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公开(公告)号：CN105633065B
公开(公告)日：2019-01-08
申请号：CN201410694909.1
申请日：2014-11-27
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种功率模块芯片电极连接结构，包括衬底，所述衬底上的芯片电极区设有用来实现芯片电极连接的端子排组件，所述衬底的芯片电极区通过芯片弹性连接组件完成芯片电极与端子排组件之间的弹性连接。本发明具有可降低芯片串并联过程中的杂散电感、降低组装成本、提高功率模块可靠性等优点。
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公开(公告)号：CN104992932B
公开(公告)日：2018-05-08
申请号：CN201510274433.0
申请日：2015-05-26
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/14 , H01L23/373
Abstract: 本发明涉及用于承载芯片的绝缘衬板以及IGBT模块。该绝缘衬板包括：含有多个绝缘板的层叠体，在相邻绝缘板之间设置有金属层，多个绝缘板中的每一个均大于与之相邻的两个金属层的面积。在使用本发明的绝缘衬板时，在金属层与绝缘衬板的界面处的电场集中的问题很小，从而避免影响绝缘衬板以及使用这种绝缘衬板的芯片的使用。
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公开(公告)号：CN104992934B
公开(公告)日：2018-01-09
申请号：CN201510284780.1
申请日：2015-05-29
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/32
Abstract: 本发明涉及一种功率半导体器件子模组，包括：导电组件，导电组件包括第一导电体，与第一导电体相对设置的第二导电体，以及叠置于第一导电体与第二导电体之间的芯片，容纳导电组件的夹持组件，夹持组件能向第一导电体以及第二导电体施加沿叠置方向的夹持力。通过使用这种功率半导体器件子模组能防止芯片与第一导电体和第二导电体发生错位。
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公开(公告)号：CN104269392B
公开(公告)日：2017-10-20
申请号：CN201410537512.1
申请日：2014-10-13
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/31
Abstract: 本申请提供的一种功率器件，包括：芯片、两片电极、钼片组、陶瓷外壳和短路结构；其中，短路结构包括：压缩状态的金属弹簧、套设于金属弹簧外侧的套管和将金属弹簧封装于套管内的低熔点合金；其中，短路结构设置于两片电极之间，短路结构的一端与一电极的靠近另一电极的内侧相连，另一端靠近另一电极的内侧；当金属弹簧处于放松状态时，金属弹簧的两端分别与两片电极的内侧接触。采用该短路结构，当功率器件短路发散热量时，低熔点合金熔融，金属弹簧恢复放松状态，连接两片电极，使得该功率器件失效时，两片电极之间仍然具有连接导通结构，保证了该功率器件表现为短路失效模式，无需外接旁路晶闸管，功率器件整体结构简单，易于实现。
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公开(公告)号：CN103367299B
公开(公告)日：2017-02-15
申请号：CN201310276065.4
申请日：2013-07-03
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/492 , H01L21/60 , H05K1/18 , H05K3/34
Abstract: 本发明公开了一种半导体模块功率互联装置及其方法，装置包括：母排、侧框、基板、印制电路板、辅助端引线组件和衬板组件。基板的边缘处设置有侧框，母排和衬板组件均设置在基板上。辅助端引线组件的一端与位于基板上的功率模块电极相连，辅助端引线组件的另一端与印制电路板相连，基板与印制电路板之间通过辅助端引线组件可活动的连接。本发明解决了现有技术存在的需要大量手工操作、效率低下、质量问题发生率高的问题，工艺流程得到了极大的简化，在提高效率的同时，避免了人为因素导致的操作失误，同时半导体模块可以随时取下或重新组装，返修变得非常方便。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105679750A
公开(公告)日：2016-06-15
申请号：CN201410661590.2
申请日：2014-11-19
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
CPC classification number: H01L2224/33
Abstract: 本发明公开了一种压接式半导体模块及其制作方法，模块包括：半导体芯片、上钼片、下钼片、管盖、底座、栅极引出端、PCB和引线。半导体芯片包括IGBT（或MOSFET）芯片，下钼片采用大钼圆片或单个子钼片或若干个子钼片的组合。IGBT（或MOSFET）芯片的集电极（漏极）烧结在下钼片上，上钼片烧结在IGBT（或MOSFET）芯片的发射极（源极）上。PCB设置在下钼片上或底座上，IGBT（或MOSFET）芯片的栅极通过引线键合方式互连至PCB上，并通过PCB的内部线路汇集至栅极引出端。本发明能够有效地解决现有压接式半导体模块制作方法过于复杂，压接过程中芯片受到的应力大，绝缘性能较差的技术问题。
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公开(公告)号：CN104942687A
公开(公告)日：2015-09-30
申请号：CN201410113323.1
申请日：2014-03-25
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: B24B29/02
Abstract: 本发明公开了一种IGBT模块母排抛光的方法及抛光工装，该方法的步骤为：（1）通过计算得到模块上各个母排的抛光面面积大小和分布，同时利用模块上母排弯折后其抛光面与模块管盖间的距离；（2）依据步骤（1）的数据得到抛光工装；（3）直接将步骤（2）得到的抛光工装固定于母排上，将模块固定在支架上，利用抛光机对所有母排进行抛光作业。该工装是用来实施上述方法。本发明具有原理简单、操作简便等优点，大大简化了IGBT模块的母排抛光作业，降低了劳动强度。
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公开(公告)号：CN104465536A
公开(公告)日：2015-03-25
申请号：CN201410614116.4
申请日：2014-11-04
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/15
Abstract: 本发明公开了一种陶瓷衬板，包括陶瓷层和分设在陶瓷层的上下表面的金属层，其中至少在陶瓷层的上下表面的其中一个表面上设有用于分散电场集中的分散电场结构。所述分散电场结构设在陶瓷层未被金属层覆盖的两外侧，两外侧的分散电场结构呈轴对称布置。该陶瓷衬板能更好地分散电场集中从而使得绝缘性能更好。
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公开(公告)号：CN104409484A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410534231.0
申请日：2014-10-11
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L29/739 , H01L23/04 , H01L21/68 , H01L23/48 , H01L23/32
CPC classification number: H01L2224/33 , H01L2924/13055 , H01L2924/00 , H01L29/7393 , H01L21/68 , H01L23/04 , H01L23/32 , H01L23/48
Abstract: 本发明涉及一种压接式绝缘栅双极型晶体管，包括壳体，以及设置在所述壳体内且沿第一方向依次布置的发射极、电路板、模块定位件、钼板和集电极，其中在模块定位件上开设有多个定位孔，在各定位孔内沿第一方向依次设有钼块、芯片和固定设在钼板的表面上的由钼材料制成的定位凸起，在部分的定位孔内的钼块内设有用于把相应的芯片与电路板相接通的电连组件。根据本发明的压接式绝缘栅双极型晶体管能够采用贴片机顺利进行组装，避免了停机修整，从而提高了企业的生产效率。
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公开(公告)号：CN104269392A
公开(公告)日：2015-01-07
申请号：CN201410537512.1
申请日：2014-10-13
Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司
IPC: H01L23/488 , H01L23/31
Abstract: 本申请提供的一种功率器件，包括：芯片、两片电极、钼片组、陶瓷外壳和短路结构；其中，短路结构包括：压缩状态的金属弹簧、套设于金属弹簧外侧的套管和将金属弹簧封装于套管内的低熔点合金；其中，短路结构设置于两片电极之间，短路结构的一端与一电极的靠近另一电极的内侧相连，另一端靠近另一电极的内侧；当金属弹簧处于放松状态时，金属弹簧的两端分别与两片电极的内侧接触。采用该短路结构，当功率器件短路发散热量时，低熔点合金熔融，金属弹簧恢复放松状态，连接两片电极，使得该功率器件失效时，两片电极之间仍然具有连接导通结构，保证了该功率器件表现为短路失效模式，无需外接旁路晶闸管，功率器件整体结构简单，易于实现。
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