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公开(公告)号：CN104659114A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201510043980.8
申请日：2015-01-28
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明涉及MOS电容以及其制造方法。该方法包括，步骤一：在基板上设置SiC外延层；步骤二：在SiC外延层上设置氧隔离层；步骤三：在氧隔离层上设置硅层；步骤四：将硅层氧化成SiO2层。根据本方法制造的MOS电容，反型沟道载流子迁移较高，MOS电容的性能较好。
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公开(公告)号：CN106684146B
公开(公告)日：2020-03-24
申请号：CN201510767499.3
申请日：2015-11-11
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/43
Abstract: 本发明涉及一种栅自对准型碳化硅MOSFET及其制备方法。该方法以多晶碳化硅作为碳化硅MOSFET的自对准栅电极前体来制备栅自对准型碳化硅MOSFET，制备过程中利用多晶碳化硅替代多晶硅作为栅自对准离子注入掩膜，可以使碳化硅MOSFET的制备完全执行硅MISFET制造过程中所执行的栅自对准工艺，由此解决了现有沟道自对准工艺的金属污染和低对准精度的问题。
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公开(公告)号：CN105405749A
公开(公告)日：2016-03-16
申请号：CN201510730587.6
申请日：2015-11-02
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/04
Abstract: 本发明涉及碳化硅器件制造技术领域，尤其涉及用碳化硅沟槽型器件的制备过程。本发明提供了一种刻蚀碳化硅的方法，所述方法包括如下步骤：步骤B：在与碳化硅需要刻蚀的区域同一面上的不需要刻蚀的区域的表面生长掩膜层；步骤C：对所述需要刻蚀的区域进行刻蚀，得到碳化硅栅槽；步骤D：使用气体对所述栅槽退火，其中，所述气体包括含氯的气体和氧化性气体，以及任选地载体气体，其中所述载体气体包括氦气、氖气、氩气、氪气和氙气中的一种；步骤E：去除所述掩膜层。
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公开(公告)号：CN105405749B
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201510730587.6
申请日：2015-11-02
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/04
Abstract: 本发明涉及碳化硅器件制造技术领域，尤其涉及用碳化硅沟槽型器件的制备过程。本发明提供了一种刻蚀碳化硅的方法，所述方法包括如下步骤：步骤B：在与碳化硅需要刻蚀的区域同一面上的不需要刻蚀的区域的表面生长掩膜层；步骤C：对所述需要刻蚀的区域进行刻蚀，得到碳化硅栅槽；步骤D：使用气体对所述栅槽退火，其中，所述气体包括含氯的气体和氧化性气体，以及任选地载体气体，其中所述载体气体包括氦气、氖气、氩气、氪气和氙气中的一种；步骤E：去除所述掩膜层。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104659114B
公开(公告)日：2018-04-27
申请号：CN201510043980.8
申请日：2015-01-28
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明涉及MOS电容以及其制造方法。该方法包括方法包括，步骤一：在基板上设置SiC外延层；步骤二：在SiC外延层上设置氧隔离层；步骤三：在氧隔离层上设置硅层；步骤四：将硅层氧化成SiO2层。根据本方法制造的MOS电容，反型沟道载流子迁移较高，MOS电容的性能较好。
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公开(公告)号：CN105070662A
公开(公告)日：2015-11-18
申请号：CN201510545841.5
申请日：2015-08-31
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/336 , H01L29/78 , H01L29/43 , H01L29/423
CPC classification number: H01L29/66477 , H01L29/42372 , H01L29/43 , H01L29/78
Abstract: 本申请公开了一种碳化硅MOSFET的制造方法，包括：在碳化硅外延片上制作场氧窗口，在所述场氧窗口内形成二氧化硅绝缘膜；在所述二氧化硅绝缘膜上沉积一层多晶碳化硅；刻蚀所述多晶碳化硅，留下的多晶碳化硅作为栅电极；刻蚀所述二氧化硅绝缘膜；对所述多晶碳化硅进行掺杂并退火。由于上述方法中，利用掺杂多晶碳化硅制作碳化硅MOSFET的栅电极，因此能够提高对器件阈值电压的调节能力，并能降低栅信号延迟时间。
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公开(公告)号：CN104658903A
公开(公告)日：2015-05-27
申请号：CN201510050088.2
申请日：2015-01-30
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/28 , H01L21/285
CPC classification number: H01L21/02529 , H01L21/283 , H01L21/324
Abstract: 本发明涉及一种制备SiC MOSFET栅氧化层的方法，属于SiC MOSFET器件领域。所述方法包括在SiC外延层上热生长SiO2栅氧化层，然后在500～1000℃，优选700～800℃下，包含SiH2Cl2的环境中退火该栅氧化层。优选SiH2Cl2以0.5slm-2slm的速率通入，退火压力为100～1000mbar，保持时间30～180min。所述方法仅使用SiH2Cl2退火栅介质SiO2层，可以兼顾单独使用H2和Cl2退火的效果，同时消除SiO2栅介质层中的氧空位陷阱电荷和SiO2/SiC界面存在的悬挂键。
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公开(公告)号：CN106684146A
公开(公告)日：2017-05-17
申请号：CN201510767499.3
申请日：2015-11-11
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H01L29/423 , H01L29/43
Abstract: 本发明涉及一种栅自对准型碳化硅MOSFET及其制备方法。该方法以多晶碳化硅作为碳化硅MOSFET的自对准栅电极前体来制备栅自对准型碳化硅MOSFET，制备过程中利用多晶碳化硅替代多晶硅作为栅自对准离子注入掩膜，可以使碳化硅MOSFET的制备完全执行硅MISFET制造过程中所执行的栅自对准工艺，由此解决了现有沟道自对准工艺的金属污染和低对准精度的问题。
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公开(公告)号：CN105244264A
公开(公告)日：2016-01-13
申请号：CN201510711271.2
申请日：2015-10-28
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
CPC classification number: H01L28/75 , H01L21/28008
Abstract: 本发明公开了一种复合栅结构电容及其制造方法，该电容包括：SiC衬底；SiC外延层，其设置于SiC衬底上；过渡层，其设置于SiC外延层上；绝缘层，其设置于过渡层上，其中，过渡层为异质双层晶体结构，异质双层晶体结构靠近外延层的一层用于降低界面态密度，靠近绝缘层的一层用于提高过渡层的稳定性。本发明可以降低SiC外延层与过渡层的界面态密度，提高过渡层的稳定性，还可以提高电容的耐压能力。
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