-
公开(公告)号：CN102437837A
公开(公告)日：2012-05-02
申请号：CN201110241436.6
申请日：2011-08-22
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种MVB和WTB测试帧的生成方法，该方法为：设定参数；生成点序列；生成帧的各部分；帧拼接；将完整的帧的点序列通过函数信号发生器识别的指令发送到函数信号发生器中，函数信号发生器生成波形，本发明的MVB和WTB的标准帧、畸变帧与错误帧的生成方法针对MVB/WTB波形进行编辑，可以调整波形的上升沿、下降沿时间、编辑畸变(改变上升沿、下降沿时间，改变脉冲宽度)、错误(改变编码方式，错误的CRC校验码，改变起始位，终止位，改变帧头)的MVB/WTB波形，可以设定波形发送频率而不改变波形信号的固有周期；组成波形的各个部分都可以重复使用，各部分都用不同函数封装好，解决了当前波形编辑器不支持MVB/WTB中的曼彻斯特编码编辑的问题。
-
公开(公告)号：CN102307120A
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN201110241447.4
申请日：2011-08-22
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H04L12/26
Abstract: 本发明公开了一种MVB和WTB物理层一致性测试平台的搭建方法及搭建的平台，该方法为：测试平台需求分析；测试平台各设备参数确定；测试平台搭建；测试平台误差修正；测试平台不确定度评定，本发明的方法能够系统地测试出MVB和WTB设备的多项指标，全面地评估出MVB和WTB设备的物理特性，以及它的指标是否能够满足标准上的相应要求。
-
-
公开(公告)号：CN101071163B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200710123594.5
申请日：2007-06-29
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明公开一种变流器的试验电路，其被试变流器工作在“直流-单相交流或三相交流”的逆变方式，即将输入的直流电变换为单相或三相的交流电，被试变流器直流母线连接直流电源，并且在直流电源的正负极之间连接有储能电容器，被试变流器交流端连接高感性负载，该高感性负载的功率因数值不高于0.5，试验时，所述被试变流器在脉冲宽度调制下工作，加在直流母线上的电能通过所述被试变流器，流向所述高感性负载，使所述高感性负载与所述储能电容器通过无功功率实现受控的能量循环往复。采用该种试验电路，只要对所述变流器进行合适的控制，就可以使变流器工作在与实际工作时相同的电流和功率状况下，获得与现有技术同样有效的试验数据，而实际的损耗能量却很小。
-
公开(公告)号：CN101291130A
公开(公告)日：2008-10-22
申请号：CN200810111288.4
申请日：2008-06-13
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H02P21/00
CPC classification number: H02P27/12
Abstract: 本发明提供一种基于空间矢量的同步调制方法，采样参考电压矢量的频率f；由所述频率f查频率与载波比的关系表，得到载波比N；由Δθ＝2π/N获得所述参考电压矢量经过的角度Δθ；由θm＝(Nth－1)×Δθ获得参考电压矢量调制的角度θm，Nth表示第几次采样；根据调制比－频率曲线得到调制比m；由参考电压矢量调制的角度θm、经过的角度Δθ和调制比m计算合成所述参考电压矢量的三个基本电压矢量的输出角度；将所述参考电压矢量角度θ的变化量Δθf与所述三个基本电压矢量的输出角度比较，根据比较结果输出相应的基本电压矢量。本发明直接以角度为基准，避免了将角度换算成时间来计算，减少了计算步骤，在参考电压频率f动态变化时，准确地保持同步调制角度。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106684146B
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201510767499.3
申请日：2015-11-11
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/43
Abstract: 本发明涉及一种栅自对准型碳化硅MOSFET及其制备方法。该方法以多晶碳化硅作为碳化硅MOSFET的自对准栅电极前体来制备栅自对准型碳化硅MOSFET，制备过程中利用多晶碳化硅替代多晶硅作为栅自对准离子注入掩膜，可以使碳化硅MOSFET的制备完全执行硅MISFET制造过程中所执行的栅自对准工艺，由此解决了现有沟道自对准工艺的金属污染和低对准精度的问题。
-
公开(公告)号：CN105226104B
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201510737969.1
申请日：2015-11-03
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L21/04
Abstract: 本申请公开了一种碳化硅肖特基二极管及其制备方法，其中，所述二极管包括：第一掺杂类型碳化硅衬底；位于所述衬底一侧的阴极；位于所述衬底背离所述阴极一侧的外延层；位于所述外延层表面的阳极；所述外延层的掺杂浓度由所述阳极边界至所述衬底边界逐渐增高。对于所述二极管的外延层来讲，高掺杂浓度有利于降低所述二极管的导通电阻，低掺杂浓度有利于提升所述二极管的耐压能力。而发明人研究发现，当所述二极管处于反偏状态时，内建电场强度由所述二极管的阳极边界至所述衬底边界逐渐减弱。因此将所述二极管可以在保持耐压能力不变的前提下，降低正向导通电阻，进而降低其导通压降和总体功耗。
-
公开(公告)号：CN105405749A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201510730587.6
申请日：2015-11-02
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/04
Abstract: 本发明涉及碳化硅器件制造技术领域，尤其涉及用碳化硅沟槽型器件的制备过程。本发明提供了一种刻蚀碳化硅的方法，所述方法包括如下步骤：步骤B：在与碳化硅需要刻蚀的区域同一面上的不需要刻蚀的区域的表面生长掩膜层；步骤C：对所述需要刻蚀的区域进行刻蚀，得到碳化硅栅槽；步骤D：使用气体对所述栅槽退火，其中，所述气体包括含氯的气体和氧化性气体，以及任选地载体气体，其中所述载体气体包括氦气、氖气、氩气、氪气和氙气中的一种；步骤E：去除所述掩膜层。
-
公开(公告)号：CN105226104A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510737969.1
申请日：2015-11-03
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L21/04
Abstract: 本申请公开了一种碳化硅肖特基二极管及其制备方法，其中，所述二极管包括：第一掺杂类型碳化硅衬底；位于所述衬底一侧的阴极；位于所述衬底背离所述阴极一侧的外延层；位于所述外延层表面的阳极；所述外延层的掺杂浓度由所述阳极边界至所述衬底边界逐渐增高。对于所述二极管的外延层来讲，高掺杂浓度有利于降低所述二极管的导通电阻，低掺杂浓度有利于提升所述二极管的耐压能力。而发明人研究发现，当所述二极管处于反偏状态时，内建电场强度由所述二极管的阳极边界至所述衬底边界逐渐减弱。因此将所述二极管可以在保持耐压能力不变的前提下，降低正向导通电阻，进而降低其导通压降和总体功耗。
-
公开(公告)号：CN104333208A
公开(公告)日：2015-02-04
申请号：CN201410582727.5
申请日：2014-10-27
Applicant: 中南大学 , 株洲南车时代电气股份有限公司
CPC classification number: H02M1/32 , G01R31/024 , H02M2001/325
Abstract: 本发明公开了一种三段桥式变流电路开路故障处理装置及诊断方法，其中包括故障处理单元，用于接收、处理三段桥式变流电路的部分输入电压U2及输出电压U1，对得出的结果波形进行编码处理，通过编码确定发生故障的开关管；通过变流控制器改变各开关管触发脉冲，同时改变所述三段桥式变流电路的连接方式，以实现在发生故障后，所述三段桥式变流电路的输出电压U1仍可以在0和原额定电压Ud间全范围调整。提供了一种兼具故障检测、定位以及容错控制的故障诊断方法，大大提高了轨道交通的安全性。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
68
records
(took 0.035 seconds)
