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公开(公告)号：CN104810255A
公开(公告)日：2015-07-29
申请号：CN201510091202.6
申请日：2015-02-28
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
CPC classification number: H01L21/02052 , H01L21/02057 , H01L21/02096 , H01L21/0445
Abstract: 本发明公开了一种用于碳化硅器件表面碳保护膜去除的方法。本发明所提供的方法包括如下步骤：1)将表面负载有碳保护膜的SiC晶圆浸没在液相除碳剂中进行超声处理；2)将超声处理后的SiC晶圆置于后处理剂中进行后处理。本发明的方法通过湿法氧化、超声及后处理等步骤的协同配合，不仅能够有效去除碳化硅表面的碳保护膜，而且还可能够对碳保护膜中残留的各种杂质起到很好的去除效果。另外，本发明的方法避免了碳保护膜去除过程中对SiC表面所造成的损伤，有利于后续加工工艺。
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公开(公告)号：CN104576325B
公开(公告)日：2017-07-21
申请号：CN201510041144.6
申请日：2015-01-27
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/04
Abstract: 本申请公开了一种制作碳化硅SBD器件的方法及其正面保护方法，包括：在碳化硅晶圆正面的氧化层上设置类金刚石膜；去除所述碳化硅晶圆的背面的氧化层；在所述碳化硅晶圆的背面制作欧姆接触；在所述碳化硅晶圆的正面刻蚀窗口；在所述碳化硅晶圆的正面制作肖特基接触。在该方法中，由于类金刚石膜具有良好的抗蚀性和较高的硬度，从而能够保护正面不受腐蚀或划伤，而成膜过程中，成膜物质不会留在晶圆的背面，从而能够提高欧姆接触的可靠性及器件成品率，另外该类金刚石膜可直接作为器件的钝化层，无需去除，从而减少了工序。
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公开(公告)号：CN104882369A
公开(公告)日：2015-09-02
申请号：CN201410071399.2
申请日：2014-02-28
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/266
CPC classification number: H01L21/266 , H01L21/033 , H01L21/26506
Abstract: 本发明公开了碳化硅离子注入掺杂掩膜结构及其制备方法，一种掩膜结构是在碳化硅外延片表面形成第一阻挡层二氧化硅（SiO2），另外在非注入区的第一阻挡层上再形成第二阻挡层多晶硅（Poly-Si）。另一种掩膜结构是在碳化硅外延片表面形成第一阻挡层二氧化硅，另外在非注入区的第一阻挡层上再形成第二阻挡层多晶硅，在第二阻挡层上形成第三阻挡层二氧化硅。本发明掩膜结构及其制备方法能够解决离子注入SiC外延片后的箱型杂质浓度不均匀分布现象，同时能够减少高能离子注入SiC外延片带来的表面损伤。
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公开(公告)号：CN104319292A
公开(公告)日：2015-01-28
申请号：CN201410619758.3
申请日：2014-11-06
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/336
CPC classification number: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/24 , H01L29/34 , H01L29/66477
Abstract: 本发明提供了一种新型碳化硅MOSFET及其制造方法，本发明中在碳化硅MOSFET器件在全部离子注入后，在P阱表面外延一层表面粗糙度较低的P－外延层，载流子输运在P－外延层反型沟道，由于P－外延层的粗糙度小于P阱表面的粗糙度，所以降低了反型层沟道中载流子碰撞或散射几率，提高碳化硅MOSFET器件反型沟道载流子迁移率，降低器件导通电阻。
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公开(公告)号：CN104282766A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201410620019.6
申请日：2014-11-06
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L21/22 , H01L21/265
CPC classification number: H01L29/78 , H01L29/06 , H01L29/24 , H01L29/34 , H01L29/66477
Abstract: 本发明提供了一种新型碳化硅MOSFET及其制造方法，本发明中在碳化硅MOSFET器件在P阱离子注入后，在P阱表面外延一层表面粗糙度较低的P－外延层，载流子输运在P－外延层反型沟道，由于P－外延层的粗糙度小于P阱表面的粗糙度，所以降低了反型层沟道中载流子碰撞或散射几率，提高碳化硅MOSFET器件反型沟道载流子迁移率，降低器件导通电阻。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104282765A
公开(公告)日：2015-01-14
申请号：CN201410619955.5
申请日：2014-11-06
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种新型的碳化硅MOS器件及其制造方法，本发明在干法刻蚀后形成的粗糙度较大的栅槽内表面外延一层P－外延层，由于外延层之后的P－外延层的表面粗糙度较低，所以导电沟道中载流子碰撞或散射几率会降低，从而提高碳化硅MOS器件反型沟道载流子迁移率，达到降低器件导通电阻的目的。
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公开(公告)号：CN105226104B
公开(公告)日：2018-11-30
申请号：CN201510737969.1
申请日：2015-11-03
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L21/04
Abstract: 本申请公开了一种碳化硅肖特基二极管及其制备方法，其中，所述二极管包括：第一掺杂类型碳化硅衬底；位于所述衬底一侧的阴极；位于所述衬底背离所述阴极一侧的外延层；位于所述外延层表面的阳极；所述外延层的掺杂浓度由所述阳极边界至所述衬底边界逐渐增高。对于所述二极管的外延层来讲，高掺杂浓度有利于降低所述二极管的导通电阻，低掺杂浓度有利于提升所述二极管的耐压能力。而发明人研究发现，当所述二极管处于反偏状态时，内建电场强度由所述二极管的阳极边界至所述衬底边界逐渐减弱。因此将所述二极管可以在保持耐压能力不变的前提下，降低正向导通电阻，进而降低其导通压降和总体功耗。
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公开(公告)号：CN105226104A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510737969.1
申请日：2015-11-03
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/872 , H01L29/06 , H01L21/04
Abstract: 本申请公开了一种碳化硅肖特基二极管及其制备方法，其中，所述二极管包括：第一掺杂类型碳化硅衬底；位于所述衬底一侧的阴极；位于所述衬底背离所述阴极一侧的外延层；位于所述外延层表面的阳极；所述外延层的掺杂浓度由所述阳极边界至所述衬底边界逐渐增高。对于所述二极管的外延层来讲，高掺杂浓度有利于降低所述二极管的导通电阻，低掺杂浓度有利于提升所述二极管的耐压能力。而发明人研究发现，当所述二极管处于反偏状态时，内建电场强度由所述二极管的阳极边界至所述衬底边界逐渐减弱。因此将所述二极管可以在保持耐压能力不变的前提下，降低正向导通电阻，进而降低其导通压降和总体功耗。
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公开(公告)号：CN104576325A
公开(公告)日：2015-04-29
申请号：CN201510041144.6
申请日：2015-01-27
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/04
Abstract: 本申请公开了一种制作碳化硅SBD器件的方法及其正面保护方法，包括：在碳化硅晶圆正面的氧化层上设置类金刚石膜；去除所述碳化硅晶圆的背面的氧化层；在所述碳化硅晶圆的背面制作欧姆接触；在所述碳化硅晶圆的正面刻蚀窗口；在所述碳化硅晶圆的正面制作肖特基接触。在该方法中，由于类金刚石膜具有良好的抗蚀性和较高的硬度，从而能够保护正面不受腐蚀或划伤，而成膜过程中，成膜物质不会留在晶圆的背面，从而能够提高欧姆接触的可靠性及器件成品率，另外该类金刚石膜可直接作为器件的钝化层，无需去除，从而减少了工序。
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公开(公告)号：CN104966735A
公开(公告)日：2015-10-07
申请号：CN201510274919.4
申请日：2015-05-26
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L29/423 , H01L21/04
CPC classification number: H01L29/78 , H01L21/049 , H01L29/42368 , H01L29/66068
Abstract: 本发明涉及一种碳化硅MOSFET器件，采用阶梯形的栅氧化层结构，位于沟道和部分N+源区上方的为第一栅氧化层，其厚度为40～60nm；位于JFET区上方的为第二栅氧化层，其厚度为100～200nm。优选所述碳化硅MOSFET器件的JFET区宽度为2～6μm。本发明在有效减小栅氧化层电场强度的同时，不致影响器件阈值电压和栅控特性。继而充分扩展设计余量，通过采用较宽的JFET区结构，进一步减小器件导通电阻。
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