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公开(公告)号：CN104637887B
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201510018159.0
申请日：2015-01-14
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种防爆整流管及其封装方法，该防爆整流管包括：管座，其包含底座以及环绕连接底座的瓷环；管盖，其与管座连接形成管壳；芯片组件，其设在管壳内；以及防爆缓冲组件，其连接在管壳内，在芯片组件周围形成防爆圈从而在爆炸时保护瓷环。该防爆整流管结构更简单、防爆效果更好。
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公开(公告)号：CN104589228A
公开(公告)日：2015-05-06
申请号：CN201510011812.0
申请日：2015-01-09
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: B25B7/02
Abstract: 本发明涉及一种钳子，其包括钳头和钳柄。钳头具有第一钳头件和第二钳头件，在第一和第二钳头件上分别设有第一和第二钳口件。第一钳口件具有第一夹合面，而第二钳口件具有第二夹合面。在第一夹合面上设有凸条，在第二夹合面上设有凹槽。其中，当第一钳头件与第二钳头件合并时，凸条能够进入到凹槽内，当第一钳头件与第二钳头件分离时，凸条能够从凹槽内移出。根据本发明的钳子通过凸条和凹槽来夹扁金属接线端子，这种夹扁方式能够保证该钳子在频繁使用后仍就可以有效地夹扁金属接线端子，使得导线能被牢固地固定在金属接线端子内，从而防止断路现象的产生。
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公开(公告)号：CN103346130A
公开(公告)日：2013-10-09
申请号：CN201310272369.3
申请日：2013-07-01
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种GCT门极绝缘座及门极组件，所述绝缘座为单向开口的腔体，所述腔体包括内侧壁、外侧壁和底部，所述外侧壁包括若干个间断的外子侧壁，所述内侧壁的内表面和/或所述外侧壁的至少一个外子侧壁的外表面呈阶梯式结构，即该内侧壁的内表面和/或外侧壁的外表面具有至少一个台阶。在GCT元件封装时，与绝缘座配合的内外阴极钼片可以放置在该台阶上，这样不仅可以减小绝缘座与阴极钼片之间的间隙而且可为阴极钼片提供一定的预紧力，从而限定阴极钼片的横向偏动和纵向偏动。通过该台阶对阴极钼片的限制，避免了阴极钼片与绝缘座之间的挤压变形而引发的器件门极和阴极之间的短路，确保了GCT元件的封装合格率。
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公开(公告)号：CN107180800B
公开(公告)日：2019-10-29
申请号：CN201610134590.6
申请日：2016-03-10
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体器件的压装装置，包括顶压组件、多个散热器及两组绝缘支撑板，两组所述绝缘支撑板平行且相对布置，沿绝缘支撑板的长度方向，多个所述散热器水平支撑于两组所述绝缘支撑板之间，位于底层的所述散热器通过紧固件固定于所述绝缘支撑板上；所述顶压组件位于两组所述绝缘支撑板之间，且作用于位于顶层的所述散热器上。本发明具有操作简便、压装可靠性高，且体积重量小的半导体器件的优点。
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公开(公告)号：CN107180800A
公开(公告)日：2017-09-19
申请号：CN201610134590.6
申请日：2016-03-10
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明提供一种半导体器件的压装装置，包括顶压组件、多个散热器及两组绝缘支撑板，两组所述绝缘支撑板平行且相对布置，沿绝缘支撑板的长度方向，多个所述散热器水平支撑于两组所述绝缘支撑板之间，位于底层的所述散热器通过紧固件固定于所述绝缘支撑板上；所述顶压组件位于两组所述绝缘支撑板之间，且作用于位于顶层的所述散热器上。本发明具有操作简便、压装可靠性高，且体积重量小的半导体器件的优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102148169B
公开(公告)日：2012-12-12
申请号：CN201110000505.4
申请日：2011-01-04
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
CPC classification number: H01L24/01 , H01L2924/1301 , H01L2924/13055 , H01L2924/13091 , H01L2924/351 , H01L2924/00
Abstract: 本发明涉及一种碳化硅功率模块的封装方法，包括以下步骤：在钼板上焊接一层氮化铝隔离层，将碳化硅芯片放置到氮化铝隔离层的空格中，与钼板焊接；在碳化硅芯片上焊接钼块，钼块上预留门极引线槽；将引线放置在门极引线槽内，焊接固定，收集引线并引出；用环氧树脂将钼板、氮化铝隔离层及碳化硅芯片整体浇筑成型，安装底座、管壳和管盖，进行封装。本发明还提供一种碳化硅功率模块。本发明可使碳化硅功率模块在大功率、高温工作条件下具有较高的可靠性，较强的热循环能力。
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公开(公告)号：CN104952809B
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201410113107.7
申请日：2014-03-25
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于IGBT模块的基板及IGBT模块封装的方法，该基板包括AlSiC层和铝合金层，所述铝合金层位于AlSiC层底部的表面形成待机械加工层。该方法的步骤为：（1）制作基板；先由SiC粉末堆积成均匀的多孔隙结构的预制件，然后将液态铝合金浸渗到预制件中，形成AlSiC层；再继续注入液态铝合金，在基板的表面形成一层铝合金层；（2）使用上述基板完成IGBT封装之后，基板的底部会向内凹陷；此时，采用机械加工将基板的底部加工平整，消除内凹的弧度。本发明具有加工简便、加工成本低、能够提高可靠性等优点。
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公开(公告)号：CN103346130B
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201310272369.3
申请日：2013-07-01
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种GCT门极绝缘座及门极组件，所述绝缘座为单向开口的腔体，所述腔体包括内侧壁、外侧壁和底部，所述外侧壁包括若干个间断的外子侧壁，所述内侧壁的内表面和/或所述外侧壁的至少一个外子侧壁的外表面呈阶梯式结构，即该内侧壁的内表面和/或外侧壁的外表面具有至少一个台阶。在GCT元件封装时，与绝缘座配合的内外阴极钼片可以放置在该台阶上，这样不仅可以减小绝缘座与阴极钼片之间的间隙而且可为阴极钼片提供一定的预紧力，从而限定阴极钼片的横向偏动和纵向偏动。通过该台阶对阴极钼片的限制，避免了阴极钼片与绝缘座之间的挤压变形而引发的器件门极和阴极之间的短路，确保了GCT元件的封装合格率。
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公开(公告)号：CN104952809A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201410113107.7
申请日：2014-03-25
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于IGBT模块的基板及IGBT模块封装的方法，该基板包括AlSiC层和铝合金层，所述铝合金层位于AlSiC层底部的表面形成待机械加工层。该方法的步骤为：（1）制作基板；先由SiC粉末堆积成均匀的多孔隙结构的预制件，然后将液态铝合金浸渗到预制件中，形成AlSiC层；再继续注入液态铝合金，在基板的表面形成一层铝合金层；（2）使用上述基板完成IGBT封装之后，基板的底部会向内凹陷；此时，采用机械加工将基板的底部加工平整，消除内凹的弧度。本发明具有加工简便、加工成本低、能够提高可靠性等优点。
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公开(公告)号：CN103675622A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310646011.2
申请日：2013-12-04
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: G01R31/12
Abstract: 本发明提供了一种用于测试IGBT模块的局部放电的装置，包括提供了一种用于测试IGBT模块的局部放电的装置，包括用于安放需要测试的IGBT模块的绝缘定位支座、设置在绝缘定位支座上的探针机构，以及加载单元，加载单元能驱动探针机构沿轴向运动，从而与需要测试的IGBT模块端口相接触。此外，还包括容纳探针机构的绝缘壳体。此装置结构简单，容易操作，提高了测试效率和安全性。同时，减小了测试中对IGBT的损伤。本发明还提供了一种用上述的测试装置来测试局部放电的方法。
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