公开(公告)号：CN105070662A

公开(公告)日：2015-11-18

申请号：CN201510545841.5

申请日：2015-08-31

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 陈喜明 ,  邵云 ,  李诚瞻 ,  赵艳黎 ,  高云斌 ,  丁荣军

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/43 ,  H01L29/423

CPC classification number: H01L29/66477 ,  H01L29/42372 ,  H01L29/43 ,  H01L29/78

Abstract: 本申请公开了一种碳化硅MOSFET的制造方法，包括：在碳化硅外延片上制作场氧窗口，在所述场氧窗口内形成二氧化硅绝缘膜；在所述二氧化硅绝缘膜上沉积一层多晶碳化硅；刻蚀所述多晶碳化硅，留下的多晶碳化硅作为栅电极；刻蚀所述二氧化硅绝缘膜；对所述多晶碳化硅进行掺杂并退火。由于上述方法中，利用掺杂多晶碳化硅制作碳化硅MOSFET的栅电极，因此能够提高对器件阈值电压的调节能力，并能降低栅信号延迟时间。

公开(公告)号：CN203094825U

公开(公告)日：2013-07-31

申请号：CN201320046368.2

申请日：2013-01-29

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 郭金童 ,  邵云 ,  熊辉 ,  田媛 ,  孙文伟 ,  颜骥 ,  张新元 ,  严冰

IPC: B65D85/86

Abstract: 本实用新型公开了一种半导体元件包装结构，包括：连接成一体的盖板和底板，以及设置于盖板和底板之间的固定板。固定板设置在底板上。在固定板上设置有一个以上的定位孔，用于固定半导体元件的瓷环。在定位孔的一侧开有电极卡槽，在电极卡槽的一侧设置有导线沟槽，导线沟槽用于收纳半导体元件的导线。本实用新型解决了现有包装结构在半导体元件包装储运过程中，效率低下和安全包装、运输的问题，有效地保护了门阴极避免碰撞，保证元件无需缠绕，避免了打结，同时器件固定牢固无转动，提高了劳动效率。