公开(公告)号：CN107004722A

公开(公告)日：2017-08-01

申请号：CN201580067427.6

申请日：2015-12-03

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  田中哲弘 ,  下村明久 ,  山根靖正 ,  德丸亮 ,  佐藤裕平 ,  筒井一寻

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8238 ,  H01L21/8242 ,  H01L27/092 ,  H01L27/10 ,  H01L27/108 ,  H01L27/146

CPC classification number: H01L29/7869 ,  C23C14/08 ,  C23C14/3414 ,  H01L21/02266 ,  H01L21/02554 ,  H01L21/02565 ,  H01L21/02631 ,  H01L27/1207 ,  H01L27/1225 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/513 ,  H01L29/517 ,  H01L29/66969 ,  H01L29/78648 ,  H01L29/78696 ,  H01L2029/42388

Abstract: 本发明的一个方式的目的之一是提供一种具有稳定的电特性的晶体管。该晶体管包括：在衬底上形成的第一绝缘体；在第一绝缘体上形成的第一至第三氧化物绝缘体；在第三氧化物绝缘体上形成的第二绝缘体；在第二绝缘体上形成的第一导电体；以及在第一导电体上形成的第三绝缘体，其中，第一氧化物绝缘体及第二氧化物绝缘体的导带底能级比氧化物半导体的导带底能级更近于真空能级，第三氧化物绝缘体的导带底能级比第二氧化物绝缘体的导带底能级更近于真空能级，第一绝缘体包含氧，通过热脱附谱分析测量的从第一绝缘体脱离的氧分子量为1E14 molecules/cm2以上且1E16 molecules/cm2以下。

公开(公告)号：CN101877366B

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201010171623.7

申请日：2010-04-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 藤井照幸 ,  大岛浩平 ,  丸山纯矢 ,  下村明久

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0296

CPC classification number: H01L31/022425 ,  H01L31/02008 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/068 ,  H01L31/075 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明涉及一种有关半导体装置的电极或具有接合工序的半导体装置的制造方法，本发明要解决的问题是(1)由于使用Al电极而使半导体装置具有高电阻；(2)Al与Si会形成合金；(3)利用溅射法形成的膜具有高电阻；(4)在接合工序中，若接合面的凹凸较大则发生接合不良。本发明的一种方式是一种半导体装置，包括：金属衬底或形成有金属膜的衬底；利用热压合法与金属衬底或金属膜接合的金属衬底或金属膜上的铜(Cu)镀膜；Cu镀膜上的阻挡膜；阻挡膜上的单晶硅膜；单晶硅膜上的电极层。

公开(公告)号：CN104867981A

公开(公告)日：2015-08-26

申请号：CN201510086792.3

申请日：2015-02-17

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 下村明久 ,  山根靖正 ,  佐藤裕平 ,  石山贵久 ,  冈崎健一 ,  川锅千穗 ,  太田将志 ,  石原典隆

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12

Abstract: 本发明提供一种半导体膜、晶体管、半导体装置、显示装置以及电子设备。本发明提供一种氧化物半导体膜，使用束径的半宽度为1nm的电子线在使氧化物半导体膜的位置与电子线的位置相对地移动时对氧化物半导体膜的被形成面进行照射，由此观察到氧化物半导体膜具有的多个电子衍射图案，多个电子衍射图案具有在彼此不同的观察地点观察的50个以上的电子衍射图案，第一电子衍射图案与第二电子衍射图案所占的比率之和为100％，第一电子衍射图案所占的比率为90％以上，第一电子衍射图案包括表示c轴朝向大致垂直于氧化物半导体膜的被形成面的方向的观察点，第二电子衍射图案包括不具有对称性的观察点或配置为如圆圈那样的观察区域。

公开(公告)号：CN101308782B

公开(公告)日：2012-10-17

申请号：CN200810088432.7

申请日：2008-03-31

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 宫入秀和 ,  下村明久 ,  沟井达也 ,  比嘉荣二 ,  永野庸治

IPC: H01L21/20 ,  H01L21/265 ,  H01L21/762 ,  H01L21/84

Abstract: 本发明的目的在于提供一种利用氢离子注入法的SOI衬底的制造方法，在该SOI衬底中，支撑衬底由玻璃衬底那样的耐热性低的衬底构成，并且包括表面的平坦性高且厚度为薄的100nm以下的半导体层。中间夹着接合层将半导体衬底和支撑衬底贴在一起。通过进行加热处理来分割半导体衬底，可以获得固定有从半导体衬底分离的半导体层的支撑衬底。通过对该半导体层照射激光束并使它熔化，提高半导体层的表面的平坦性，且恢复其结晶性。在照射激光束之后，通过蚀刻等来减薄半导体层。通过以上工序，可以制造SOI衬底，在该SOI衬底中，在支撑衬底上存在其厚度为100nm以下的单晶半导体层。

公开(公告)号：CN102646698A

公开(公告)日：2012-08-22

申请号：CN201210130042.8

申请日：2008-09-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大沼英人 ,  饭洼阳一 ,  山本孔明 ,  牧野贤一郎 ,  下村明久 ,  比嘉荣二 ,  沟井达也 ,  永野庸治 ,  井坂史人 ,  挂端哲弥 ,  山崎舜平

IPC: H01L29/06 ,  H01L29/04

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78654

Abstract: 本发明名称为半导体装置及电子设备。通过使用以低耐热性衬底为基底衬底的SOI衬底来提供高性能半导体装置。而且，以不进行化学抛光的方式提供高性能半导体装置。再者，提供一种使用该半导体装置的电子设备。包括绝缘衬底上的绝缘层、绝缘层上的接合层、以及接合层上的单晶半导体层，至于单晶半导体层，其上部表面的凹凸形状的算术平均粗糙度为大于或等于1nm且小于或等于7nm。或者，凹凸形状的均方根粗糙度可以为大于或等于1nm且小于或等于10nm。或者，凹凸形状的最大高度差可以为大于或等于5nm且小于或等于250nm。

公开(公告)号：CN101796613B

公开(公告)日：2012-06-27

申请号：CN200880106523.7

申请日：2008-09-05

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 大沼英人 ,  饭洼阳一 ,  山本孔明 ,  牧野贤一郎 ,  下村明久 ,  比嘉荣二 ,  沟井达也 ,  永野庸治 ,  井坂史人 ,  挂端哲弥 ,  山崎舜平

IPC: H01L21/02 ,  H01L21/336 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L27/1266 ,  H01L21/2007 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/84 ,  H01L27/1214 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78654

Abstract: 本发明名称为半导体装置及电子设备。通过使用以低耐热性衬底为基底衬底的SOI衬底来提供高性能半导体装置。而且，以不进行化学抛光的方式提供高性能半导体装置。再者，提供一种使用该半导体装置的电子设备。包括绝缘衬底上的绝缘层、绝缘层上的接合层、以及接合层上的单晶半导体层，至于单晶半导体层，其上部表面的凹凸形状的算术平均粗糙度为大于或等于1nm且小于或等于7nm。或者，凹凸形状的均方根粗糙度可以为大于或等于1nm且小于或等于10nm。或者，凹凸形状的最大高度差可以为大于或等于5nm且小于或等于250nm。

公开(公告)号：CN101681843B

公开(公告)日：2012-05-09

申请号：CN200880020573.3

申请日：2008-06-10

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 下村明久 ,  宫入秀和

IPC: H01L21/336 ,  H01L21/02 ,  H01L21/322 ,  H01L27/12 ,  H01L29/786

CPC classification number: H01L21/26506 ,  H01L21/3226 ,  H01L21/76254

Abstract: 本发明的目的在于抑制在制造SOI衬底时发生的金属污染的影响。对半导体衬底照射氢离子来形成损伤区域，然后接合基底衬底和半导体衬底。通过加热处理使半导体衬底劈开，以制造SOI衬底。即使在氢离子的照射工序中金属离子与氢离子一起注入到半导体衬底中，也可以通过吸杂处理抑制金属污染的影响。因此，可以肯定地使用离子掺杂法照射氢离子。

公开(公告)号：CN101179012B

公开(公告)日：2011-10-05

申请号：CN200710186035.9

申请日：2007-11-07

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 下村明久 ,  宫入秀和 ,  神保安弘

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/268 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84 ,  B23K26/00

CPC classification number: H01L21/02678 ,  B23K26/0732 ,  B23K26/0738 ,  H01L21/02422 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/02686 ,  H01L21/268 ,  H01L27/1218 ,  H01L27/1285

Abstract: 在热膨胀率为大于6×10-7/℃且38×10-7/℃以下的玻璃基板上形成含有半导体膜的层并加热该层。接着，对经加热的层照射脉冲振荡的紫外激光束来形成结晶半导体膜，所述激光束具有100μm以下的宽度、1∶500以上的宽长比以及50μm以下的激光束轮廓的半峰全宽。经上述加热后，玻璃基板上形成的含有半导体膜的层的总应力成为-500N/m以上且+50N/m以下。

公开(公告)号：CN101110437B

公开(公告)日：2011-07-06

申请号：CN200710142234.X

申请日：2003-01-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 矶部敦生 ,  山崎舜平 ,  小久保千穗 ,  田中幸一郎 ,  下村明久 ,  荒尾达也 ,  宫入秀和

IPC: H01L27/12 ,  H01L29/786

Abstract: 为了提供由半导体元件或半导体元件组组成的半导体装置，其中在沟道形成区中具有尽可能少的晶粒边界的结晶半导体膜形成于绝缘表面上，其可以高速运转，其具有高的电流驱动性能，且其在元件之间更少波动。本发明的方法包括：在具有绝缘表面的衬底上形成有开口的绝缘膜；在绝缘膜上和开口之上形成具有任意形成的晶粒边界的非晶半导体膜或多晶半导体膜；通过融化半导体膜，将融化的半导体灌入绝缘膜的开口中，并晶化或重结晶半导体膜形成结晶半导体膜；除去在开口中的结晶半导体膜部分之外的结晶半导体膜以形成与结晶半导体膜的顶面接触栅绝缘膜和栅电极。

公开(公告)号：CN100570813C

公开(公告)日：2009-12-16

申请号：CN200410068570.0

申请日：2004-08-27

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 下村明久 ,  浜田崇

IPC: H01L21/00 ,  H01L21/20 ,  H01L21/324 ,  H01L21/336 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L21/02686 ,  H01L21/02672 ,  H01L21/2026 ,  H01L21/268 ,  H01L27/1229 ,  H01L27/1251 ,  H01L27/1281 ,  H01L27/3244 ,  H01L29/04 ,  H01L29/78627

Abstract: 在辐射大范围输出激光束可选择性地辐射的情况下，可使用与常规不同的材料和结构的掩模来辐射激光束。本发明的一个特征是通过使用反射激光束的掩模来选择性地辐射将激光束。该掩模是由层迭至少第一材料和第二材料组成的迭层薄膜形成的。当第一材料的折射率为n1；第二材料的折射率为n2；且折射率满足n1＜n2时，为了用激光束从基片的上表面的一侧辐射，在基片上层迭非晶半导体薄膜、第一材料和第二材料。