公开(公告)号：CN101877366A

公开(公告)日：2010-11-03

申请号：CN201010171623.7

申请日：2010-04-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 藤井照幸 ,  大岛浩平 ,  丸山纯矢 ,  下村明久

IPC: H01L31/04 ,  H01L31/042 ,  H01L31/0224 ,  H01L31/20

CPC classification number: H01L31/022425 ,  H01L31/02008 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/068 ,  H01L31/075 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明涉及一种有关半导体装置的电极或具有接合工序的半导体装置的制造方法，本发明要解决的问题是(1)由于使用Al电极而使半导体装置具有高电阻；(2)Al与Si会形成合金；(3)利用溅射法形成的膜具有高电阻；(4)在接合工序中，若接合面的凹凸较大则发生接合不良。本发明的一种方式是一种半导体装置，包括：金属衬底或形成有金属膜的衬底；利用热压合法与金属衬底或金属膜接合的金属衬底或金属膜上的铜(Cu)镀膜；Cu镀膜上的阻挡膜；阻挡膜上的单晶硅膜；单晶硅膜上的电极层。

公开(公告)号：CN101877366B

公开(公告)日：2016-05-11

申请号：CN201010171623.7

申请日：2010-04-28

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 藤井照幸 ,  大岛浩平 ,  丸山纯矢 ,  下村明久

IPC: H01L31/0224 ,  H01L31/0296

CPC classification number: H01L31/022425 ,  H01L31/02008 ,  H01L31/028 ,  H01L31/0296 ,  H01L31/068 ,  H01L31/075 ,  Y02E10/50

Abstract: 本发明涉及一种有关半导体装置的电极或具有接合工序的半导体装置的制造方法，本发明要解决的问题是(1)由于使用Al电极而使半导体装置具有高电阻；(2)Al与Si会形成合金；(3)利用溅射法形成的膜具有高电阻；(4)在接合工序中，若接合面的凹凸较大则发生接合不良。本发明的一种方式是一种半导体装置，包括：金属衬底或形成有金属膜的衬底；利用热压合法与金属衬底或金属膜接合的金属衬底或金属膜上的铜(Cu)镀膜；Cu镀膜上的阻挡膜；阻挡膜上的单晶硅膜；单晶硅膜上的电极层。