 ,  黄建伟 ,  喻影

IPC: H01L21/223

Abstract: 本发明提供一种半导体器件制造过程中的铝杂质扩散掺杂方法，包括：在真空扩散炉中，以第一陶瓷舟中的高纯铝源对扩散管内壁和置于所述扩散管内部的硅舟进行饱和扩散掺杂；在扩散管内部放入盛有高纯铝源的第二陶瓷舟；以所述第二陶瓷舟中的高纯铝源、饱和扩散掺杂后的扩散管内壁和硅舟对置于所述硅舟上的试验芯片进行第一时间长度的扩散掺杂；测量所述试验芯片的薄层电阻，根据经验公式计算对正式芯片进行扩散掺杂所需的第二时间长度；在扩散管内部放入盛有高纯铝源的第二陶瓷舟；以所述第二陶瓷舟中的高纯铝源、饱和扩散掺杂后的扩散管内壁和硅舟对置于所述硅舟上的正式芯片进行第二时间长度的扩散掺杂。

公开(公告)号：CN101275284A

公开(公告)日：2008-10-01

申请号：CN200810000171.9

申请日：2008-01-02

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 刘国友 ,  王大江 ,  舒丽辉 ,  黄建伟 ,  邹冰艳

IPC: C30B31/06 ,  H01L21/223

Abstract: 本发明公开了一种铝杂质源转移扩散方法。该方法提供真空扩散炉和一个带有塞子的半封闭扩散管，先以高纯铝源对硅陪片和扩散管内壁进行饱和扩散掺杂，然后以饱和扩散掺杂后的硅陪片和扩散管内壁对试验芯片进行t1时间的扩散掺杂，测量试验芯片的薄层电阻，根据经验公式计算出正式芯片扩散所需时间t2，最后以饱和扩散掺杂后的硅陪片和扩散管内壁按照t2时间对正式芯片进行精确控制的扩散掺杂。因此可以降低生产成本、消除使用氢气的安全隐患，提供均匀、稳定和可控的芯片表面掺杂浓度。

公开(公告)号：CN101123225A

公开(公告)日：2008-02-13

申请号：CN200710035712.7

申请日：2007-09-10

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 张明 ,  李继鲁 ,  舒丽辉 ,  蒋谊

IPC: H01L23/00 ,  H01L23/06

Abstract: 半导体器件台面防护方法及装置，通过在半导体元件的台面安装具有导电功能的导电防护装置对半导体元件的台面进行防护。所述的通过在半导体元件的台面安装具有导电功能的导电防护装置对半导体元件的台面进行防护可以是采用导电材料制作的导电防护罩，将防护罩罩在半导体元件台面实施对半导体元件台面的防护。所述的导电防护装置是由导电材料制作的，与半导体元件台面的形状及尺寸相配的导电防护罩，导电防护罩有一圈卡圈，卡圈正好卡在半导体元件台面的侧面上，使得导电防护罩与半导体元件台面处于过渡配合状态，导电防护罩的表面正好与半导体元件台面贴合在一起。并与半导体元件台面成为相互导体。