公开(公告)号：CN103065950A

公开(公告)日：2013-04-24

申请号：CN201210573249.2

申请日：2012-12-26

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 刘博 ,  冯江华 ,  蒋谊 ,  张明

IPC: H01L21/268

Abstract: 一种提高GCT芯片安全工作区的横向非均匀电子辐照方法，其步骤为：（1）GCT芯片的预辐射；通过控制芯片的少子寿命及压降的方法，对GCT芯片实行一次预辐照；（2）一次退火后，进行少子寿命和芯片压降监测；（3）采用复合合金挡板，利用电子辐照穿透复合合金挡板的非均匀性对GCT芯片进行二次辐照并退火；（4）再次进行少子寿命和芯片压降监测。本发明具有原理简单、操作简便、通过两次辐照技术以实现GCT芯片局部少子寿命控制、通过降低远离门极梳条的少子寿命、降低在GCT关断过程中电流的再分配效应、提高GCT芯片整体安全工作区等优点。

公开(公告)号：CN102148169A

公开(公告)日：2011-08-10

申请号：CN201110000505.4

申请日：2011-01-04

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 丁荣军 ,  罗海辉 ,  刘博 ,  曾文彬 ,  雷云 ,  吴煜东 ,  刘国友 ,  彭勇殿 ,  张明

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L23/488 ,  H01L23/29 ,  H01L25/00

CPC classification number: H01L24/01 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种碳化硅功率模块的封装方法，包括以下步骤：在钼板上焊接一层氮化铝隔离层，将碳化硅芯片放置到氮化铝隔离层的空格中，与钼板焊接；在碳化硅芯片上焊接钼块，钼块上预留门极引线槽；将引线放置在门极引线槽内，焊接固定，收集引线并引出；用环氧树脂将钼板、氮化硅隔离层及碳化硅芯片整体浇筑成型，安装底座、管壳和管盖，进行封装。本发明还提供一种碳化硅功率模块。本发明可使碳化硅功率模块在大功率、高温工作条件下具有较高的可靠性，较强的热循环能力。

公开(公告)号：CN103065950B

公开(公告)日：2016-02-24

申请号：CN201210573249.2

申请日：2012-12-26

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 刘博 ,  冯江华 ,  蒋谊 ,  张明

IPC: H01L21/268

Abstract: 一种提高GCT芯片安全工作区的横向非均匀电子辐照方法，其步骤为：（1）GCT芯片的预辐射；通过控制芯片的少子寿命及压降的方法，对GCT芯片实行一次预辐照；（2）一次退火后，进行少子寿命和芯片压降监测；（3）采用复合合金挡板，利用电子辐照穿透复合合金挡板的非均匀性对GCT芯片进行二次辐照并退火；（4）再次进行少子寿命和芯片压降监测。本发明具有原理简单、操作简便、通过两次辐照技术以实现GCT芯片局部少子寿命控制、通过降低远离门极梳条的少子寿命、降低在GCT关断过程中电流的再分配效应、提高GCT芯片整体安全工作区等优点。

公开(公告)号：CN102148169B

公开(公告)日：2012-12-12

申请号：CN201110000505.4

申请日：2011-01-04

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 丁荣军 ,  罗海辉 ,  刘博 ,  曾文彬 ,  雷云 ,  吴煜东 ,  刘国友 ,  彭勇殿 ,  张明

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/58 ,  H01L21/60 ,  H01L23/488 ,  H01L23/29 ,  H01L25/00

CPC classification number: H01L24/01 ,  H01L2924/1301 ,  H01L2924/13055 ,  H01L2924/13091 ,  H01L2924/351 ,  H01L2924/00

Abstract: 本发明涉及一种碳化硅功率模块的封装方法，包括以下步骤：在钼板上焊接一层氮化铝隔离层，将碳化硅芯片放置到氮化铝隔离层的空格中，与钼板焊接；在碳化硅芯片上焊接钼块，钼块上预留门极引线槽；将引线放置在门极引线槽内，焊接固定，收集引线并引出；用环氧树脂将钼板、氮化铝隔离层及碳化硅芯片整体浇筑成型，安装底座、管壳和管盖，进行封装。本发明还提供一种碳化硅功率模块。本发明可使碳化硅功率模块在大功率、高温工作条件下具有较高的可靠性，较强的热循环能力。

公开(公告)号：CN102130020A

公开(公告)日：2011-07-20

申请号：CN201110000503.5

申请日：2011-01-04

Applicant: 株洲南车时代电气股份有限公司

Inventor： 丁荣军 ,  罗海辉 ,  刘博 ,  曾文彬 ,  雷云 ,  吴煜东 ,  刘国友 ,  彭勇殿 ,  张明

IPC: H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L21/60

CPC classification number: H01L2224/48091 ,  H01L2924/00014

Abstract: 本发明涉及一种碳化硅功率器件的封装方法，选择覆铜的氮化铝作衬板材料，衬板上设有一层钼片作为焊接面；选择镀镍的铝碳化硅作基板材料，该封装方法包括以下步骤：将碳化硅芯片焊接在衬板的焊接面上，将衬板焊接在基板上；将引线的一端与碳化硅芯片的电极焊接，另一端与衬板上的电极焊接；将功率接线端子焊在衬板的电极上；安装管壳，填充热膨胀缓冲层和密封剂，再安装管盖。本发明可有效提高碳化硅功率器件的使用温度。