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公开(公告)号：CN105428407B
公开(公告)日：2018-07-13
申请号：CN201510786049.9
申请日：2015-11-16
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/08 , H01L29/423 , H01L21/331
Abstract: 本申请提供了一种IGBT器件，包括：半导体结构，所述半导体结构包括漂移区，阱区、发射区，所述发射区顶面高出所述半导体结构的上表面，且底面与所述半导体结构的上表面的距离为0～1μm；位于所述阱区两侧的发射区之间且与所述发射区电连接的发射极，位于所述发射极两侧的栅区，所述栅区具有台阶部分和水平部分，所述台阶部分和所述水平部分为一体结构，所述栅区的水平部分覆盖所述发射区背向所述发射极一侧的阱区和漂移区，所述台阶部分覆盖至少部分所述发射区的顶面。该结构避免了栅区端部“鸟嘴”结构对器件阈值电压的影响，同时，缩短了关断电流在阱区的路径，减少了损耗，且最大程度的避免了闩锁效应。
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公开(公告)号：CN104952809B
公开(公告)日：2017-12-12
申请号：CN201410113107.7
申请日：2014-03-25
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于IGBT模块的基板及IGBT模块封装的方法，该基板包括AlSiC层和铝合金层，所述铝合金层位于AlSiC层底部的表面形成待机械加工层。该方法的步骤为：（1）制作基板；先由SiC粉末堆积成均匀的多孔隙结构的预制件，然后将液态铝合金浸渗到预制件中，形成AlSiC层；再继续注入液态铝合金，在基板的表面形成一层铝合金层；（2）使用上述基板完成IGBT封装之后，基板的底部会向内凹陷；此时，采用机械加工将基板的底部加工平整，消除内凹的弧度。本发明具有加工简便、加工成本低、能够提高可靠性等优点。
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公开(公告)号：CN104952809A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201410113107.7
申请日：2014-03-25
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种用于IGBT模块的基板及IGBT模块封装的方法，该基板包括AlSiC层和铝合金层，所述铝合金层位于AlSiC层底部的表面形成待机械加工层。该方法的步骤为：（1）制作基板；先由SiC粉末堆积成均匀的多孔隙结构的预制件，然后将液态铝合金浸渗到预制件中，形成AlSiC层；再继续注入液态铝合金，在基板的表面形成一层铝合金层；（2）使用上述基板完成IGBT封装之后，基板的底部会向内凹陷；此时，采用机械加工将基板的底部加工平整，消除内凹的弧度。本发明具有加工简便、加工成本低、能够提高可靠性等优点。
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公开(公告)号：CN103675622A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201310646011.2
申请日：2013-12-04
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: G01R31/12
Abstract: 本发明提供了一种用于测试IGBT模块的局部放电的装置，包括提供了一种用于测试IGBT模块的局部放电的装置，包括用于安放需要测试的IGBT模块的绝缘定位支座、设置在绝缘定位支座上的探针机构，以及加载单元，加载单元能驱动探针机构沿轴向运动，从而与需要测试的IGBT模块端口相接触。此外，还包括容纳探针机构的绝缘壳体。此装置结构简单，容易操作，提高了测试效率和安全性。同时，减小了测试中对IGBT的损伤。本发明还提供了一种用上述的测试装置来测试局部放电的方法。
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公开(公告)号：CN101217108B
公开(公告)日：2010-06-09
申请号：CN200810000173.8
申请日：2008-01-02
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/00 , H01L21/306
Abstract: 本发明公开了一种芯片台面腐蚀装置，主要包括隔片和芯片架；所述隔片为圆形片状；所述芯片架包括档板、锁紧装置、旋转装置以及固定架；所述挡板位于芯片架的两侧，在挡板外侧连接有锁紧装置，所述锁紧装置可以向内侧挤压挡板，使挡板将装在挡板之间的隔片和芯片夹紧，所述旋转装置套接在锁紧装置外侧，锁紧装置嵌套在所述固定架的侧面内，与侧面连接，锁紧装置和旋转装置从固定架侧面的两边伸出。本发明免除了芯片保护涂层的涂布和去除解决了传统方法的工艺程序复杂，时间长的问题。并且本发明操作简单一次可装载数十片同时进行腐蚀，大大提高了工作效率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN103675622B
公开(公告)日：2017-01-04
申请号：CN201310646011.2
申请日：2013-12-04
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: G01R31/12
Abstract: 本发明提供了一种用于测试IGBT模块的局部放电的装置，包括提供了一种用于测试IGBT模块的局部放电的装置，包括用于安放需要测试的IGBT模块的绝缘定位支座、设置在绝缘定位支座上的探针机构，以及加载单元，加载单元能驱动探针机构沿轴向运动，从而与需要测试的IGBT模块端口相接触。此外，还包括容纳探针机构的绝缘壳体。此装置结构简单，容易操作，提高了测试效率和安全性。同时，减小了测试中对IGBT的损伤。本发明还提供了一种用上述的测试装置来测试局部放电的方法。
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公开(公告)号：CN104637887A
公开(公告)日：2015-05-20
申请号：CN201510018159.0
申请日：2015-01-14
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种防爆整流管及其封装方法，该防爆整流管包括：管座，其包含底座以及环绕连接底座的瓷环；管盖，其与管座连接形成管壳；芯片组件，其设在管壳内；以及防爆缓冲组件，其连接在管壳内，在芯片组件周围形成防爆圈从而在爆炸时保护瓷环。该防爆整流管结构更简单、防爆效果更好。
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公开(公告)号：CN1828847A
公开(公告)日：2006-09-06
申请号：CN200610031192.8
申请日：2006-01-25
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L21/332 , H01L21/50
Abstract: 本发明公开了一种晶闸管门极与阴极隔离的制造方法，包括晶闸管的芯片准备(1)、测试(12)和封装(14)，在测试(12)之前进行的步骤是，掩膜挡片和封装垫片制作(2)，掩膜挡片安装(3)，对准掩膜图形进行芯片安装(4)，第一次蒸发(5)，取下掩膜挡片和芯片(6)，再一次进行芯片安装(7)，第二次蒸发(8)，常规工艺退火(9)，刻蚀(10)，台面造型与保护(11)，在封装(14)之前，进行防止电迁移的封装垫片安装(13)。本发明采用掩膜、蒸发和光刻技术相结合的工艺方法，不需要粘贴阴极导电片就实现了门极、放大门极与阴极的隔离，有效地防止器件在其后的测试封装过程中受到损伤。适合晶闸管制造商或生产企业采用。
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公开(公告)号：CN104637887B
公开(公告)日：2018-05-18
申请号：CN201510018159.0
申请日：2015-01-14
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种防爆整流管及其封装方法，该防爆整流管包括：管座，其包含底座以及环绕连接底座的瓷环；管盖，其与管座连接形成管壳；芯片组件，其设在管壳内；以及防爆缓冲组件，其连接在管壳内，在芯片组件周围形成防爆圈从而在爆炸时保护瓷环。该防爆整流管结构更简单、防爆效果更好。
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公开(公告)号：CN105428407A
公开(公告)日：2016-03-23
申请号：CN201510786049.9
申请日：2015-11-16
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L29/08 , H01L29/423 , H01L21/331
Abstract: 本申请提供了一种IGBT器件，包括：半导体结构，所述半导体结构包括漂移区，阱区、发射区，所述发射区顶面高出所述半导体结构的上表面，且底面与所述半导体结构的上表面的距离为0～1μm；位于所述阱区两侧的发射区之间且与所述发射区电连接的发射极，位于所述发射极两侧的栅区，所述栅区具有台阶部分和水平部分，所述台阶部分和所述水平部分为一体结构，所述栅区的水平部分覆盖所述发射区背向所述发射极一侧的阱区和漂移区，所述台阶部分覆盖至少部分所述发射区的顶面。该结构避免了栅区端部“鸟嘴”结构对器件阈值电压的影响，同时，缩短了关断电流在阱区的路径，减少了损耗，且最大程度的避免了闩锁效应。
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